【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有磁通集中器的集成电流传感器
技术介绍
[0001]非接触式电流感测用于各种安全测量电流应用中，尤其是在高电流电平下。开环电流感测提供具成本效益的解决方案，其中由通过电导体的电流流动产生的磁场集中在磁芯内侧，且磁性传感器测量磁场并提供用于估计电流流动的输出信号。开环方法通常消耗小功率，且可使用低灵敏度传感器来测量高电流。
技术实现思路
[0002]在提供高压隔离及抗杂散磁场的电流传感器中，封装式电流传感器包含引线框架、集成电路、隔离间隔件、第一磁集中器及第二磁集中器。引线框架包含导体。隔离间隔件位于引线框架与集成电路之间。第一磁集中器与导体对准。第二磁集中器与导体对准。
[0003]在另一实例中，电流传感器包含引线框架、集成电路、隔离间隔件、第一磁集中器及第二磁集中器。引线框架包含导体。所述导体包含电流输入段及电流输出段。集成电路包含霍尔效应传感器。隔离间隔件位于引线框架与集成电路之间。第一磁集中器与电流输入段对准，并与霍尔效应传感器重叠。第二磁集中器与电流输出段对准。
[0004]在另一实例中，电流传感器包含引线框...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种封装式电流传感器，其包括：引线框架，其包括导体；集成电路；隔离间隔件，其位于所述引线框架与所述集成电路之间；及磁集中器，其与所述导体对准。2.根据权利要求1所述的封装式电流传感器，其中所述集成电路包括与所述磁集中器对准的霍尔效应传感器。3.根据权利要求2所述的封装式集成电路，其中：所述磁集中器是第一磁集中器；所述封装式集成电路包括第二磁集中器；及所述霍尔效应传感器位于所述第一磁集中器与所述第二磁集中器之间。4.根据权利要求3所述的封装式电流传感器，其中所述霍尔效应传感器与所述第一磁集中器的边缘及所述第二磁集中器的边缘重叠。5.根据权利要求1所述的封装式电流传感器，其中所述集成电路包括：第一霍尔效应传感器，其与所述磁集中器的边缘对准；及第二霍尔效应传感器，其与所述磁集中器的与所述第一霍尔效应传感器相对的边缘对准。6.根据权利要求5所述的封装式电流传感器，其中：所述磁集中器是第一磁集中器；所述封装式集成电路包括第二磁集中器；及所述集成电路包括：第三霍尔效应传感器，其与所述第二磁集中器的边缘对准；及第四霍尔效应传感器，其与所述第二磁集中器的与所述第三霍尔效应传感器相对的边缘对准。7.根据权利要求6所述的封装式电流传感器，其中：所述导体包括：电流输入支路；及电流输出支路；及所述第一磁集中器与所述电流输入支路对准；及所述第二磁集中器与所述电流输出支路对准。8.根据权利要求1所述的封装式电流传感器，其中所述第一磁集中器及所述第二磁集中器被电镀到所述集成电路上。9.根据权利要求1所述的封装式电流传感器，其中所述第一磁集中器及所述第二磁集中器包括软磁材料的圆形盘或软磁材料的多边形盘。10.一种电流传感器，其包括：引线框架，其包括导体，其中所述导体包括：电流输入段；及电流输出段；集成电路，其包括霍尔效应传感器；
隔离间隔件，其位于所述引线框架与所述集成电路之间；第一磁集中器，其与所述电流输入段对准，并与所述霍尔效应传感器重叠；及第二磁集中器，其与所述电流输出段对准。11.根据权利要求10所述的...
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