一种MPS高压可控硅串联触发系统技术方案

本发明专利技术公开了一种MPS高压可控硅串联触发系统，其包括：光控接收电路、波形生成电路、恒流控制电路、若干个脉冲整形电路和可控硅触发器；光控接收电路、波形生成电路、恒流控制电路依次电连接；恒流控制电路和若干个脉冲整形电路电连接，若干个脉冲整形电路和可控硅触发器电连接；其中，光控接收电路，用于接收光控制信号并将光控制信号转换为电控制信号；波形生成电路，用于根据电控制信号生成电压触发脉冲；恒流控制电路，用于将电压触发脉冲转换成恒流电信号；脉冲整形电路，用于根据恒流电信号转换成可控硅触发信号；可控硅触发器，用于根据可控硅触发信号进行可控硅触发。本发明专利技术涉及的一种MPS高压可控硅串联触发系统，可以控制可控硅参数。控硅参数。控硅参数。

【技术实现步骤摘要】
一种MPS高压可控硅串联触发系统


[0001]本专利技术涉及高压软起动
，尤其涉及一种MPS高压可控硅串联触发系统。

技术介绍

[0002]高压固态软起动装置又称中高压固态软起动装置，是一种新型的中高压电机软起动器，主要适用于10KV以下的中高压交电动机，采用先进DSP控制技术、电力电子技术及它的主要构成是串接于电源与被控电机之间的三相反并联闸管及其电子控制电路。运用不同的方法，控制三相反并联闸管的导通角，使被控电机的输入电压按不同的要求而变化，就可实现不同的功能。
[0003]现有技术中的一般使用MPS高压固态软起动装置，其工作原理是通过控制晶闸管的触发角来控制输出电压的大小，满足电机起动过程中不同的电流及电压要求。在电机起动过程中，MPS高压固态软起动装置按照预先设定的起动曲线，增加电机的端电压，使电机平滑加速，从而减少了电机起动时对电网、电机本身及电机负载的电气及机械冲击。当电机达到正常转速后，旁路开关接通，电机起动完毕。
[0004]现有触发控制系统每串阀组使用同一个原边线圈同步控制。优点是触发时机同步性好，高压隔离度高。但存在控制不精密，常因可控硅参数差异及触发磁性元件差异，导致开通时机不一致，出现过压击穿，进而整串阀组失效。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，有必要提供一种MPS高压可控硅串联触发系统，用于解决现有技术常因可控硅参数差异及触发磁性元件差异，导致开通时机不一致，出现过压击穿，进而整串阀组失效的问题。
[0006]为了解决上述问题，本专利技术提供一种MPS高压可控硅串联触发系统，其特征在于，包括：光控接收电路、波形生成电路、恒流控制电路、若干个脉冲整形电路和可控硅触发器；光控接收电路、波形生成电路、恒流控制电路依次电连接；恒流控制电路和若干个脉冲整形电路电连接，若干个脉冲整形电路和可控硅触发器电连接；
[0007]其中，光控接收电路，用于接收光控制信号并将光控制信号转换为电控制信号；
[0008]波形生成电路，用于根据电控制信号生成电压触发脉冲；
[0009]恒流控制电路，用于将电压触发脉冲转换成恒流电信号；
[0010]脉冲整形电路，用于根据恒流电信号转换成可控硅触发信号；
[0011]可控硅触发器，用于根据可控硅触发信号进行可控硅触发。
[0012]优选的，光控接收电路，包括光膜RX3，稳压二极管D9，电容C23、C24，电阻R12、R13，放大器U2F；
[0013]其中，稳压二极管D9的正极接地，稳压二极管D9的负极接光膜RX3的第二引脚；电容C24的一端接地，电容C24的另一端接光膜RX3的第二引脚；电阻R12的一端接第三电压，电阻R12的另一端接光膜RX3的第二引脚；光膜RX3的第三引脚和第七引脚接地，光膜RX3的第
