【技术实现步骤摘要】
晶圆抛光压力控制方法、施压装置、控制装置及抛光设备
[0001]本专利技术涉及抛光
,具体涉及一种晶圆抛光压力控制方法、抛光施压装置、抛光压力控制装置及抛光设备。
技术介绍
[0002]随着集成电路的兴起强盛,半导体行业日益壮大,发展势头居高不下,晶圆是半导体芯片的基石,其加工精度的好坏直接决定芯片的使用性能和使用寿命,为此,对晶圆进行超精密加工,提高加工精度是行业发展趋势。所以,针对晶圆的超精密加工提出了超光滑、超平坦、低损伤的加工要求,目前化学机械抛光是唯一能够满足晶圆加工的方法。
[0003]由Preston方程可知,材料的去除效率与该点的相对速度v、抛光压力P以及Preston系数k有关,要想获得超平坦的加工表面,就要保证晶圆表面上的任意点的材料去除率一致,当v和k一定的情况下,抛光压力P是影响材料去除均匀性的唯一因素。通过大量的研究发现,尽管在晶圆上表面施加均匀的载荷,晶圆加工表面和抛光垫接触表面的应力分布并不均匀,产生边缘效应,导致晶圆边缘出现“过抛”现象,这是晶圆边缘接触应力增加造成的。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆抛光施压装置,其特征在于:包括壳体、安装在所述壳体中的不同材质的N个压块以及压块固定元件,其中,所述壳体为顶端敞口的柱形槽,该柱形槽的底端可粘贴待加工晶圆;所述N个压块同心设置且等体积;所述压块固定元件安装在所述压块和壳体的顶端,并与所述壳体配合将所述N个压块固定安装在所述壳体中,N≥3的自然数。2.根据权利要求1所述的施压装置,其特征在于:所述N个压块由位于中心的柱状压块和与该柱状压块同心设置的N
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1个压块环组成,且所述柱状压块和所述压块环的高度相等;其中,所述柱状压块的半径为R1,所述压块环的外环半径,n代表第n个压块,且2≤n≤N。3.根据权利要求2所述的施压装置,其特征在于:所述压块固定元件为固定板,该固定板的中心固定在所述柱状压块的中心。4.根据权利要求1或2或3所述的施压装置,其特征在于:每一压块上分别设置盲孔,该盲孔中可安装螺钉。5.根据权利要求1或2或3所述的施压装置,其特征在于:所述N个压块上设置有搬运吊环。6.一种晶圆抛光压力控制装置,其特征在于:包括抛光轴部件、工件轴部件、夹具和权利要求1~5任一项所述的施压装置,其中,所述抛光轴部件旋转可抛光所述待加工晶圆,所述工件轴部件通过联轴器与所述夹具连接,所述施压装置夹持在所述夹具中,所述工件轴部件通过所述联轴器和夹具携带所述施压装置旋转。7.根据权利要求6所述的压力控制装置,其特征在于:所述夹具包括夹具体、调整板、连接板和夹块,所述夹具体的中心与所述联轴器的一端连接;所述调整板安装在所述夹具体上;所述连接板的上端安装在所述调整板上,下端连接所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:班新星,邱慧,段天旭,李运鹤,田壮智,栗正新,
申请(专利权)人:河南工业大学,
类型:发明
国别省市:
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