一种降低大功率充电器PFC损耗的电路制造技术

本发明专利技术公开的属于充电器技术领域，具体为一种降低大功率充电器PFC损耗的电路，包括：PFC电感前VDC，所述PFC电感前VDC的一端电性连接电阻R49，电阻R50、电阻R51和电阻R61，三极管Q20，所述三极管Q20电性连接在电阻R51和电阻R61之间，电容EC1的BulK电压Vo_PFC，所述电容EC1的BulK电压Vo_PFC的一端电性连接电阻R1、电阻R4和电阻R5，两组FB_PFC，一组所述FB_PFC的一端电性连接电阻R42，另一组所述FB_PFC的一端电性连接电阻R59、三极管Q20和电阻R63，本发明专利技术针对多口大功率充电器，根据不同的工作模式，智能切换PFC电路，降低PFC电路的功率损耗，提高了PFC主电路的转换效率，解决了多口同时充电时转换效率低，发热量大的问题，进一步节约电能。约电能。约电能。

【技术实现步骤摘要】
一种降低大功率充电器PFC损耗的电路


[0001]本专利技术涉及充电器
，具体为一种降低大功率充电器PFC损耗的电路。

技术介绍

[0002]近年来，随着消费类电子产品的迅猛发展，手机、笔记本以及IPAD等需要充电的设备日益增多，且对充电功率的需求也越来越大，当多个设备需要同时充电时，大功率充电器需要增加PFC升压电路，来满足多个设备的同时充电需求，如此一来，电路会造成功率损耗，这会直接导致产品发热量增大或者需加大外形尺寸等问题。因此，专利技术一种降低大功率充电器PFC损耗的电路。

