【技术实现步骤摘要】
导电介质中有限长通电直导线低频近场区磁场解析计算方法
[0001]本专利技术属于电磁场领域，它应用于在导电介质中，如水下，解析计算有限长通电直导线低频近场的方法。
技术介绍
[0002]在现有技术中，有限长通电直导线是产生磁场的一种基本方式，磁场计算方法可以通过Maxwell方程推导得到。
[0003]沿x轴的有限长通电直导线如1图所示，导电媒质中Maxwell方程的时域表达式为：
[0004][0005][0006][0007][0008]由于所以可以将磁场表示为一个失量的旋度，即：
[0009][0010]将上式带入得：
[0011][0012]对上式变形可得：
[0013][0014]由于散度的旋度恒等于0，所以可表示为一个标量的散度，即
[0015][0016]因此，和可用一个失量函数和标量函数作表示如下：
[0017][0018]由失量相关知识得知，确定一个失量，必须同时规定该失量的散度和旋度，为使表达的唯一性，对失量场
[0019]作洛伦兹规范：
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种导电介质中有限长通电直导线低频近场区磁场解析计算方法，以通电直导线(1)的中心为原点，以通电直导线(1)的长度为X轴，以垂直于通电直导线(1)长度为Y轴，以垂直于X轴和Y轴的平面为Z轴，建立坐标系，通电直导线(1)的两个端点A和B在上述坐标系中坐标分别为(0.5L,0,0)和(
‑
0.5L,0,0)，其特征在于：在坐标系中任意一点P点(x,y,z)磁场感应强度的实部和虚部通过公式得出：场感应强度的实部和虚部通过公式得出：其中：其中：B0为空气中的磁场感应强度，r1和r2分别为通电直导线(1)两个端点A和B与P点之间的距离，r0为P点到通电直导线(1)的垂直距离，I为通电直导线的交变电流峰值，ω为交变电流的角频率，σ为介质的电导率，μ为介质的磁导率,为后四舍五入的整数；公式(1)和公式(2)的使用范围是：在P点到通电直导线(1)垂直距离r0在0.1λ＜r0＜0...
【专利技术属性】
技术研发人员：王心怡，焦瑜呈，张国光，
申请(专利权)人：中国船舶重工集团公司七五零试验场，
类型：发明
国别省市：
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