含碘的酸可裂解化合物、由其衍生的聚合物和光致抗蚀剂组合物制造技术

公开了一种包含芳香族基团或杂芳香族基团的化合物，其中该芳香族基团或该杂芳香族基团包括包含烯键式不饱和双键的第一取代基、为碘原子的第二取代基和包含酸不稳定基团的第三取代基，其中该第一取代基、该第二取代基和该第三取代基各自键合到芳香族基团或杂芳香族基团的不同碳原子上。族基团的不同碳原子上。

【技术实现步骤摘要】
含碘的酸可裂解化合物、由其衍生的聚合物和光致抗蚀剂组合物


[0001]本专利技术涉及含碘的酸可裂解化合物、衍生自这些化合物的聚合物、包含这些聚合物的光致抗蚀剂组合物以及使用这些光致抗蚀剂组合物的图案形成方法。本专利技术在半导体制造工业中在光刻应用中找到了特定可用性。

技术介绍

[0002]光致抗蚀剂组合物是用于将图像转移到布置在基底上的一个或多个下层(如金属、半导体或介电层)上的光敏感材料。正性化学增强的光致抗蚀剂组合物通常用于高分辨率处理。此类抗蚀剂组合物典型地包括具有酸不稳定基团的聚合物和光酸产生剂(PAG)。使光致抗蚀剂组合物的层以图案方式暴露于活化辐射并且PAG在暴露的区域内产生酸。曝光后烘烤期间，该酸使聚合物的酸不稳定基团裂解。这在显影剂溶液中光致抗蚀剂层的暴露区域与未暴露区域之间产生了溶解度特性的差异。在正性显影(PTD)过程中，光致抗蚀剂层的暴露区域变得可溶于显影剂(典型地水性的碱显影剂)中并且从基底表面除去。不溶于显影剂的未暴露区域在显影后保留以形成正浮雕图像。所得浮雕图像允许基底的选择性处理。
[0003]为了增加半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化合物，其包含：芳香族基团或杂芳香族基团，其中所述芳香族基团或所述杂芳香族基团包括：包含烯键式不饱和双键的第一取代基、为碘原子的第二取代基和包含酸不稳定基团的第三取代基，其中所述第一取代基、所述第二取代基和所述第三取代基各自键合到芳香族基团或杂芳香族基团的不同碳原子上。2.如权利要求1所述的化合物，其中，所述第一取代基不包含酸不稳定基团。3.如权利要求1或2所述的化合物，其中，所述化合物具有式(1)：其中，在式(1)中，X是包含所述烯键式不饱和双键的可聚合的基团；L1和L2各自独立地是单键或二价连接基团；Ar1是C6‑
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芳基或C3‑
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杂芳基，各自任选地进一步被以下中的一个或多个取代：取代或未取代的C1‑
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烷基、取代或未取代的C1‑
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杂烷基、取代或未取代的C3‑
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环烷基、取代或未取代的C1‑
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杂环烷基、取代或未取代的C2‑
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烯基、取代或未取代的C2‑
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炔基、取代或未取代的C6‑
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芳基、取代或未取代的C7‑
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芳基烷基、取代或未取代的C7‑
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烷基芳基、取代或未取代的C3‑
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杂芳基、取代或未取代的C4‑
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烷基杂芳基、或取代或未取代的C4‑
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杂芳基烷基；R1包括酸不稳定基团；并且n是大于或等于1的整数；m是大于或等于1的整数；前提是n+m是10或更小的整数；并且k是1至5的整数。4.如权利要求3所述的化合物，其中，R1是由式(2)或(3)之一表示：其中，在式(2)和(3)中，R2至R4各自独立地是氢、取代或未取代的C1‑
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烷基、取代或未取代的C3‑
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环烷基、取代或未取代的C3‑
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杂环烷基、取代或未取代的C2‑
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烯基、取代或未取代的C3‑
20
环烯基、取代或未取代的C3‑
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杂环烯基、取代或未取代的C6‑
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芳基、或取代或未取代的C2‑
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杂芳基，其中R2至R4中的每个任选地进一步包括作为其结构的一部分的二价连接基团；
其前提是选自R2至R4的不超过一个是氢，并且其前提是如果R2至R4中一个是氢时，则R2至R4中的其他至少一个是取代或未取代的C6‑
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芳基或取代或未取代的C3‑
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杂芳基；R2至R4中的任何两个一起任选地经由单键或二价连接基团形成环，其中所述环是取代或未取代的；R5和R6各自独立地是氢、取代或未取代的C1‑
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烷基、取代或未取代的C3‑
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环烷基、取代或未取代的C3‑
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杂环烷基、取代或未取代的C6‑
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芳基、或取代或未取代的C2‑
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杂芳基，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：E，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料有限责任公司，
类型：发明
国别省市：