一种WC超细粉体制备硬质合金的方法及硬质合金技术

本发明专利技术提供一种WC超细粉体制备合金的方法及合金；先将WC超细粉体、纳米碳化钒和纳米碳化铬放入球磨机中球磨一段时间，然后加入钴继续球磨；球磨过程中，采用不同直径的研磨珠配比球磨；然后采用HIP烧结工艺，烧结温度在1340~1400℃；所述纳米碳化钒占合金总量的0.2~1%，所述纳米碳化铬占合金总量的0.2~1%。本发明专利技术提供的WC超细粉体制备硬质合金的方法，减少合金中结晶和团聚且不会降低合金韧性，方法工艺易实现。艺易实现。艺易实现。

【技术实现步骤摘要】
一种WC超细粉体制备硬质合金的方法及硬质合金


[0001]本专利技术涉及合金领域，尤其涉及一种WC超细粉体制备硬质合金的方法及硬质合金。

技术介绍

[0002]WC超细粉体制备的硬质合金，由于WC超细粉体活性较高，在烧结过程中极易出现异常长大现象，目前为解决这一问题多通过增大抑制剂来抑制WC超细异常长大现象，但是抑制剂的含量过大会降低合金韧性；或者通过特殊的烧结工艺抑制WC异常长大，如微波烧结，放电等离子烧结等新型烧结工艺，但是这些烧结工艺成本高、烧结复杂，对设备要求高，只是试验过程中用过，很难实现批量生产。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术的目的是提供一种WC超细粉体制备硬质合金的方法，减少合金中结晶和团聚且不会降低合金韧性，方法工艺易实现。
[0004]为实现上述目的，本专利技术所提供的WC超细粉体制备硬质合金的方法采用如下技术方案：一种WC超细粉体制备合金的方法，先将WC超细粉体、纳米碳化钒和纳米碳化铬放入球磨机中球磨一段时间，然后加入钴继续球磨；球磨过程中，采用不同直径的研磨珠配比球磨；然后采用HIP烧结工艺，烧结温度在1340~1400℃；所述纳米碳化钒占合金总量的0.2~1%，所述纳米碳化铬占合金总量的0.2~1%。
[0005]可选的，所述WC超细粉体球磨时间是22~26h，所述加入钴继续球磨的时间是32~40h。
[0006]可选的，所述钴占合金总量的3~10%。
[0007]可选的，所述不同直径的研磨珠是直径6~7mm和直径3~4mm的研磨珠，所述配比是2~4:1。
[0008]可选的，所述球磨过程中，所述研磨珠与研磨料的质量比是4~6:1。
[0009]可选的，所述球磨后WC超细粉体、所述钴、所述纳米碳化铬和所述纳米碳化钒的粒径是0.25~0.3mm。
[0010]一种WC超细粉体制备的合金，由以下重量百分比的成分制成：钴3~10%，纳米碳化钒0.2~1%，纳米碳化铬0.2~1%，余量为WC超细粉体。
[0011]可选的，由以下重量百分比的成分制成：钴6%，纳米碳化钒0.32%，纳米碳化铬0.45%，余量为WC超细粉体。
[0012]可选的，由以下重量百分比的成分制成：钴8%，纳米碳化钒0.32%，纳米碳化铬0.45%，余量为WC超细粉体。
[0013]本专利技术WC超细粉体制备合金的方法，制备出的合金，对比显示，本专利技术制备的合金明显少团聚和少结晶；本专利技术制备的WC超细粉体合金经检测合金硬度≥93.5HRA，韧性≥
8MPa*m
1/2
；对比显示本专利技术WC超细分析制备合金的方法制备的合金，抑制了现有技术中WC超细粉体异常长大、造成结晶和团聚的现象，还没有降低合金的硬度和韧性；而且本专利技术采用常用的HIP烧结工艺即可实现，相对于现有技术中采用复杂和高成本的烧结工艺，本专利技术容易批量生产和推广。
附图说明
[0014]图1是对照例一制备的WC超细粉体合金在金相检测 1600X下的图；图2是本专利技术WC超细粉体制备合金的方法制备的合金金相检测 1600X下的图；图3是对照例一制备的合金在电镜检测10000X下的图；图4是本专利技术制备的合金在电镜检测10000X下的图。
具体实施方式
[0015]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面对本专利技术实施例及附图的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0016]本专利技术实施例所使用的WC超细粉体是碳化钨02粉体。
