测定装置、测定方法、离子感应半导体器件制造方法及图纸

一种测定装置，包括：配置为能与应测定特性值的介质接触的第一离子感应半导体元件、第二离子感应半导体元件及参考电极；接受来自第一离子感应半导体元件的第一信号及来自第二离子感应半导体元件的第二信号且生成传感器信号的信号输入部；处理传感器信号的信号处理部；储存第一离子感应半导体元件及第二离子感应半导体元件的随时间变动涉及的第一数据，并与信号处理部以能相互通信的方式结合的存储器。信号处理部使用第一离子感应半导体元件及第二离子感应半导体元件的累计通电时间和第一数据来处理传感器信号，生成用于介质的特性值的输出信号。第一离子感应半导体元件包含第一感应膜，第二离子感应半导体元件包含与第一感应膜不同的第二感应膜。感应膜不同的第二感应膜。感应膜不同的第二感应膜。

【技术实现步骤摘要】
测定装置、测定方法、离子感应半导体器件


[0001]本专利技术涉及测定装置、测定方法以及离子半导体器件。

技术介绍

[0002]专利文献1公开了电化学传感器。电化学传感器包括具备场效应晶体管的传感器部。电化学传感器具备：将由传感器部测定的特性值与传感器部的特性值的目标值进行比较的比较电路；根据比较的结果来计算向电荷存储膜注入电荷的电压条件的电路；以及控制为将由该电路计算出的条件的电压施加到传感器部的控制电路。
[0003]专利文献1：日本特开2016
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180711号公报
[0004]在离子感应半导体元件、例如专利文献1的离子感应性场效应晶体管中，若其感应膜被浸泡在用于pH测定的水溶液中，则离子感应半导体元件的输出电压发生变动。
[0005]具体而言，有时为了例如土壤或水溶液这样的介质的经常监视而长时间连续地使用离子感应半导体元件。在这种情况下，在离子感应半导体元件、具体而言pH传感器的输出中出现漂移。由于该漂移，pH传感器的测定精度变差。
[0006]另外，pH传感器的输出漂移能够通过在介质的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种测定装置，包括：第一离子感应半导体元件，配置为能够与应测定特性值的介质接触；第二离子感应半导体元件，配置为能够与上述介质接触；参考电极，上述介质位于该参考电极与上述第一离子感应半导体元件以及上述第二离子感应半导体元件之间，并配置为能够与该介质接触；信号输入部，接受来自上述第一离子感应半导体元件的第一信号以及来自上述第二离子感应半导体元件的第二信号，并且生成传感器信号；信号处理部，与上述信号输入部结合，并处理上述传感器信号；以及存储器，储存上述第一离子感应半导体元件以及上述第二离子感应半导体元件的随时间变动所涉及的第一数据，并与上述信号处理部以能够相互通信的方式结合，上述信号处理部使用上述第一离子感应半导体元件以及上述第二离子感应半导体元件的累计通电时间以及上述第一数据来处理上述传感器信号，生成用于上述介质的上述特性值的输出信号，上述第一离子感应半导体元件的第一感应膜包含第一材料，上述第二离子感应半导体元件的第二感应膜包含第二材料，上述第一材料与上述第二材料不同。2.根据权利要求1所述的测定装置，其中，还包括计时器，测定对上述第一离子感应半导体元件以及上述第二离子感应半导体元件进行通电的通电时间，上述信号处理部基于上述通电时间来更新上述累计通电时间，上述存储器储存来自上述信号处理部的更新的累计通电时间。3.根据权利要求1或2所述的测定装置，其中，还包括温度传感器，用于监视上述第一离子感应半导体元件以及上述第二离子感应半导体元件的温度，上述温度传感器生成表示上述温度的温度信号，上述存储器储存上述第一离子感应半导体元件以及上述第二离子感应半导体元件的上述随时间变动的相对于温度的变化所涉及的第二数据，上述信号处理部使用上述第二数据以及上述温度信号来处理上述传感器信号，生成上述输出信号。4.根据权利要求1～3中任意一项所述的测定装置，其中，上述特性值包含上述介质的氢离子浓度，上述第一离子感应半导体元件的上述第一感应膜包含硅氧化物、硅氮化物、铝氧化物以及钽氧化物中的至少一种，上述第二离子感应半导体元件的上述第二感应膜以与上述第一感应膜不同的方式包含硅氧化物、硅氮化物、铝氧化物以及钽氧化物中的至少一种。5.一种测定方法，是测定介质的特性的测定方法，包括：使离...

【专利技术属性】
技术研发人员：冲原将生，
申请(专利权)人：拉碧斯半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：