一种无源高功率因素电路制造技术

本发明专利技术涉及一种无源高功率因素电路，采用了Ⅱ类瓷介固定电容器代替了传统电路内的普通电容；该电容不管温度上升，还是下降，电容容量都下降，在常温下容值最大；电路开机时电容容量很大，所以可抑制反馈能量，从而解决电压过冲的现象；当电容环境温度慢慢升高和有电流流过时，电容容量会慢慢下降到标称值的６０％－８０％，这样一来反馈能量会加强，从而使功率因素慢慢提高，最后稳定。本发明专利技术利用了Ⅱ类瓷介固定电容器的温度特性改善了高频泵式ＰＰＦＣ电路直流电压冲击过高和提高功率因素。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子镇流器的相关
，具体地说是电子镇流器中的一种无源高功率因 素电路。
技术介绍
随着世界能源紧缺，电子镇流器得广泛应用，也正因如此，市场有着很多劣质产品冲刺 着市场。当然随着中国强制认证的规范， 一些劣质产品将逐步被市场淘汰，所以将来主流市 场有以下几类产品，普通型低功率因素的(〈25W， 3C允许)，经济型无源高功率因素(PPFC)， 高端型有源功率因素(APFC)。其中普通型和高端型的电路都比较单一，唯独经济的电路有多 种形式(如逐流电路，双向自供辅助电源式PPFC,高频泵式PPFC电路)等。在这种几种电路 中都各存在自己的缺点。1. 逐流电路此电路可以很容易将功率因素做到>0.85，但灯电流波峰比很难做到<1.7. —般 在2.0以上。(国标GB15144中规定功率因素做到〉0.85，灯电流波峰比〈1.7)。电路稳定 简单，直流电压无冲击。2. 双向自供辅助电源式PPFC:此电路也很容易将功率因素做到〉0.85，灯电流波峰比很难做 到〈1.7， 一般在1.7-1.9之间。电路稳定，成本比另外两种电路都高，直流电压无冲击。3. 高频泵式PPFC电路此电路是三种电路中最为经济的电路，功率因素同样容易做到〉0.85, 灯电流波峰比也〈1.7。所以现行市场上，较多产品都在用此电路。但是此电路也有它的弱 点。就是带载能力差，也就是说此电路在不同的负载下直流电会出现不同程度的冲击。以 至于电路调试困难。如果没调好还可能导致产品损坏率高。本专利技术针对高频泵式PPFC电路的问题进行了改进，可以基本解决该电路的弱点。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供了一种无源高功率因素电路，解决了以往传统的高频泵式PPFC电路 带载能力差，在不同的负载下直流电会出现不同程度的冲击，以至于电路调试困难甚至导致 产品损坏率高的问题。为实现上述目的，本专利技术采用了以下技术方案本专利技术公开了一种无源高功率因素电路，包括依次串接于电源输入两端之间的电感Ll、电容C1以及电容C2，电容C1和电容C2的节点与负载的反馈信号相连，电容C1和电容C2的 两端依次串有二极管D5、 二极管D6以及二极管D7，其中二极管D5负极与二极管D6负极相 连接，二极管D6正极与二极管D7负极相连接，并同时与电容C1和电容C2的节点相连接， 二极管D6和二极管D7的两端接有电解电容C3，电解电容C3的正极与二极管D6负极相连接， 其特征在于所述的电容Cl和电容C2为II类瓷介固定电容器。作为一种优选方案，所述的电容C1的两端接有电容C1A,电容C2的两端接有电容C2A， 电容C1A以及电容C2A为n类瓷介固定电容器。本专利技术还公开了一种无源高功率因素电路，包括依次串接于电源输入两端之间的二极管 D6、电容C1以及二极管D7，其中二极管D6负极以及二极管D7负极与电容C1相连接，二极 管D6负极以及二极管D7负极之间串接有二极管D5和电容C2,其中二极管D5正极与二极管 D6负极相连接，二极管D5负极与二极管D7正极之间连接有电解电容C3，电解电容C3的正 极与二极管D5负极相连接，电容C1和电容C2的节点与负载的反馈信号相连，其特征在于 所述的电容Cl和电容C2为II类瓷介固定电容器。本专利技术的优点在于利用n类瓷介固定电容器的温度特性来改善直流电压冲击过高和提 高功率因素，电路的功率因素以及灯电流波峰比等参数理想，而且带载能力强，产品损坏率 低。附图说明图1是本专利技术的实施例1的电路示意图。图2是本专利技术的实施例2的电路示意图。 图3是本专利技术的实施例3的电路示意图。具体实施例方式以下结合附图及实施例对本专利技术作进一步描述。 