【技术实现步骤摘要】
一种阵列式光电型激光功率计及其制备方法
[0001]本专利技术涉及激光功率探测器
,特别是涉及一种阵列式光电型激光功率计及其制备方法。
技术介绍
[0002]激光功率是激光器的重要参数之一,决定了激光器适用的领域和范围。因此,快速准确地测量激光功率是激光产业发展的关键。根据材料和应用不同,激光功率计主要分为光电型和热电型。光电型激光功率计探头是通过光电二极管,直接将光能转换为电流或者电压信号,以表征激光功率的大小,其探头按照材料区分常用的有Si(硅),Ge(锗),InGaAs(砷化镓铟)三种,根据光源的不同波长选用适合的探头。
[0003]由于光电型激光功率计探头在近红外范围测量材料价格昂贵(如Ge、InGaAs等),因此,传感器尺寸受限。同时,由于材料的限制,目前光电型激光功率计探测波长较窄。
[0004]因此,在保证高灵敏度的前提下制备更宽探测波长的光电型激光功率计,是目前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
[0005]本专利技术的目的是提供一种阵列式光电型激光功率计及其制备方法,在 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种阵列式光电型激光功率计,其特征在于,所述激光功率计包括:从下到上依次叠层设置的衬底、底电极层、吸收层、缓冲层、窗口层和顶电极层;所述底电极层与上电极阵列连接,所述顶电极层与背电极阵列连接;所述上电极阵列包括多个按照第一方向均匀排列的电极,所述背电极阵列包括多个按照第二方向均匀排列的电极,所述第一方向在水平面的投影与所述第二方向在所述水平面的投影互相垂直;所述底电极层包括多个沿所述第一方向按照第一预设宽度划分的像素区域;所述窗口层包括多个沿所述第二方向按照第二预设宽度划分的光电信号采集区域;所述吸收层的材料为Cu2Cd
x
Zn1‑
x
SnSe4,0<x<1。2.根据权利要求1所述的阵列式光电型激光功率计,其特征在于,所述窗口层包括第一窗口层和第二窗口层;所述第一窗口层设置在所述第二窗口层的下方。3.根据权利要求1所述的阵列式光电型激光功率计,其特征在于,所述底电极层的厚度为0.5μm
‑
1.0μm。4.根据权利要求1所述的阵列式光电型激光功率计,其特征在于,所述底电极层的材料包括:金属钼。5.根据权利要求1所述的阵列式光电型激光功率计,其特征在于,所述缓冲...
【专利技术属性】
技术研发人员:章文丽,宁德,吴唯,钱玖通,杨春雷,李伟民,冯叶,钟国华,傅亦斐,栗永利,周冬,
申请(专利权)人:派镀科技深圳有限公司,
类型:发明
国别省市:
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