一种新型真空灭弧室触头结构制造技术

本发明专利技术提供的一种真空灭弧室触头结构，包括静导电杆、静触头片、动触头片和动导电杆，其中，所述静导电杆的一端与静触头片的背面连接；所述动导电杆的一端与动触头片的背面连接，且静触头片的正面和动触头片的正面相对布置；所述静触头片和动触头片均包括触头本体，每个所述触头本体上均设有开槽结构，所述静触头片上的开槽结构和动触头片上的开槽结构径向布置；所述开槽结构包括多个呈中心对称的指向槽；每个指向槽的内端部连接有辅助槽，所述辅助槽布置在触头本体的背面；本发明专利技术能保证触头的机械强度，并且能够避免因触头面烧蚀而填充槽隙导致原有触头结构的电流路径发生改变。充槽隙导致原有触头结构的电流路径发生改变。充槽隙导致原有触头结构的电流路径发生改变。

【技术实现步骤摘要】
一种新型真空灭弧室触头结构


[0001]本专利技术属于电力装备领域，涉及真空断路器中的真空灭弧室，尤其是一种真空灭弧室触头结构。

技术介绍

[0002]真空灭弧室是真空开关的核心器件，其承担着切断和关合电路电流的任务，在很大程度上决定了真空开关的开断性能。真空灭弧室中的触头按照驱动电弧原理不同可以分为纵向磁场触头和横向磁场触头：纵磁触头利用电流在触头间产生的纵向磁场使电弧保持扩散态，减小电弧对触头面的烧蚀；横磁触头在触头间产生的横向磁场能够驱动电弧在触头面上做快速的旋转运动，避免电弧对触头面局部的烧蚀。
[0003]目前，真空开关横磁触头主要有杯状结构和盘状结构，其中盘状主要分为螺旋槽结构、万字型结构和直槽结构。与杯状触头结构相比，盘状触头可以控制起弧点位于电弧运动轨迹之外，避免具有高侵蚀率的起弧点影响电弧的运动轨迹；直槽触头具有结构简单、易于加工、制造成本低等优点，但相较于其他开槽形式的盘状触头结构，其产生的横向磁场较弱，不利于驱动电弧在触头面上运动。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种真空灭弧室触头结构，解决了现有的直槽触头产生的横向磁场较弱，不利于驱动电弧在触头面上的运动。
[0005]为了达到上述目的，本专利技术采用的技术方案是：
[0006]本专利技术提供的一种真空灭弧室触头结构，包括静导电杆、静触头片、动触头片和动导电杆，其中，所述静导电杆的一端与静触头片的背面连接；所述动导电杆的一端与动触头片的背面连接，且静触头片的正面和动触头片的正面相对布置；
[0007]所述静触头片和动触头片均包括触头本体，每个所述触头本体上均设有开槽结构，所述静触头片上的开槽结构和动触头片上的开槽结构径向布置；
[0008]所述开槽结构包括多个呈中心对称的指向槽；
[0009]每个指向槽的内端部连接有辅助槽，所述辅助槽布置在触头本体的背面。
[0010]优选地，所述静导电杆、静触头片、动触头片和动导电杆同轴设置。
[0011]优选地，所述指向槽为直槽，且所述指向槽沿触头本体的轴向贯穿。
[0012]优选地，所述指向槽的内端部为圆角。
[0013]优选地，所述辅助槽的宽度小于指向槽的宽度。
[0014]优选地，所述指向槽的轴线与辅助槽的轴线之间设置有倾角。
[0015]优选地，所述辅助槽的深度小于所述触头本体的厚度。
[0016]优选地，所述触头本体的中心轴线处设有导电杆通孔和中心凹槽，其中，所述导电杆通孔和中心凹槽与所述触头本体同轴设置；所述导电杆通孔和中心凹槽自触头本体的背面至前面依次布置。
[0017]优选地，所述指向槽和辅助槽均设置有3
‑
6个。
[0018]与现有技术相比，本专利技术具有如下的优点：
[0019]本专利技术提供的一种真空灭弧室触头结构，在触头背面设置能够改善电流路径的辅助槽，相较于传统的直槽横磁触头，其能够增大触头间隙的磁场强度，增强弧柱所受的切向磁吹力，从而驱动电弧在触头面上做旋转运动，减小电弧对触头面的局部烧蚀；相较于万字型触头，其能保证触头的机械强度，并且能够避免因触头面烧蚀而填充槽隙导致原有触头结构的电流路径发生改变。
附图说明
[0020]图1为本专利技术真空灭弧室触头的立体图；
