一种性能稳定的非晶纳米晶磁芯的制备方法技术

本发明专利技术提供一种性能稳定的非晶纳米晶磁芯的制备方法，涉及磁芯制备技术领域，包括：将非晶纳米晶带材卷绕成磁芯；将磁芯置于热处理炉中进行热处理后冷却至室温，得到热处理后磁芯；将热处理后磁芯进行预热；将预热后的磁芯浸置于预先制备且保温的胶漆中进行真空含浸后烘烤固化，得到性能稳定的非晶纳米晶磁芯；制备胶漆的方式包括：将树脂、酯类化合物和有机溶剂混合配制胶漆，随后将胶漆进行保温。有益效果是制备得到的磁芯具有优异的高频性能，其磁芯电感衰减小，衰减率低于5％，使得采用该性能稳定的非晶纳米晶磁芯制备的电感具有优异的抗直流偏置能力，扩大了磁芯的应用范围，保证了磁芯在工作中的稳定性，利于磁性器件的设计及其功能实现。设计及其功能实现。设计及其功能实现。

【技术实现步骤摘要】
一种性能稳定的非晶纳米晶磁芯的制备方法


[0001]本专利技术涉及磁芯制备
，尤其涉及一种性能稳定的非晶纳米晶磁芯的制备方法。

技术介绍

[0002]随着电子设备的日益普及且向着高频小型轻量化以及集成化方向发展，作为电子信息产业的重要支撑部件，磁芯的应用领域逐渐扩大。而各种新兴领域的扩充，对于磁芯等磁性元件提出了更高的性能要求。电子设备的作用性能与其内部所用的磁芯等元器件密切相关，为了实现电力电子器件的高效化和小型化，对软磁材料提出了更多更高的要求。当前，电力电子器件在电子电路中不可避免的存在因漏电流和电容耦合引起的直流分量，因此，需要设计电路中的EMI共模电感具有一定的抗饱和能力和抗DC
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bias(抗直流偏置)特性，这也对磁芯性能提出了更高的要求。
[0003]现有的纳米晶磁芯虽具有良好的高磁导率和低损耗，但抗饱和能力和抗直流偏流特性不足，在具有直流分量的电路中将快速饱和，易造成EMI滤波效果差，阻碍了磁芯的发展应用；此外，采用传统磁芯制备方法制备的磁芯即使能够满足磁性性能，但是，一旦绕线和装盒成共模电感后，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种性能稳定的非晶纳米晶磁芯的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1，卷绕：将非晶纳米晶带材卷绕成磁芯；步骤S2，热处理：将所述磁芯置于热处理炉中进行热处理后冷却至室温，得到热处理后磁芯；步骤S3，预处理：将所述热处理后磁芯进行预热；步骤S4，浸漆固化：将预热后的所述磁芯浸于预先制备且保温的胶漆中进行真空含浸后烘烤固化，得到性能稳定的非晶纳米晶磁芯；制备所述胶漆的方式包括：将树脂、酯类化合物和有机溶剂混合配置胶漆，随后将所述胶漆进行保温。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2包括：步骤S21，将所述磁芯置于所述热处理炉中，并将所述热处理炉的热处理温度在第一升温时间内由室温升温至第一升温温度，随后保温第一保温时间；步骤S22，将所述热处理温度在第二升温时间内由所述第一升温温度升温至第二升温温度，随后保温第二保温时间；步骤S23，将所述热处理温度在第三升温时间内由所述第二升温温度升温在第三升温温度，随后保温第三保温时间；步骤S24，将所述热处理温度在第一降温时间内由所述第三升温温度降温至第一降温温度，随后保温第四保温时间，并在所述第四保温时间内施加横向磁场；步骤S25，将所述热处理温度由所述第一降温温度降温至第二降温温度，随后出炉自冷却至室温。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一升温时间为50min
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120min，所述第一升温温度为300℃
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370℃，所述第一保温时间为20min
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60min；所述第二升温时间为30min
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80min，所述第二升温温度为370℃
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490℃，所述第二保温时间为60min
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120min；所述第三升温时间为60min
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100min，所述第三升温温度为520℃
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【专利技术属性】
技术研发人员：郭海，鲍绪东，霍利山，马丽，
申请(专利权)人：宁波中科毕普拉斯新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：