导体元件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种导体元件及其制造方法。该导体元件成型为管状体。管状体的管壁的至少一侧形成多个凹槽。该多个凹槽是从管状体的头端延伸至末端且平行于管状体的轴线。延伸至末端且平行于管状体的轴线。延伸至末端且平行于管状体的轴线。

【技术实现步骤摘要】
导体元件及其制造方法


[0001]本专利技术是有关于一种输配电
，并且更具体地，是有关于一种高电压的输配电领域中的导体元件及其制造方法。

技术介绍

[0002]在输配电领域中，输电导线因为有交流电通过，所以会产生集肤效应。为了因应集肤效应，输电缆线会采取多芯线来降低导线的无效导电截面比率。然而多芯线的方式会使整体刚性不足而无法应用在高电压电器设备。在40kV以上的高电压时，通常会使用圆柱或圆管导体/导线。圆柱或圆管导体的外径相对于多芯线是2倍以上，当应用于气体绝缘总线(Gas insulated Bus)时，因绝缘距离要求，外壳也会加大。目前，假如输配电线路需要提高输电流量时，则必须更换成较大外径尺寸的圆柱或圆管导体。为了满足可承载高电流的新导体尺寸，原本的输电线路只能拆除重建或另辟并联线路。
[0003]基于以上原因，有必要提供一种可以改进已知圆柱或圆管导体的方案。

