延长数据存储时间的方法、装置、设备及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及存储技术域，公开了一种延长数据存储时间的方法、装置、设备及存储介质，该方法通过对每个Nand进行影响因子测试，使得每个Nand得到对应的权重值，根据权重值最大的Nand作为冷存颗粒，并将擦写次数低于次数阈值的数据转入冷存颗粒中，以确保冷数据存储的稳定性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
延长数据存储时间的方法、装置、设备及存储介质


[0001]本专利技术涉及存储
，尤其涉及延长数据存储时间的方法、装置、设备及存储介质。

技术介绍

[0002]现有的固态固态硬盘由于存在漏电流的问题，存储在闪存颗粒的数据，随着时间增加，漏电流效应的累计，会出现出错bit数超过存储控制芯片最大纠错能力的情况，导致读取出来的数据出错。而在高温环境下，会加速漏电流的现象，导致数据存储的时间缩短。
[0003]而随着固态硬盘的容量越来越大，性能越来越高，闪存颗粒通常使用多通道多叠die的方式，对并发操作使得闪存颗粒及存储控制芯片的发热变得愈加严重，这不仅带来需要对固态硬盘进行散热的问题，存储在闪存颗粒的数据，由于环境温度的升高，也会相应的减少数据的存储时间。
[0004]特别对于大容量存储，考虑到信号稳定优先，通常基板的两面都会对称贴着芯片并尽量将这些芯片都集中在基板的某块区域，使得热量叠加的效应更加明显。
[0005]目前常见的手段，通常是通过加速散热的方式，包括对固态硬盘增加散热块或者风扇等，尽量降低设备工作的环境温度，同时对于长时间没有更新的数据进行定期的刷新操作，以此降低此类出错概率。
[0006]现有的技术通过直接通过物理散热的方式，目前还没有看到通过主动避开高温区域的方式，其次，目前对于冷数据的处理，通常采用刷新的方式，即定期将冷数据读取出来，重新写回去。如果写回去的位置，依旧对周边温度比较敏感，或者写的区域是漏电流比较严重的区域，则只能提高刷新的频次，否则存储冷数据其稳定性依旧无法保证，这又会影响设备性能以及缩短设备的使用寿命(额外增加了PE cycle)。

