芯片上的光相干接收器制造技术

本文描述的实施例可涉及与相干光接收器相关的设备、过程和技术，包括具有集成全硅波导光电检测器和在CMOS技术内实现的可调谐本地振荡器的相干接收器。实施例还涉及具有用于控制波长的集成温度传感器的可调谐硅混合激光器。实施例还涉及光混合和嵌套I/Q调制器的后处理相位校正。实施例还涉及基于多个微环的解复用光电检测器。在实施例中，所有部件都可以在硅衬底上实现。可描述和/或要求保护其他实施例。实施例。实施例。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】芯片上的光相干接收器
[0001]优先权要求
[0002]本申请要求于2020年12月23日提交的题为“芯片上的光相干接收器(OPTICAL COHERENT RECEIVER ON A CHIP)”的美国申请第17/133,360号的优先权，该美国申请要求于2020年6月19日提交的题为“具有片上激光器、光放大器和改进的调制器和检测器的集成光收发器(INTEGRATED OPTICAL TRANSCEIVER WITH ON
‑
CHIP LASER,OPTICAL AMPLIFIER,AND IMPROVED MODULATOR AND DETECTOR)”的美国临时申请第63/041,478号的优先权。


[0003]本公开的实施例总体上涉及光子器件领域，并且具体地涉及相干光接收器。

技术介绍

[0004]通过集成基于光子的器件(诸如光接收器)，虚拟机和云计算的持续增长将持续增加对计算设备的增加的性能和减小的尺寸的需求。
附图说明
[0005]图1是根据各实施例的具有集成全硅光学桥接器(opt本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种芯片上的光相干接收器，包括：光放大器，用于接收光信号并且用于基于所接收的光信号来生成经放大的信号；本地振荡器(LO)，用于生成LO光信号；光学90
°
桥接器，与所述光放大器和所述LO光学地耦合，以接收所述经放大的信号和所述LO光信号并输出经调谐的光信号；以及光电检测器(PD)，与所述光学桥接器光学地耦合以检测所述经调谐的光信号上的数据。2.如权利要求1所述的光相干接收器，其中，所述光相干接收器处于集成硅光子芯片上。3.如权利要求1所述的光相干接收器，进一步包括互连，所述互连用于与所述光电检测器电气地耦合以接收检测到的数据。4.如权利要求1
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3中任一项所述的光相干接收器，其中，所述LO生成器的输出是可调谐的。5.如权利要求1
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3中任一项所述的光相干接收器，其中，所述光电检测器为硅波导光电检测器。6.如权利要求1
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3中任一项所述的光相干接收器，其中，所述光放大器为基于硅的光放大器。7.如权利要求1
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3中任一项所述的光相干接收器，其中，所述PD为硅PD。8.如权利要求7所述的光相干接收器，其中，所述硅PD以64吉比特/秒(Gb/s)操作。9.一种集成硅光子芯片上的光相干接收器方法，包括：将光束接收到硅衬底上的光放大器中，以生成经放大的光束；从耦合到所述硅衬底的本地振荡器(LO)生成LO光信号；通过耦合到所述硅衬底的光学90
°
桥接器接收经放大的光束和所述LO光信号，所述光学90
°
桥接器用于输出经调谐的光信号；以及由耦合到所述硅衬底的光电检测器(PD)接收所述经调谐的光信号以检测所述经调谐的光信号上的数据。10.如权利要求9所述的方法，进一步包括由与所述PD耦合的互连接收检测到的数据。11.如权利要求10所述的方法，其中，所述互连是以下中所选择的一项：互连桥、嵌入式多管芯互连桥(EMIB)、硅中介层、开放式空腔桥、衬底上有机布线、或衬底上的再分布层(RDL)。12.如权利要求11所述的方法，其中，所述互连形成高密度电耦合。13.如权利要求9
‑
12中任一项所述的方法，其中，所述光学90
°
桥接器是硅桥接器。14.如权利要求9
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12中任一项所述的方法，其中，所述光电检测器是硅波导光电检测器。15.如权利要求9
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【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：