本发明专利技术提供一种白光发光装置，包括：发光组件，其具有发光层，该发光层是由氮化物系化合物半导体所组成的，且可发出第一光；以及荧光层，位于该发光组件上，以吸收该发光组件所发出的该第一光的至少一部分，而该荧光层包括：荧光增白剂，吸收该第一光的一部分，并发出第二光；以及光致发光荧光体，包括选自Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ与Ｓｍ所组成的组群中的至少一种元素和选自Ａｌ、Ｇａ与Ｉｎ所组成的组群中的至少一种元素，且由铈致活的石榴石系（ｇａｒｎｅｔ）荧光体，而该光致发光荧光体可吸收该第一光的一部分与该第二光的一部分，并发出第三光。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关一种发光装置，尤其是一种白光发光装置，该白光发光 装置的发光亮度及发光效率可大幅提升。
技术介绍
白光发光二极管(white LED)是所有发光二极管技术中难度最高的一 种。白光发光二极管的制作有两个关键点第一点是必须有高效率的发光 二极管芯片；以及第二点则是必须有可以搭配的高效率荧光粉。全球白光 发光二极管的主要厂商是日亚化学(Nichia),该公司即在会发出波长为 460nm的蓝光的芯片上涂布一层钇铝石榴石(YAG)荧光物质，利用蓝光 发光二极管芯片照射此荧光物质以产生与蓝光互补的波长为555 nm的黄 光，再利用透镜原理，将互补的黄色光、蓝色光加以混合，最后制造出白 色。但由蓝光与钇铝石榴石荧光粉所搭配的发光二极管会发出具有色斑及 月晕等现象的白光。因此，如何提升发光强度，以消弭白光中出现的色斑及 月暈等现象，同时提升发光效率则为本专利技术所要钻研的主要课题。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的是提供一种白光发光装置，该白光发光装置能发出 具有高发光强度与高发光效率的白光，以解决上述已知技术上的课题。为了达到上述目的，本专利技术提供一种白光发光装置，其包括发光组件， 具有发光层，该发光层是由氮化物系化合物半导体所组成的，且可发出波长介 于320至410nm之间的第一光；以及荧光层，位于该发光组件上，以吸收该 发光组件所发出的该第一光的至少一部份，而该荧光层包括荧光增白剂，是 有机化合物，该荧光增白剂吸收该第一光的一部份，并发出波长介于450至 600nm之间的第二光；和光致发光荧光体，包括选自Y、 La、 Gd与Sm所组 成的组群中的至少一种元素和选自Al、Ga与In所组成的组群中的至少一种元 素，且由铈致活的石榴石系(garnet)焚光体，而该光致发光荧光体可吸收该第一光的一部份与该第二光的一部份，并发出波长介于530 nm至590 nm之 间的第三光。本专利技术又提供一种白光发光装置，包括发光组件，该发光组件具有发 光层，该发光层是由氮化物系化合物半导体所组成的，且可发出波长介于320 至410nm之间的第一光；以及封装层，包覆该发光组件，该封装层中包含 有荧光增白剂，是有机化合物，该荧光增白剂可吸收该第一光的一部份，并 发出波长介于450至600 nm之间的第二光；和光致发光焚光体，包括选自Y、 La、 Gd与Sm所组成的组群中的至少一种元素和选自Al、 Ga与In所组成的 组群中的至少一种元素，且由铈致活的石榴石系荧光体，而该光致发光荧光体 可吸收该第一光的一部份与该第二光的一部份，并发出波长介于530 nm至 5卯nm之间的第三光，其中，该第一光、该第二光与该第三光在该封装层 中进行混合后，从该封装层向外发射出白光。本专利技术的优点是本专利技术可使用不易产生热的高效率紫外光光源代替蓝 光光源，而且与已知白光发光装置相比，本专利技术使用荧光增白剂，不但可使 已知使用蓝光光源与YAG荧光粉的白光发光装置的发光亮度大幅提升，并 且可消弭已知白光发光装置中出现的色斑及月暈等现象，同时本专利技术白光发 光装置的发光效率也获得大幅提升。由本专利技术下述的实施方式及所附图，本专利技术的前述及其它目的、特征、 观点及优点将会更加清楚。 附图说明图1是根据本专利技术的实施例的荧光强度对波长(300nm至400nm)的光谱， 其中荧光体-树脂混合物是以实线一表示，而YAG-树脂混合物是以虚线…表示；图2是根据本专利技术的实施例的发光效率对波长(300nm至400nm )的光谱， 其中荧光体-树脂混合物是以实线一表示，而YAG-树脂混合物系以虚线…表示；图3是根据本专利技术的实施例的荧光强度对波长(350nm至395nm)的光谱， 其中荧光体-树脂混合物是以实线一表示，而YAG-树脂混合物是以虛线…表图4是根据本专利技术的实施例的发光效率对波长(350nm至395nm)的光谱， 其中荧光体-树脂混合物是以实线一表示，而YAG-树脂混合物是以虛线...