技术实现思路

[0007]本专利技术的主要目的在于解决现有无法保证冷数据存储的稳定性的问题。
[0008]本专利技术第一方面提供了一种延长数据存储时间的方法，包括：
[0009]对所述固态硬盘上的每个Nand进行影响因子测试，得到对应的测试结果，并根据所述测试结果，在每个Nand中标识对应的权重值；
[0010]将所述权重值最大的所述Nand作为冷存颗粒，其中，所述冷存颗粒用于优先存储冷数据；
[0011]记录所述固态硬盘内每个Nand中数据的擦写次数，得到记录表；
[0012]根据预置时间内，将所述记录表中擦写次数低于预置次数阈值的数据转移至所述冷存颗粒中。
[0013]优选地，在本专利技术第一方面的第二种实现方式中，所述影响因子包括出错bit数，所述出错bit数与所述Nand的权重值呈负线性相关。
[0014]优选地，在本专利技术第一方面的第三种实现方式中，所述固态硬盘上的每个Nand进
行影响因子测试包括：
[0015]将所述固态硬盘静置于100摄氏度的环境下，并在所述固态硬盘内的每个所述Nand中写入随机数；
[0016]在间隔不同时间段对每个所述Nand中的随机数进行读取，得到每个所述Nand的出错bit数。
[0017]优选地，在本专利技术第一方面的第四种实现方式中，所述固态硬盘上设有运算芯片，所述影响因子包括所述Nand与所述运算芯片的距离，所述Nand与所述运算芯片的距离与所述Nand的权重值呈正线性相关。
[0018]优选地，在本专利技术第一方面的第五种实现方式中，所述影响因子包括温度，所述影响因子包括写入温度和存储温度；
[0019]将多种所述写入温度和多种所述存储温度进行组合，得到多种温度组合；
[0020]将固态硬盘分别在多种所述温度组合下进行数据存储，得到温度组合与数据存储时长的对照表，其中，所述数据存储时长与所述Nand的权重值呈正线性相关。
[0021]优选地，在本专利技术第一方面的第六种实现方式中，在所述根据预置时间内，将每个所述Nand中擦写次数低于预置次数阈值的数据转移至所述冷存颗粒中之后，还包括：
[0022]判断所述Nand在进行读写过程的温度情况是否大于预置温度阈值；
[0023]若是，则降低所述Nand的读写速率；
[0024]若不是，则不操作。
[0025]本专利技术第二方面提供了一种延长数据存储时间的装置，所述延长数据存储时间的装置包括：
[0026]检测模块，用于对所述固态硬盘上的每个Nand进行影响因子测试，并根据得到的测试结果，在每个Nand中标识对应的权重值；
[0027]选择模块，用于将所述权重值最大的所述Nand作为冷存颗粒，其中，所述冷存颗粒用于优先存储冷数据；
[0028]记录模块，用于记录所述固态硬盘内每个Nand中数据的擦写次数，得到记录表；
[0029]冷数据处理模块，用于根据预置时间内，将每个所述Nand中擦写次数低于预置次数阈值的数据转移至所述冷存颗粒中。
[0030]本专利技术第三方面提供了一种延长数据存储时间的设备，所述延长数据存储时间的设备包括：存储器和至少一个处理器，所述存储器中存储有指令，所述存储器和所述至少一个处理器通过线路互连；
[0031]所述至少一个处理器调用所述存储器中的所述指令，以使得所述设备执行上述延长数据存储时间的方法。
[0032]本专利技术的第四方面提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储有指令，当其在计算机上运行时，使得计算机执行上述延长数据存储时间的方法。
[0033]本专利技术的有益效果在于：通过对每个Nand进行影响因子测试，使得每个Nand得到对应的权重值，根据权重值最大的Nand作为冷存颗粒，并将擦写次数低于次数阈值的数据转入冷存颗粒中，以确保冷数据存储的稳定性。
附图说明
[0034]图1为本专利技术实施例中延长数据存储时间的方法的第一个实施例示意图；
[0035]图2为本专利技术实施例中延长数据存储时间的方法的第二个实施例示意图；
[0036]图3为本专利技术实施例中延长数据存储时间的方法的第三个实施例示意图；
[0037]图4为本专利技术实施例中延长数据存储时间的装置的一个实施例示意图；
[0038]图5为本专利技术实施例中延长数据存储时间的设备的一个实施例示意图。
具体实施方式
[0039]本专利技术实施例提供了一种延长数据存储时间的方法及系统、装置、设备及存储介质。
[0040]本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的实施例能够以除了在这里图示或描述的内容以外的顺序实施。此外，术语“包括”或“具有”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0041]为便于理解，下面对本专利技术实施例的具体流程进行描述，请参阅图1
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种延长数据存储时间的方法，应用于固态硬盘上，其特征在于，所述方法包括：对所述固态硬盘上的每个Nand进行影响因子测试，得到对应的测试结果，并根据所述测试结果，在每个Nand中标识对应的权重值；将所述权重值最大的所述Nand作为冷存颗粒，其中，所述冷存颗粒用于优先存储冷数据；记录所述固态硬盘内每个Nand中数据的擦写次数，得到记录表；根据预置时间内，将所述记录表中擦写次数低于预置次数阈值的数据转移至所述冷存颗粒中。2.根据权利要求1所述的延长数据存储时间的方法，其特征在于，所述影响因子包括出错bit数，所述出错bit数与所述Nand的权重值呈负线性相关。3.根据权利要求2所述的延长数据存储时间的方法，其特征在于，所述固态硬盘上的每个Nand进行影响因子测试包括：将所述固态硬盘静置于100摄氏度的环境下，并在所述固态硬盘内的每个所述Nand中写入随机数；在间隔不同时间段对每个所述Nand中的随机数进行读取，得到每个所述Nand的出错bit数。4.根据权利要求1所述的延长数据存储时间的方法，其特征在于，所述固态硬盘上设有运算芯片，所述影响因子包括所述Nand与所述运算芯片的距离，所述Nand与所述运算芯片的距离与所述Nand的权重值呈正线性相关。5.根据权利要求1所述的延长数据存储时间的方法，其特征在于，所述影响因子包括写入温度和存储温度；将多种所述写入温度和多种所述存储温度进行组合，得到多种温度组合；将固态硬盘分别在多种所述温度组合下进行数据存储，得到温度组合与数据存储时长的对照表，其中，所述数据存储时长与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：林寅，吴大畏，李晓强，
申请(专利权)人：得一微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：