一种掺杂型碳酸钴及其制备方法和应用技术

技术编号:37128193 阅读:29 留言:0更新日期:2023-04-06 21:26
本发明专利技术公开了一种掺杂型碳酸钴及其制备方法和应用。所述掺杂型碳酸钴为钇和磷酸根双离子掺杂的碳酸钴。本发明专利技术通过掺杂元素钇(Y)和磷酸根对碳酸钴进行共掺杂,钇具有较大的离子半径,可以扩大锂离子传输通道,同时很好地稳定材料的结构。钇离子配合磷酸根的掺杂可以提高材料的热稳定性和离子传输速率。提高材料的热稳定性和离子传输速率。

【技术实现步骤摘要】
一种掺杂型碳酸钴及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及新能源
,涉及一种掺杂型碳酸钴及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]钴酸锂正极材料广泛应用于3C数码电子领域,常规电压窗口的比容量仅为140mAh/g左右,远低于其理论比容量,提高电压上限可有效增加容量,但会带来结构不稳定,容易坍塌,循环性能变差等问题。
[0003]为了提高其比容量,常见的方法是通过掺杂Al来稳定材料结构,常见的掺杂方式是在制备前驱体氧化钴时进行掺杂,从而提高充电上限电压来增加容量。但随着掺Al量的增加逐渐出现Al偏析,容量下降等情况,得不偿失。
[0004]CN109786738A公开了一种高电压钴酸锂正极材料及其制备方法和锂离子电池,包括锂位取代掺杂的钴酸锂,所述锂位取代掺杂的钴酸锂的通式为Li1‑
x
Ma
x
CoO2;其中,0<x≤0.05,所述Ma为掺杂元素,Ma选自离子半径范围在68pm~90pm,且离子价态≥1的元素中的一种或多种。该高电压钴酸锂正极材料通过对钴酸锂的锂位进行取代掺杂,从而缓本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掺杂型碳酸钴,其特征在于,所述掺杂型碳酸钴为钇和磷酸根双离子掺杂的碳酸钴。2.根据权利要求1所述的掺杂型碳酸钴,其特征在于,以所述掺杂型碳酸钴的总质量为基准,钇元素的掺杂量为0.2

1%;优选地,以所述掺杂型碳酸钴的总质量为基准,磷酸根的掺杂量为0.2

1%。3.一种如权利要求1或2所述的掺杂型碳酸钴的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:(1)分别配制金属溶液溶液、沉淀剂溶液和底液;所述金属溶液为钴钇混合溶液,或所述金属溶液为独立存在的钴溶液和钇溶液;所述沉淀剂包括第一沉淀剂和第二沉淀剂,所述第一沉淀剂包括碳酸盐和/或碳酸氢盐,所述第二沉淀剂包括磷酸盐;(2)将金属溶液和沉淀剂溶液加入到底液中进行共沉淀反应,得到所述的掺杂型碳酸钴。4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述钴钇混合溶液的制备方法包括:将钴源和钇源分散到水中,得到所述的钴钇混合溶液;优选地,所述钴溶液的制备方法包括:将钴源分散到水中,得到所述的钴溶液;优选地,所述钇溶液的制备方法包括:将钇源分散到水中,得到所述的钇溶液;优选地,所述钴钇混合溶液和所述钴溶液中的钴源独立地包括CoCl2、CoSO4和Co(NO3)2中的至少一种;优选地,所述钴钇混合溶液和所述钇溶液中的钇源独立地包括YCl3;优选地,以所述金属溶液的总量为基准,钴源中的钴元素的浓度为90

130g/L;优选地,以所述金属溶液的总量为基准,钇源中的钇元素的浓度为0.1

...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘文泽于杨许开华张坤段小波赵亚强陈颖
申请(专利权)人:荆门市格林美新材料有限公司
类型:发明
国别省市:

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