[0021]图2为本专利技术触头本体的俯视图；
[0022]图3为本专利技术触头本体的仰视图；
[0023]图4为图3中A
‑
A的剖视图；
[0024]其中，1、静导电杆2、静触头片3、动触头片4、动导电杆5、触头本体6、导电杆通孔7、中心凹槽8、指向槽9、辅助槽10、内置头11、圆角12内倒角13、外倒角。
具体实施方式
[0025]下面结合附图，对本专利技术作进一步详细说明。
[0026]如图1所示，本专利技术提供的一种真空灭弧室触头结构，包括静导电杆1、静触头片2、动触头片3和动导电杆4，其中，静导电杆1、静触头片2、动触头片3和动导电杆4同轴设置；所述静导电杆1的一端与静触头片2的一端连接；所述动导电杆4的一端与动触头片3的一端连接，且静触头片2和动触头片3相对布置。
[0027]静触头片2与动触头片3包括圆盘状的触头本体5，静触头片2与动触头片3的开槽结构呈镜像对称设置。
[0028]如图2所示，触头本体5中心轴线处设有通孔状的导电杆通孔6和中心凹槽7，导电杆通孔6和中心凹槽7与所述触头本体5同轴设置。
[0029]所述触头本体5上设置有若干个呈中心对称的指向槽8，所述指向槽8均为直槽，所述指向槽8为沿触头本体5的轴向贯穿所述触头本体5的通槽。
[0030]所述指向槽8的内置头10为圆角。
[0031]所述触头本体5正端面与侧面连接处为圆角11，这能够减轻棱边造成的局部电场集中现象，避免阴极斑点被尖锐的棱边吸引，从而避免因弧柱所受电磁力不足而导致弧柱难以跨越槽隙。
[0032]如图3所示，所述触头本体5背部端面设有与指向槽8内置头端相连接的辅助槽9，辅助槽9的宽度应小于指向槽8的宽度，因为辅助槽9宽度的减小不会影响其改变电流路径的效果，也无需考虑因电弧烧蚀触头面而出现槽隙填充的现象。
[0033]所述指向槽8和辅助槽9均为3
‑
6个，指向槽8与辅助槽9连接处设有内倒角12和外倒角13，能够避免电场在棱边处集聚。
[0034]所述指向槽8的轴线与辅助槽9的轴线之间设置有倾角。
[0035]所述导电杆通孔6和中心凹槽7与所述触头本体5同轴设置，所述中心凹槽7的一端
与所述触头本体5的正端面平齐，所述导电杆通孔6的一端与所述触头本体5的背部端面平齐，所述导电杆通孔6的另一端与中心凹槽7相贯通，中心凹槽7的半径大于导电杆通孔6的半径，中心凹槽7的深度小于导电杆通孔6的深度，这既能避免电弧在磁场强度较弱的触头中心处起弧，也能够保证触头本体5与静导电杆1、动导电杆4紧密配合。
[0036]所述辅助槽9位于触头本体5的背部端面，辅助操9的开槽深度小于所述触头本体5的厚度，这能够保证触头结构的机械强度。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种真空灭弧室触头结构，其特征在于，包括静导电杆(1)、静触头片(2)、动触头片(3)和动导电杆(4)，其中，所述静导电杆(1)的一端与静触头片(2)的背面连接；所述动导电杆(4)的一端与动触头片(3)的背面连接，且静触头片(2)的正面和动触头片(3)的正面相对布置；所述静触头片(2)和动触头片(3)均包括触头本体(5)，每个所述触头本体(5)上均设有开槽结构，所述静触头片(2)上的开槽结构和动触头片(3)上的开槽结构径向布置；所述开槽结构包括多个呈中心对称的指向槽(8)；每个指向槽的内端部连接有辅助槽(9)，所述辅助槽(9)布置在触头本体(5)的背面。2.根据权利要求1所述的一种真空灭弧室触头结构，其特征在于，所述静导电杆(1)、静触头片(2)、动触头片(3)和动导电杆(4)同轴设置。3.根据权利要求1所述的一种真空灭弧室触头结构，其特征在于，所述指向槽(8)为直槽，且所述指向槽(8)沿触头本体(5)的轴向贯穿。4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：修士新，杨玉，郭美琴，申雁涛，朱德军，刘世琦，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：