电弧路径形成部以及包括其的直流继电器制造技术

本发明专利技术涉及电弧路径形成部以及直流继电器。根据本发明专利技术的各种实施例的电弧路径形成部包括在前后方向中的至少一方设置的海尔贝克阵列。海尔贝克阵列其自身或者与其它磁体一起在电弧腔室的内部形成磁场。通过所形成的磁场和在直流继电器流动的电流，能够形成用于引导所产生的电弧的电磁力。电磁力朝远离各个固定触头的方向形成。由此，能够有效的消灭和排出所产生的电弧。所产生的电弧。所产生的电弧。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电弧路径形成部以及包括其的直流继电器


[0001]本专利技术涉及电弧路径形成部以及包括其的直流继电器，更具体而言，涉及一种能够有效地向外部引导所产生的电弧的结构的电弧路径形成部以及包括其的直流继电器。

技术介绍

[0002]直流继电器(Direct current relay)是利用电磁原理来传递机械式的驱动或电流信号的装置。直流继电器也可以被称作电磁开闭器(Magnetic switch)，一般分类为电性电路开闭装置。
[0003]直流继电器包括固定触点和可动触点。固定触点与外部的电源和负载可通电地连接。固定触点和可动触点可以彼此接触或分离。
[0004]基于直流继电器的通电通过固定触点和可动触点的接触和分离来允许或禁止。所述移动通过对可动触点施加驱动力的驱动部来实现。
[0005]如果固定触点和可动触点分离，则在固定触点和可动触点之间产生电弧(arc)。电弧是高压、高温的电流的流动。因此，需要使所产生的电弧通过预先设定的路径迅速地从直流继电器排出。
[0006]电弧的排出路径通过设置于直流继电器的磁铁来形成。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电弧路径形成部，其中，包括：磁铁框架，内部形成有空间部，固定触头和可动触头容纳于所述空间部；以及海尔贝克阵列(Halbach array)，位于所述磁铁框架的所述空间部，在所述空间部形成磁场；所述空间部的一方向的长度大于另一方向的长度，所述磁铁框架包括：第一面和第二面，沿所述一方向延伸，配置为彼此相对，包围所述空间部的一部分；以及第三面和第四面，沿所述另一方向延伸，分别与所述第一面和所述第二面连续，配置为彼此相对，包围所述空间部的剩余的部分；所述海尔贝克阵列包括沿所述一方向并排配置并且由磁体形成的复数个块，位于与所述第一面和所述第二面中的至少一面邻近的位置。2.根据权利要求1所述的电弧路径形成部，其中，所述海尔贝克阵列包括：第一海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置；以及第二海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近的位置，配置为隔着所述空间部与所述第一海尔贝克阵列相对。3.根据权利要求2所述的电弧路径形成部，其中，所述第一海尔贝克阵列的面中朝向所述第二海尔贝克阵列的面和所述第二海尔贝克阵列的面中朝向所述第一海尔贝克阵列的面被磁化为彼此不同的极性。4.根据权利要求2所述的电弧路径形成部，其中，所述第一海尔贝克阵列包括：第一块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；以及第二块，位于所述第一块和所述第三块之间；所述第二海尔贝克阵列包括：第一块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；以及第二块，位于所述第一块和所述第三块之间。5.根据权利要求4所述的电弧路径形成部，其中，在所述第一海尔贝克阵列中，所述第一块的面中朝向所述第二块的面、所述第三块的面中朝向所述第二块的面以及所述第二块的面中朝向所述第二海尔贝克阵列的面被磁化相同的极性，在所述第二海尔贝克阵列中，所述第一块的面中朝向所述第二块的面、所述第三块的面中朝向所述第二块的面以及所述第二块的面中朝向所述第一海尔贝克阵列的面被磁化为与所述极性不同的极性。6.根据权利要求1所述的电弧路径形成部，其中，所述海尔贝克阵列包括：第一海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置，位于
偏向所述第三面和所述第四面中任意一面的位置；以及第二海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的所述任意一面邻近的位置，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；在所述第一面和所述第二面中的另一面设置有与所述海尔贝克阵列分开设置的磁铁部，所述磁铁部配置为隔着所述空间部与所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列分别相对并且在所述空间部形成磁场。7.根据权利要求6所述的电弧路径形成部，其中，所述第一海尔贝克阵列的面中朝向所述磁铁部的面和所述第二海尔贝克阵列的面中朝向所述磁铁部的面被磁化为相同的极性，所述磁铁部的面中朝向所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列的面被磁化为与所述极性不同的极性。8.根据权利要求6所述的电弧路径形成部，其中，所述第一海尔贝克阵列包括：第一块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述任意一面的位置；第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述另一面的位置；以及第二块，位于所述第一块和所述第三块之间；所述第二海尔贝克阵列包括：第一块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述任意一面的位置；第三块，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述另一面的位置；以及第二块，位于所述第一块和所述第三块之间。9.根据权利要求8所述的电弧路径形成部，其中，在所述第一海尔贝克阵列中，所述第一块的面中朝向所述第二块的面、所述第三块的面中朝向所述第二块的面以及所述第二块的面中朝向所述磁铁部的面被磁化为相同的极性，在所述第二海尔贝克阵列中，所述第一块的面中朝向所述第二块的面、所述第三块的面中朝向所述第二块的面以及所述第二块的面中朝向所述磁铁部的面被磁化为与所述极性相同的极性，在所述磁铁部中，所述磁铁部的面中朝向所述第一海尔贝克阵列和所述第二海尔贝克阵列的面被磁化为与所述极性不同的极性。10.根据权利要求1所述的电弧路径形成部，其中，所述海尔贝克阵列包括：第一海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的任意一面邻近的位置，位于偏向所述第三面和所述第四面中的任意一面的位置；第二海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的所述任意一面邻近的位置，位于偏向所述第三面和所述第四面中的另一面的位置；第三海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的另一面邻近的位置，位于偏向所述第三面和所述第四面中的所述任意一面的位置，配置为隔着所述空间部与所述第一海尔贝克阵列相对；以及第四海尔贝克阵列，位于与所述第一面和所述第二面中的所述另一面邻近的位置，位
于偏向所述第三面和所述第四面中的所述另一面的位置，配置为隔着所述空间部与所述第二海尔贝克阵列相对。11.根据权利要求10所述的电弧路径形成部，其中，所述第一海尔贝克阵列的面中朝向所述第三海尔贝克...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳政雨，金韩龙，李暎昊，
申请(专利权)人：LS电气株式会社，
类型：发明
国别省市：