技术实现思路

[0004]为了克服上述已知技术的问题，本专利技术提供一种导体元件及其制造方法，该导体元件相对已知的圆柱或圆管导体在同样外径下具有更大表面积，从而增加有效导电截面面积，使得金属导体可以承载的电流量增大且增加散热能力。
[0005]根据本专利技术的目的，提出一种导体元件，成型为一管状体，其中，该管状体的管壁的至少一侧形成多个凹槽，这些凹槽是从该管状体的头端延伸至末端且平行于该管状体的轴线。
[0006]于本专利技术的一实施例中，这些凹槽的深度小于该管状体的管壁的厚度。
[0007]于本专利技术的一实施例中，这些凹槽的径向剖面呈U型。
[0008]于本专利技术的一实施例中，这些凹槽的径向剖面呈漏斗型。
[0009]于本专利技术的一实施例中，这些凹槽的径向剖面呈弧形。
[0010]根据本专利技术的目的，另提出一种制造导体元件的方法，包括：将一导体材料成型为一管状体；以及在该管状体的管壁的至少一侧形成多个凹槽，其中这些凹槽是从该管状体的头端延伸至末端且平行于该管状体的轴线。
[0011]于本专利技术的一实施例中，这些凹槽的深度小于该管状体的管壁的厚度。
[0012]于本专利技术的一实施例中，这些凹槽的径向剖面呈U型。
[0013]于本专利技术的一实施例中，这些凹槽的径向剖面呈漏斗型。
[0014]于本专利技术的一实施例中，这些凹槽的径向剖面呈弧形。
附图说明
[0015]为让本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本专利技术的具体实施方式作详细说明，其中：
[0016]图1A是本专利技术的导体元件的第一实施例的立体图。
[0017]图1B是本专利技术的导体元件的第一实施例的径向剖视图。
[0018]图2A是本专利技术的导体元件的第二实施例的立体图。
[0019]图2B是本专利技术的导体元件的第二实施例的径向剖视图。
[0020]图3A是本专利技术的导体元件的第三实施例的立体图。
[0021]图3B是本专利技术的导体元件的第三实施例的径向剖视图。
[0022]图4是本专利技术的制造导体元件的方法的流程图。
[0023]图5是已知的圆管导体在集肤效应下的示意图。
[0024]图6是已知的多芯线在集肤效应下的示意图。
[0025]图7是本专利技术的第一实施例的导体在集肤效应下的示意图。
[0026]图8是本专利技术的第二实施例的导体在集肤效应下的示意图。
[0027]图1A
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8中的附图编号说明如下：
[0028]100：管状体
[0029]110：管壁
[0030]120：凹槽
[0031]200：管状体
[0032]210：管壁
[0033]220：凹槽
[0034]300：管状体
[0035]310：管壁
[0036]320：凹槽
[0037]410：步骤流程
[0038]420：步骤流程
具体实施方式
[0039]为了让本专利技术的上述及其他目的、特征、优点能更明显易懂，下文将特举本专利技术较佳实施例，并配合所附附图，详细说明如下。
[0040]首先，请参考图1A及图1B。图1A是本专利技术的导体元件的第一实施例的立体图。图1B是本专利技术的导体元件的第一实施例的径向剖视图。本专利技术的第一实施例的导体元件是成型为管状体100。所谓管状体意指在其内径区域是中空的。管状体100的管壁110的至少一侧形成多个凹槽120。在本实施例中，是在管壁110的外侧形成多个凹槽120，亦即管状体100的外径圆周的表面上。每个凹槽120是从管状体100的头端延伸至末端且平行于管状体100的轴线。也就是说，凹槽120是一种长条形凹槽。换句话说，多个长条形凹槽环绕整个管状体100的外径圆周表面形成在管壁上。在本实施例中，这些凹槽120的深度小于管状体100的管壁110的厚度，该厚度等于或略大于导体材料的集肤有效深度。例如在60Hz下铝为11mm铜为8.5mm。也就是说，这些凹槽120的最大深度不能导致管壁110在径向上形成破口(也就是凹槽120与中空区域连通)，或者，换言之，不能导致管状体100在周向方向上不连续。在本专利技术的第一实施例中，导体元件的凹槽120在径向剖面呈现U型(因这些凹槽120环绕管状体100设置，因此在零度角位置呈U型，在180度角位置呈倒U型，其解释范围在任意角度仍属于U
型)。更具体地，形成在导体元件的凹槽120是一种长条U型凹槽，使得导体元件的管壁110在径向剖面上外观类似齿轮。
[0041]接着，请参考图2A与图2B。图2A是本专利技术的导体元件的第二实施例的立体图。图2B是本专利技术的导体元件的第二实施例的径向剖视图。本专利技术的第二实施例的导体元件亦成型为管状体200。第二实施例的导体元件与第一实施例类似，其差异仅在于凹槽的形状。在本专利技术的第二实施中，导体元件的凹槽220在径向剖面呈现漏斗型(因凹槽220环绕管状体200设置，因此在零度角位置呈漏斗型，其解释范围在任意角度仍属于漏斗型)。换言之，导体元件的凹槽220在径向剖面凹槽底部相对凹槽开口是逐渐扩张的。更具体地，在导体元件的凹槽220是一种长条漏斗型凹槽。
[0042]接着，请参考图3A与图3B。图3A是本专利技术的导体元件的第三实施例的立体图。图3B是本专利技术的导体元件的第三实施例的径向剖视图。本专利技术的第三实施例的导体元件是成型为管状体300。管状体300的管壁310的两侧分别形成多个凹槽320。与前述的两种实施例不同，在本实施例中，是在管壁310的外侧及内侧都形成多个凹槽320，且管壁的内侧凹槽与外侧凹槽是彼此交错。类似前述两个实施例，本实施例的凹槽320是从管状体300的头端延伸至末端且平行于管状体300的轴线，且凹槽320的深度小于管状体300的管壁310的厚度。在本专利技术的第三实施中，导体元件的凹槽220在径向剖面呈现弧型。更具体地，导体元件的凹槽320是一种长条弧型凹槽，因为交错形成在管壁310的两侧，使得导体元件的管壁310在径向剖面上外观本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种导体元件，成型为一管状体，其中，该管状体的管壁的至少一侧形成多个凹槽，该多个凹槽是从该管状体的头端延伸至末端且平行于该管状体的轴线。2.如权利要求1所述的导体元件，其特征在于，该多个凹槽的深度小于该管状体的管壁的厚度。3.如权利要求2所述的导体元件，其特征在于，该多个凹槽的径向剖面是呈U型。4.如权利要求2所述的导体元件，其特征在于，该多个凹槽的径向剖面是呈漏斗型。5.如权利要求2所述的导体元件，其特征在于，该多个凹槽的径向剖面是呈弧形。6.一种制造导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：高兆祥，
申请(专利权)人：高兆祥，
类型：发明
国别省市：