六引脚接放大器U2F的输入端，放大器U2F的输出端接波形生成电路；电阻R13的一端接第三电压，电阻R13的另一端接光膜RX3的第六引脚；电容C23的一端接地，电容C23的另一端接光膜RX3的第六引脚。
[0014]优选的，波形生成电路包括芯片UB2，电阻RB7、RB10，电容CB4、CB5，极性电容C19；
[0015]其中，电容CB4的一端接芯片UB2的第六引脚，电容CB4的另一端接地；电容CB5的一段接芯片UB2的第五引脚，电容CB5的另一端接地；芯片UB2的第四引脚接放大器U2F的输出端；芯片UB2的第二引脚和第五引脚接电阻RB10的一段，电阻RB10的另一端接芯片UB2的第七引脚；芯片UB2的第八引脚分别接电阻RB7的一端和记性电容C19的正极，电阻RB7的另一端接芯片UB2的第七引脚。
[0016]优选的，恒流控制电路包括三极管Q1、Q2、Q3，电阻R1、R2、R4、R5、R6、R7，二极管D3、D6、D7；
[0017]其中，三极管Q2的基极接芯片UB2的第三引脚，三极管Q2的基极还与电阻R5的一端电连接；三极管Q2的发射极接电阻R6的一端，电阻R5和电阻R6的另一端接地；三极管Q2的集电极分别接电阻R1和电阻R4的一端，电阻R1的另一端接电阻R2的一端，电阻R4的另一端接三极管Q1的基极；三极管Q1的发射极接二极管D3的负极，二极管D3的正极接电阻R2的另一端；三极管Q1的集电极接三极管Q3的基极，三极管Q3的集电极接二极管D3的正极，三极管Q3的发射极分别接二极管D6的正极和二极管D7的正极，二极管D6的负极接三极管Q3的基极，电阻R7的一端接三极管Q3的基极。
[0018]优选的，脉冲整形电路包括共模电感T1，二极管D1、D2，电阻R3，电容C1；
[0019]其中，共模电感T1的第一引脚接二极管D7的负极，共模电感T1的第四引脚接电阻R7的另一端；共模电感T1的第二引脚接二极管D1的正极，共模电感T1的第三引脚接二极管D2的正极；二极管D1的负极接电阻R3的一端，二极管D2的负极接电阻R3的一端，电容C1的一端接电阻R3的一端，电容C1的另一端接电阻R3的另一端；电阻R3的另一端接可控硅触发器，二极管D2的正极接可控硅触发器。
[0020]优选的，还包括电源转换电路；电源转换电路分别与光控接收电路、波形生成电路、恒流控制电路电连接；电源转换电路，用于为光控接收电路、波形生成电路、恒流控制电路供电。
[0021]优选的，电源转换电路包括第一转换电路和第二转换电路；
[0022]其中，第一转换电路，用于将第一电压转换为第二电压；第二转换电路，用于将第二电压转换为第三电压。
[0023]优选的，第一转换电路包括芯片U1，电容C11、C15，极性电容C10、C12、C13，电阻R0、R15，发光二极管D11；
[0024]其中，芯片U1的第一引脚接第一电压，极性电容C10的正极、极性电容C12的正极接芯片U1的第一引脚，电容C11的一段接芯片U1的第一引脚；芯片U1的第三引脚输出第二电压，极性电容C13的正极接芯片U1的第三引脚；电容C15的一端接芯片U1的第三引脚，电阻R0的一端接芯片U1的第三引脚，电阻R0的另一端接电阻R15的一端，电阻R15的另一端接发光二极管D11的正极。
[0025]优选的，第二转换电路包括芯片U3，极性电容C25，电容C26、C27、C28，电阻R2、R16，发光二极管D12；
[0026]其中，芯片U3的第一引脚接第二电压，芯片U3的第三引脚，分别接极性电容C25的正极、电容C26、C27、C28的一端、电阻R2的一端；电阻R2的另一端接电阻R16的一端，电阻R16的另一端接发光二极管D12的正极。
