一种低电阻率高B值的NTC热敏电阻材料及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种低电阻率高B值的NTC热敏电阻材料及制备方法，该NTC热敏电阻材料由尖晶石相和La

【技术实现步骤摘要】
一种低电阻率高B值的NTC热敏电阻材料及制备方法


[0001]本专利技术涉及热敏电阻
，具体涉及一种低电阻率高B值的NTC热敏电阻材料及制备方法。

技术介绍

[0002]通常，NTC热敏电阻材料是由过渡族氧化锰、氧化钴、氧化镍等金属氧化物粉末烧结而成，烧结后的物相为单一尖晶石结构。
[0003]NTC热敏电阻材料的电阻具有负温度系数，行业内，负温度系数用B值表征。上述单一尖晶石物相的NTC热敏电阻材料B值越高、电阻率越高，很难获得低电阻率高B值的材料性能。有研究发现一些钙钛矿结构的陶瓷具有很高的导电性，将高导电的钙钛矿结构的陶瓷添加到尖晶石NTC热敏电阻陶瓷中制备成复合相材料，可以降低热敏电阻的电阻率。专利CN107226681A公布了一种LaMnO3钙钛矿和Mn
‑
Co
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Ni系尖晶石复合相热敏热敏电阻材料，具有低电阻率和老化性能好等性能。但是由于LaMnO3导电性较低，以及Mn
‑
Co
‑
Ni系热敏电阻材料B值较低，无法获得低阻高B值性能。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低电阻率高B值的NTC热敏电阻材料，其特征在于，该NTC热敏电阻材料由Mn
‑
Co系尖晶石相和具有高导电率的La
x
Ba1‑
x
CoO3钙钛矿相构成，其化学组成为aLa
x
Ba1‑
x
CoO3‑
(1
‑
a)Co
y
Mn3‑
y
O4，其中0.01≤a≤0.3，0.2≤x≤0.8，1.0≤y≤2.0；所述尖晶石相由三氧化二锰和三氧化二钴通过高温固相反应合成，所述尖晶石相由三氧化二镧、碳酸钡和三氧化二钴通过高温固相反应合成。2.如权利要求1所述的NTC热敏电阻材料，其特征在于，0.05≤a≤0.2，...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘士宾，包汉青，严友兰，
申请(专利权)人：唐山恭成科技有限公司，
类型：发明
国别省市：