实施例1一种无源高功率因素电路，如图1所示，包括依次串接于电源输入两端之间的电感L1、 电容C1以及电容C2，电容C1和电容C2的节点与负载的反馈信号相连，电容C1和电容C2的 两端依次串有二极管D5、 二极管D6以及二极管D7,其中二极管D5负极与二极管D6负极相 连接，二极管D6正极与二极管D7负极相连接，并同时与电容Cl和电容C2的节点相连接， 二极管D6和二极管D7的两端接有电解电容C3，电解电容C3的正极与二极管D6负极相连接，其特征在于所述的电容Cl和电容C2为II类瓷介固定电容器。n类瓷介固定电容器不管温度上升，还是下降，电容容量都下降。只有在常温情况下，电容容值是最大，最大大于标称值的30%下降的最小值大于标称值的80%。交流高频信号从输出端的Lampl反馈到Cl、 C2的中点，交流信号一部份通过D5、 D6整流后给C3充电， 一部份信号通过Ll反回到输入端，使得输入电流持续时间加长，死区时间变短，从而大大提高了功率因素，减小了电流的谐波失真。电路开机时Cl、 C2电容容量很大,所以可抑制反馈能量，从而解决C3上的Vdc过冲的现象；当Cl、 C2电容环境温度慢慢升高和有电流流过时，电容容量会慢慢下降到标称值的60%-801这样一来反馈能量会加强，从而使功率因素慢慢提高，最后稳定。实施例2一种无源高功率因素电路，如图2所示，与实施例l电路基本一致，区别在于电容C1的 两端接有电容C1A,电容C2的两端接有电容C2A，电容C1A以及电容C2A为II类瓷介固定电 容器。更好的利用II类瓷介固定电容器的温度特性，改变反馈电路，达到直流电压冲击过高 和提高功率因素的目的。实施例3一种无源高功率因素电路，如图3所示，与实施例1在于电容C1、 C2的连接方法不同， 包括依次串接于电源输入两端之间的二极管D6、电容C1以及二极管D7，其中二极管D6负极 以及二极管D7负极与电容Cl相连接，二极管D6负极以及二极管D7负极之间串接有二极管 D5和电容C2，其中二极管D5正极与二极管D6负极相连接，二极管D5负极与二极管D7正极 之间连接有电解电容C3，电解电容C3的正极与二极管D5负极相连接，电容C1和电容C2的 节点与负载的反馈信号相连，其特征在于所述的电容C1和电容C2为II类瓷介固定电容器。交流高频信号从输出端的Lampl反馈到Cl、 C2的中点，交流信号的正半周通过D6整流后 给C3充电，交流信号只有负半周通过D5、 Ll反回到输入端，使得输入电流持续时间加长， 死区时间变短，从而大大提高了功率因素，减小了电流的谐波失真。权利要求1、一种无源高功率因素电路，包括依次串接于电源输入两端之间的电感L1、电容C1以及电容C2，电容C1和电容C2的节点与负载的反馈信号相连，电容C1和电容C2的两端依次串有二极管D5、二极管D6以及二极管D7，其中二极管D5负极与二极管D6负极相连接，二极管D6正极与二极管D7负极相连接，并同时与电容C1和电容C2的节点相连接，二极管D6和二极管D7的两端接有电解电容C3，电解电容C3的正极与二极管D6负极相连接，其特征在于所述的电容C1和电容C2为II类瓷介固定电容器。2、 根据权利要求1所述的一种无源高功率因素电路，其特征在于所述的电容C1的两 端接有电容C1A，电容C2的两端接有电容C2A，电容C1A以及电容C2A为II类瓷介固定电容器o3、 一种无源高功率因素电路，包括依次串接于电源输入两端之间的二极管D6、电容Cl 以及二极管D7，其中二极管D6负极以及二极管D7负极与电容C本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无源高功率因素电路，包括依次串接于电源输入两端之间的电感Ｌ１、电容Ｃ１以及电容Ｃ２，电容Ｃ１和电容Ｃ２的节点与负载的反馈信号相连，电容Ｃ１和电容Ｃ２的两端依次串有二极管Ｄ５、二极管Ｄ６以及二极管Ｄ７，其中二极管Ｄ５负极与二极管Ｄ６负极相连接，二极管Ｄ６正极与二极管Ｄ７负极相连接，并同时与电容Ｃ１和电容Ｃ２的节点相连接，二极管Ｄ６和二极管Ｄ７的两端接有电解电容Ｃ３，电解电容Ｃ３的正极与二极管Ｄ６负极相连接，其特征在于：所述的电容Ｃ１和电容Ｃ２为Ⅱ类瓷介固定电容器。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐小良，
申请(专利权)人：上海亚明灯泡厂有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]