用于电容器的陶瓷材料制造技术

本发明专利技术涉及用于多层技术电容器的陶瓷材料。所述陶瓷材料具有根据下列通式的组成：Pb

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于电容器的陶瓷材料
[0001]本专利技术涉及用于多层技术电容器的陶瓷材料。
[0002]陶瓷电容器包括至少两个电导体，在它们之间布置介电陶瓷层。陶瓷电容器的性能主要由陶瓷介电材料的极化性能决定。
[0003]某些材料在没有电场的情况下具有自发极化。如果可以通过施加电场来改变自发极化的方向，则这种材料称为铁电的。如果在从顺电相进行相变过程中，铁电材料的离子不是相互平行移动，而是相互反平行移动，则该材料称为反铁电的。
[0004]迄今主要用于压电元件的陶瓷材料是铅
‑
锆酸盐
‑
钛酸盐体系(Pb(Zr
x
Ti1‑
x
)O3或PZT)。这表示反铁电的锆酸铅(PbZrO3)和铁电的钛酸铅(PbTiO3，PTO)的固溶体(无隙的混晶系列)，根据组成，它可以既具有铁电性能、又具有反铁电性能。
[0005]相图(图1)显示了PZT体系的居里温度和晶体对称性如何取决于其组成。FT和FR分别是铁电的四方相和菱面体相。PC表示顺电的立方相。AO和AT分别表示反铁电的正交相和四方相。HT表示高温本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.用于多层技术电容器的陶瓷材料，其具有通式：Pb
(y
‑
1.5a
‑
0.5b+c+0.5d
‑
0.5e
‑
f)
Ca
a
A
b
(Zr1‑
x
Ti
x
)
(1
‑
c
‑
d
‑
e
‑
f)
E
c
Fe
d
Nb
e
W
f
O3，其中A为选自Na、K和Ag中的一种或多种；E为选自Cu、Ni、Hf、Si和Mn中的一种或多种；并且适用的是0＜a＜0.14，0.05≤x≤0.3，0≤b≤0.12，0＜c≤0.12，0≤d≤0.12，0≤e≤0.12，0≤f≤0.12，0.9≤y≤1.5且0.001＜b+c+d+e+f。2.根据权利要求1所述的陶瓷材料，其中0.001＜a＜0.14。3.根据权利要求1或2所述的陶瓷材料，其中0.001＜b＜0.12。4.根据权利要求1至3中任一项所述的陶瓷材料，其中0.001＜c＜0.12。5.根据权利要求1至4中任一项所述的陶瓷材料，其中0.001＜d＜0.12。6.根据权利要求1至5中任一项所述的陶瓷材料，其中0.001＜e＜0.12。7.根据权利要求1至6中任一项所述的陶瓷材料，其中0.001＜f＜0.12。8.根据权利要求1至7中任一项所述的陶瓷材料，其中0.005＜b+c+d+e+f。9.根据权利要求1至8中任一项所述的陶瓷材料，其中所述陶瓷材料是反铁电的介电材料。10.根据权利要求1至9中任一项所述的陶瓷材料，其中所述陶瓷材料的烧结温度为900℃至1200℃。11.根据权利要求10所述的陶瓷材料，其中所述陶瓷材料的烧结温度为980℃至1080℃。12.根据权利要求10或11中任一项的陶瓷材料，其中陶瓷材料的烧结温度低于铜的熔点。13.根据权利要求12所述的陶瓷材料，其中所述陶瓷材料的烧结温度低于银的熔点。14.电容器(1)，其包括由陶瓷材料制成的介电层(6)和布置在它们之间的电极层，它们以层顺序彼此叠置，其中电极层至少具有第一和/或第二电极(3、4)，并且其中陶瓷材料具有以下通式：Pb
(y
‑
1.5a
‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：T，
申请(专利权)人：TDK电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：