技术实现思路

[0003]鉴于上述和/或现有一种降低大功率充电器PFC损耗的电路中存在的问题，提出了本专利技术。
[0004]因此，本专利技术的目的是提供一种降低大功率充电器PFC损耗的电路，能够解决上述提出现有的问题。
[0005]为解决上述技术问题，根据本专利技术的一个方面，本专利技术提供了如下技术方案：
[0006]一种降低大功率充电器PFC损耗的电路，其包括：
[0007]PFC电感前VDC，所述PFC电感前VDC的一端电性连接电阻R49，电阻R50、电阻R51和电阻R61；
[0008]三极管Q20，所述三极管Q20电性连接在电阻R51和电阻R61之间；
[0009]电容EC1的BulK电压Vo_PFC，所述电容EC1的BulK电压Vo_PFC的一端电性连接电阻R1、电阻R4和电阻R5；
[0010]两组FB_PFC，一组所述FB_PFC的一端电性连接电阻R42，另一组所述FB_PFC的一端电性连接电阻R59、三极管Q20和电阻R63；
[0011]U7 MCU，所述U7 MCU的一端电性连接MCU信号脚W/P，所述MCU信号脚W/P的一端通过光耦Uo2A连接Uo2B；
[0012]I2C协议电路，所述U7 MCU的一端电性连接I2C协议电路；
[0013]变压器辅助绕组输出电压节点VCC_AUX；
[0014]两组PFC开关MOS驱动电压节点VCC_PFC，一组所述PFC开关MOS驱动电压节点VCC_PFC与所述变压器辅助绕组输出电压节点VCC_AUX通过三极管Q17相连接，另一组所述PFC开关MOS驱动电压节点VCC_PFC的一端电性连接三极管Q1。
[0015]作为本专利技术所述的一种降低大功率充电器PFC损耗的电路的一种优选方案，其中：所述PFC电感前VDC与电阻R49、电阻R50、电阻R51和电阻R61为串联连接。
[0016]作为本专利技术所述的一种降低大功率充电器PFC损耗的电路的一种优选方案，其中：所述电容EC1的BulK电压Vo_PFC与电阻R1、电阻R4和电阻R5为串联连接。
[0017]作为本专利技术所述的一种降低大功率充电器PFC损耗的电路的一种优选方案，其中：
所述FB_PFC与电阻R59、三极管Q20和电阻R63为串联连接，所述电阻R61的一端与所述电阻R63的一端电性连接。
[0018]作为本专利技术所述的一种降低大功率充电器PFC损耗的电路的一种优选方案，其中：当输入电压小于150Vac时，即在所述PFC电感前VDC的直流电压小于时，通过电阻R49，电阻R50、电阻R51和电阻R61的四个电阻分压电路计算可知，三极管Q20MOS的驱动电压Gate小于其导通值1V，三极管Q20处于关闭状态，此时电容EC1的BulK电压Vo_PFC通过电阻R1、电阻R4、电阻R5和电阻R42的分压关系计算可得Vo_PFC＝260Vdc，小于常规的PFC 390Vdc BulK电压。
[0019]作为本专利技术所述的一种降低大功率充电器PFC损耗的电路的一种优选方案，其中：当输入电压大于150Vac时，即在所述PFC电感前VDC的直流电压大于时，此时Gate电压超出三极管Q20导通值1V，三极管Q20导通，此时将电阻R59和电阻R63的之和并联到FB_PFC下分压电阻R42，使得下分压电阻变小，在上分压电阻R1、电阻R4和电阻R5阻值不变的情况下，电容EC1的BulK电压Vo_PFC会随之调整到390Vdc。
[0020]作为本专利技术所述的一种降低大功率充电器PFC损耗的电路的一种优选方案，其中：在所述U7 MCU通过I2C协议电路检测到各个口输出总功率大于30W时，MCU信号脚W/P输出高电平，W/P高电平信号通过光耦Uo2A将信号传输到Uo2B，随之三极管Q17打开，它将变压器辅助绕组输出电压节点VCC_AUX与PFC开关MOS驱动电压节点VCC_PFC连接，此时PFC、MOS、Q1开启，PFC电路打开；
[0021]在所述U7 MCU通过I2C协议电路检测到各个口输出总功率为空载或者小于30W轻载时，关闭MCU信号脚W/P信号，从而关断PFC、MO、Q1，此时会切断整个PFC电路。
[0022]与现有技术相比：
[0023]本专利技术针对多口大功率充电器，根据不同的工作模式，智能切换PFC电路，降低PFC电路的功率损耗，提高了PFC主电路的转换效率，解决了多口同时充电时转换效率低，发热量大的问题，进一步节约电能。
附图说明
[0024]图1为本专利技术电路结构一示意图；
[0025]图2为本专利技术电路结构二示意图。
[0026]图中：PFC电感前VDC1、电容EC1的BulK电压Vo_PFC2、PFC开关MOS驱动电压节点VCC_PFC3、FB_PFC4、变压器辅助绕组输出电压节点VCC_AUX5、MCU信号脚W/P6、I2C协议电路7。
具体实施方式
[0027]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术的实施方式作进一步地详细描述。
[0028]本专利技术提供一种降低大功率充电器PFC损耗的电路，请参阅图1
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图2，包括：PFC电感前VDC1、三极管Q20、电容EC1的BulK电压Vo_PFC2、两组FB_PFC4、U7 MCU、I2C协议电路7、变压器辅助绕组输出电压节点VCC_AUX5、两组PFC开关MOS驱动电压节点VCC_PFC3；
[0029]PFC电感前VDC1的一端电性连接电阻R49，电阻R50、电阻R51和电阻R61，三极管Q20电性连接在电阻R51和电阻R61之间，电容EC1的BulK电压Vo_PFC2的一端电性连接电阻R1、电阻R4和电阻R5，一组FB_PFC4的一端电性连接电阻R42，另一组FB_PFC4的一端电性连接电阻R59、三极管Q20和电阻R63，U7 MCU的一端电性连接MCU信号脚W/P6，MCU信号脚W/P6的一端通过光耦Uo2A连接Uo2B，U7 MCU的一端电性连接I2C协议电路7，一组PFC开关MOS驱动电压节点VCC_PFC3与变压器辅助绕组输出电压节点VCC_AUX5通过三极管Q17相连接，另一组PFC开关MOS驱动电压节点VCC_PFC3的一端电性连接三极管Q1。
[0030]PFC电感前VDC1与电阻R49、电阻R50、电阻R51和电阻R61为串联连接，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低大功率充电器PFC损耗的电路，其特征在于，包括：PFC电感前VDC(1)，所述PFC电感前VDC(1)的一端电性连接电阻R49，电阻R50、电阻R51和电阻R61；三极管Q20，所述三极管Q20电性连接在电阻R51和电阻R61之间；电容EC1的BulK电压Vo_PFC(2)，所述电容EC1的BulK电压Vo_PFC(2)的一端电性连接电阻R1、电阻R4和电阻R5；两组FB_PFC(4)，一组所述FB_PFC(4)的一端电性连接电阻R42，另一组所述FB_PFC(4)的一端电性连接电阻R59、三极管Q20和电阻R63；U7 MCU，所述U7 MCU的一端电性连接MCU信号脚W/P(6)，所述MCU信号脚W/P(6)的一端通过光耦Uo2A连接Uo2B；I2C协议电路(7)，所述U7 MCU的一端电性连接I2C协议电路(7)；变压器辅助绕组输出电压节点VCC_AUX(5)；两组PFC开关MOS驱动电压节点VCC_PFC(3)，一组所述PFC开关MOS驱动电压节点VCC_PFC(3)与所述变压器辅助绕组输出电压节点VCC_AUX(5)通过三极管Q17相连接，另一组所述PFC开关MOS驱动电压节点VCC_PFC(3)的一端电性连接三极管Q1。2.根据权利要求1所述的一种降低大功率充电器PFC损耗的电路，其特征在于，所述PFC电感前VDC(1)与电阻R49、电阻R50、电阻R51和电阻R61为串联连接。3.根据权利要求1所述的一种降低大功率充电器PFC损耗的电路，其特征在于，所述电容EC1的BulK电压Vo_PFC(2)与电阻R1、电阻R4和电阻R5为串联连接。4.根据权利要求1所述的一种降低大功率充电器PFC损耗的电路，其特征在于，所述FB_PFC(4)与电阻R59、三极管Q20和电阻R63为串联连接，所述电阻R61的一端与所述电阻R6...

【专利技术属性】
技术研发人员：何华兵，詹海峰，赵智星，谢峰，胡宪权，欧炜昌，冷昭君，万威，肖倩，吴巧，
申请(专利权)人：湖南炬神电子有限公司，
类型：发明
国别省市：