表 示；以及图5是根据本专利技术的实施例的发光亮度(LM )对波长(350nm至395nm) 的光谱，其中荧光体-树脂混合物是以实线一表示，而YAG-树脂混合物是以虚 线...表示。 具体实施例方式下面将以更加详细的方式描述本专利技术的优选实施例。 在一种实施例中，本专利技术的白光发光装置，包括发光组件，具有发光 层，该发光层是由氮化物系化合物半导体(例如InGaN)所组成的，且可发出 波长介于320至410 nm之间的第一光；以及荧光层，位于该发光组件上， 以吸收该发光组件所发出的该第一光的至少一部^p分，而该荧光层包括荧光增 白剂，其是4，4-双(2-曱氧基苯乙烯基)联苯，而该荧光增白剂可吸收该第一光 的一部份，并发出波长介于450至600 nm之间的第二光；和光致发光荧光体， 包括选自Y、 La、 Gd与Sm所组成的组群中的至少一种元素和选自Al、 Ga 与In所组成组的群中的至少一种元素，且由铈致活的石榴石系荧光体，而该 光致发光荧光体的化学式为(YLp.q-rGdpCeqSmr)3(Al,.sGas)50！2,其中0Sp^0.8、 0.003^q^0.2、 0,0003^r^0.08和0^s^1,且该光致发光荧光体可吸收该第 一光的一部份与该第二光的一部份，并发出波长介于530 nm至590nm之间 的第三光。该白光发光装置，更包括由树脂构成的封装层，包覆该发光组件及该荧 光层，而该第一光、该第二光与该第三光在该封装层中进行混合后，会从 该封装层向外发射出白光。在另一种实施例中，本专利技术的白光发光装置，包括发光组件，该发光 组件具有发光层，该发光层是由氮化物系化合物半导体(例如InGaN)所组成 的，且可发出波长介于320至410 nm之间的第一光；以及主要是由树脂构 成的封装层，包覆该发光组件，该封装层中包含有荧光增白剂，是4，4-双 (2-曱氧基苯乙烯基)联苯，该荧光增白剂将吸收该第一光的一部份，并发出波 长介于450至600nm之间的第二光；和光致发光荧光体，包括选自Y、 La、Gd与Sm所组成的组群中的至少一种元素和选自Al、 Ga与In所组成的组群 中的至少一种元素，且由铈致活的石榴石系荧光体，而该光致发光荧光体的化 学式为(YLp.q.rGdpCeqSm》3(AlLsGas)50,2,其中0〇p^0.8、 0.0030.2、 0.00030.08、和0^s^1，该光致发光荧光体可吸收该第一光的一部份与 该第二光的一部份，并发出波长介于530 nm至590 nm之间的第三光，其中， 该第一光、该第二光与该第三光在该封装层中进行混合后，会从该封装层 向外发射出白光。在该封装层中，树脂的重量百分比为80.00%至94.99%， 荧光增白剂的重量百分比为0.01%至5.00%，而光致发光荧光体的重量百分 比为5.00%至15.00%。 实施例将90%的硅树脂、0.01%的4，4-双(2-曱氧基苯乙烯基)联苯荧光增白剂与 9.99%的YAG荧光粉经由搅拌脱泡而制得荧光体-树脂混合物，以波长范围为 300nm至400nm (波长间隔为5nm )的激发光照射该荧光体-树脂混合物，并 记录其荧光强度()iW)对波长(nm)的光谱，如图1所示(荧光体-树脂混合 物是以实线一表示)。另外，将90%的本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种白光发光装置，包括： 发光组件，具有发光层，该发光层是由氮化物系化合物半导体所组成，且可发出波长介于３２０至４１０ｎｍ之间的第一光；以及 荧光层，位于该发光组件上，以吸收该发光组件所发出的该第一光的至少一部份，该荧光层包括：荧光增白剂，是有机化合物，该荧光增白剂吸收该第一光的一部份，并发出波长介于４５０至６００ｎｍ之间的第二光；和 光致发光荧光体，包括选自Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ与Ｓｍ所组成的组群中的至少一种元素和选自Ａｌ、Ｇａ与Ｉｎ所组成的组群中的至少一种元素，且由铈致活的石榴石系（ｇａｒｎｅｔ）荧光体，而该光致发光荧光体吸收该第一光的一部份与该第二光的一部份，并发出第三光。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡凯雄，
申请(专利权)人：亿镫光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[]
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