[0017]实施例一一种WC超细粉体制备合金的方法，先将碳化钨02粉体,纳米碳化钒VC和纳米碳化铬Cr3C2，放入球磨机中,采用直径是6.5mm和3.5mm的研磨珠混合研磨，6.5mm和3.5mm的研磨珠配比是3:1，球磨24h后，加入金属钴Co粉，继续球磨36h；混合均匀后，采用HIP烧结工艺，烧结温度是1340~1400℃。
[0018]该实施例中，纳米碳化钒占比0.32%，纳米碳化铬占比0.45%，钴占比6%，余量是碳化钨02粉体。
[0019]实施例二一种WC超细粉体制备合金的方法，先将碳化钨02粉体,纳米碳化钒VC和纳米碳化铬Cr3C2，放入球磨机中,采用直径是6.5mm和3.5mm的研磨珠混合研磨，6.5mm和3.5mm的研磨珠配比是3:1，球磨24h后，加入金属钴Co粉，继续球磨36h；混合均匀后，采用HIP烧结工艺，烧结温度是1340~1400℃。
[0020]该实施例中，纳米碳化钒占比0.45%，纳米碳化铬占比0.6%，钴占比8%，余量是碳化钨02粉体。
[0021]实施例三一种WC超细粉体制备合金的方法，先将碳化钨02粉体,纳米碳化钒VC和纳米碳化铬Cr3C2，放入球磨机中,采用直径是7mm和4mm的研磨珠混合研磨，7mm和4mm的研磨珠配比是2:1，球磨22h后，加入金属钴Co粉，继续球磨40h；混合均匀后，采用HIP烧结工艺，烧结温度是1340~1400℃。
[0022]该实施例中，纳米碳化钒占比1%，纳米碳化铬占比0.8%，钴占比10%，余量是碳化钨02粉体。
[0023]实施例四
一种WC超细粉体制备合金的方法，先将碳化钨02粉体,纳米碳化钒VC和纳米碳化铬Cr3C2，放入球磨机中,采用直径是6mm和3mm的研磨珠混合研磨，6mm和3mm的研磨珠配比是4:1，球磨26h后，加入金属钴Co粉，继续球磨32h；混合均匀后，采用HIP烧结工艺，烧结温度是1340~1400℃。
[0024]该实施例中，纳米碳化钒占比0.2%，纳米碳化铬占比0.3%，钴占比3%，余量是碳化钨02粉体。
[0025]实施例五一种WC超细粉体制备合金的方法，先将碳化钨02粉体,纳米碳化钒VC和纳米碳化铬Cr3C2，放入球磨机中,采用直径是6mm和4mm的研磨珠混合研磨，6mm和4mm的研磨珠配比是3:1，球磨24h后，加入金属钴Co粉，继续球磨34h；混合均匀后，采用HIP烧结工艺，烧结温度是1340~1400℃。
[0026]该实施例中，纳米碳化钒占比0.8%，纳米碳化铬占比0.55%，钴占比8%，余量是碳化钨02粉体。
[0027]实施例六一种WC超细粉体制备合金的方法，先将碳化钨02粉体,纳米碳化钒VC和纳米碳化铬Cr3C2，放入球磨机中,采用直径是7mm和3mm的研磨珠混合研磨，7mm和3mm的研磨珠配比是3:1，球磨24h后，加入金属钴Co粉，继续球磨36h；混合均匀后，采用HIP烧结工艺，烧结温度是1340~1400℃。
[0028]该实施例中，纳米碳化钒占比0.5%，纳米碳化铬占比0.75%，钴占比9%，余量是碳化钨02粉体。
[0029]实施例七一种WC超细粉体制备合金的方法，先将碳化钨02粉体,纳米碳化钒VC和纳米碳化铬Cr3C2，放入球磨机中,采本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种WC超细粉体制备合金的方法，其特征在于，先将WC超细粉体、纳米碳化钒和纳米碳化铬放入球磨机中球磨一段时间，然后加入钴继续球磨；球磨过程中，采用不同直径的研磨珠配比球磨；然后采用HIP烧结工艺，烧结温度在1340~1400℃；所述纳米碳化钒占合金总量的0.2~1%，所述纳米碳化铬占合金总量的0.2~1%。2.根据权利要求1所述的WC超细粉体制备合金的方法，其特征在于，所述WC超细粉体、纳米碳化钒和纳米碳化铬球磨时间是22~26h，所述加入钴继续球磨的时间是32~40h。3.根据权利要求2所述的WC超细粉体制备合金的方法，其特征在于，所述钴占合金总量的3~10%。4.根据权利要求1至3任一项所述的WC超细粉体制备合金的方法，其特征在于，所述不同直径的研磨珠...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱晓辉，张志娟，
申请(专利权)人：河南大地合金有限公司，
类型：发明
国别省市：