[0027]优选的，还包括电流母线和电流母线磁环；电流母线和电流母线磁环，用于连接恒流控制电路和脉冲整形电路。
[0028]采用上述技术方案的有益效果是：本专利技术公开了一种MPS高压可控硅串联触发系统，其包括：光控接收电路、波形生成电路、恒流控制电路、若干个脉冲整形电路和可控硅触发器；光控接收电路、波形生成电路、恒流控制电路依次电连接；恒流控本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MPS高压可控硅串联触发系统，其特征在于，包括：光控接收电路、波形生成电路、恒流控制电路、若干个脉冲整形电路和可控硅触发器；所述光控接收电路、所述波形生成电路、所述恒流控制电路依次电连接；所述恒流控制电路和若干个所述脉冲整形电路电连接，若干个所述脉冲整形电路和所述可控硅触发器电连接；其中，所述光控接收电路，用于接收光控制信号并将所述光控制信号转换为电控制信号；所述波形生成电路，用于根据所述电控制信号生成电压触发脉冲；所述恒流控制电路，用于将所述电压触发脉冲转换成恒流电信号；所述脉冲整形电路，用于根据所述恒流电信号转换成可控硅触发信号；所述可控硅触发器，用于根据所述可控硅触发信号进行可控硅触发。2.根据权利要求1所述的MPS高压可控硅串联触发系统，其特征在于，所述光控接收电路，包括光膜RX3，稳压二极管D9，电容C23、C24，电阻R12、R13，放大器U2F；其中，所述稳压二极管D9的正极接地，所述稳压二极管D9的负极接所述光膜RX3的第二引脚；所述电容C24的一端接地，所述电容C24的另一端接所述光膜RX3的第二引脚；所述电阻R12的一端接第三电压，所述电阻R12的另一端接所述光膜RX3的第二引脚；所述光膜RX3的第三引脚和第七引脚接地，所述光膜RX3的第六引脚接所述放大器U2F的输入端，所述放大器U2F的输出端接所述波形生成电路；所述电阻R13的一端接所述第三电压，所述电阻R13的另一端接所述光膜RX3的第六引脚；所述电容C23的一端接地，所述电容C23的另一端接所述光膜RX3的第六引脚。3.根据权利要求2所述的MPS高压可控硅串联触发系统，其特征在于，所述波形生成电路包括芯片UB2，电阻RB7、RB10，电容CB4、CB5，极性电容C19；其中，所述电容CB4的一端接所述芯片UB2的第六引脚，所述电容CB4的另一端接地；所述电容CB5的一段接所述芯片UB2的第五引脚，所述电容CB5的另一端接地；所述芯片UB2的第四引脚接所述放大器U2F的输出端；所述芯片UB2的第二引脚和第五引脚接所述电阻RB10的一段，所述电阻RB10的另一端接所述芯片UB2的第七引脚；所述芯片UB2的第八引脚分别接所述电阻RB7的一端和所述记性电容C19的正极，所述电阻RB7的另一端接所述芯片UB2的第七引脚。4.根据权利要求3所述的MPS高压可控硅串联触发系统，其特征在于，所述恒流控制电路包括三极管Q1、Q2、Q3，电阻R1、R2、R4、R5、R6、R7，二极管D3、D6、D7；其中，所述三极管Q2的基极接所述芯片UB2的第三引脚，所述三极管Q2的基极还与所述电阻R5的一端电连接；所述三极管Q2的发射极接所述电阻R6的一端，所述电阻R5和所述电阻R6的另一端接地；所述三极管Q2的集电极分别接所述电阻R1和所述电阻R4的一端，所述电阻R1的另一端接所述电阻R2的一端，所述电阻R4的另一端接所述三极管Q1的基极；所述三极管Q1的发射极接所述二极管D3的负极，所述二极管D3的正极接所述电阻R2的另一端；所述三极管Q1的集...

【专利技术属性】
技术研发人员：张昱科，董睿，任卫红，张天明，陈磊，陈文龙，李康，张玲，杨培新，
申请(专利权)人：大力电工襄阳股份有限公司，
类型：发明
国别省市：