基于金属铝基介孔氧化铝制备的荧光发射层及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供了一种基于金属铝基介孔氧化铝制备的荧光发射层、荧光发射层的制备方法和应用。该荧光发射层的化学通式为Y2O3·

【技术实现步骤摘要】
基于金属铝基介孔氧化铝制备的荧光发射层及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及照明
，尤其是涉及一种基于金属铝基介孔氧化铝制备的荧光发射层及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]随着工业技术的不断进步，照明技术也不断升级换代。从最初的依靠天然动植物材料，再到化石燃料，之后到点光源，如白炽灯和荧光灯。而在上世纪90年代，节能高效的白光LED固态照明开始出现。而由于激光二极管的成本逐渐降低，性能趋于稳定，使得采用激光作为照明光源成为可能。
[0003]激光照明技术，技术原理同白光LED技术类似。在白光LED照明技术中，通过蓝光(或紫光等)LED芯片激发荧光材料，LED芯片发出的光与荧光材料激发后发出的光组合在一起，最终获得白光。激光照明技术的实现方式，如专利文件1(王达健，宋维伟，毛智勇，李广浩，孙涛，卢志娟，一种高效率激光照明用远程荧光涂层及其应用，ZL201410609545.2)所描述的，通常采用激光二极管(可发射蓝光的激光二极管最为普遍)激发荧光材料，激光二极管发出的光与荧光材料受激发后发出的光组合在一起，最终获得白本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于金属铝基介孔氧化铝制备的荧光发射层，其特征在于，包括：金属铝基介孔氧化铝以及设置在所述金属铝基介孔氧化铝上的荧光发射层；所述金属铝基介孔氧化铝为一种单面含有介孔氧化铝的金属铝板，所述介孔氧化铝的孔径尺寸为2～50nm，所述介孔氧化铝的厚度为20～200μm；所述荧光发射层的化学通式为Y2O3·
aAl2O3·
bCeO2，其中，3≤a≤6，0.01<b<0.1。2.根据权利要求1所述的基于金属铝基介孔氧化铝制备的荧光发射层，其特征在于，所述荧光发射层的化学通式中，a＝4.5，b＝0.04。3.根据权利要求1或2所述的基于金属铝基介孔氧化铝制备的荧光发射层，其特征在于，在蓝光450nm激发下，所述金属铝基介孔氧化铝制备的荧光发射层产生的发射光谱波长范围介于460～760nm、发射光谱的主峰介于530～550nm。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的基于金属铝基介孔氧化铝制备的荧光发射层的制备方法，其特征在于，包含如下步骤：1)将Y前驱体和Ce前驱体配制成质量浓度为40％～60％的水溶液，所述Y前驱体和Ce前驱体中Y和Ce的摩尔比为2︰b，其中，0.01<b<0.1；2)将金属铝基介孔氧化铝...

【专利技术属性】
技术研发人员：王乐，解荣军，周天亮，张宏，邾强强，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：