一种基于钙钛矿和贵金属等离子体阵列复合的光电探测器制造技术

本发明专利技术公开一种基于钙钛矿和贵金属等离子体阵列复合的光电探测器。该光电探测器自下而上依次包括：衬底；金属电极层，包括源电极和漏电极，源电极和漏电极之间形成沟道；光敏层，包括填充在沟道上的贵金属等离子体阵列及其上方的钙钛矿。贵金属等离子体阵列形成表面等离子共振增强限域电场，源电极和漏电极被配置为使电流能够通过光敏层，钙钛矿被配置为在暴露于入射电磁辐射时产生电子

【技术实现步骤摘要】
一种基于钙钛矿和贵金属等离子体阵列复合的光电探测器


[0001]本专利技术涉及半导体器件，尤其涉及一种基于钙钛矿和贵金属等离子体阵列复合的光电探测器。

技术介绍

[0002]在光电领域中，无机材料的研究一般成本高，周期长，并且工艺过程复杂。近些年新发掘的新型光电功能材料钙钛矿由于成本低、制备简单、且光电特性优异，再加上钙钛矿材料的本征特性包括高吸收系数、高载流子迁移率、制备简单等优点而备受关注。其中，有机无机杂化钙钛矿由于突出的光电特性而被广泛应用到光电领域如太阳能电池、晶体管以及光电探测器方向。
[0003]自钙钛矿材料用于太阳能电池以来，短短几年时间便经历了十分蓬勃的发展，迅速成为光电子领域研究的热门。与钙钛矿太阳能电池优异的性能相似，研究表明，基于钙钛矿材料有望研制出新一代低成本、高性能光电探测器，包括微晶/多晶薄膜、块体单晶和低维纳米单晶等，且不同形貌的钙钛矿材料在性能上也展示出很大的不同。
[0004]然而，现有的钙钛矿光电探测器在光生电子、空穴在界面处的复合问题较为显著，这大大限制了其在光电探测器件中的应用。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于钙钛矿和贵金属等离子体阵列复合的光电探测器，其特征在于，所述光电探测器自下而上依次包括：衬底；金属电极层，其包括源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极之间形成沟道；光敏层，其包括填充在所述沟道上的贵金属等离子体阵列及其上方的钙钛矿；其中，所述贵金属等离子体阵列形成表面等离子共振增强限域电场，所述源电极和所述漏电极被配置为使电流能够通过所述光敏层，所述钙钛矿被配置为在暴露于入射电磁辐射时产生电子
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空穴对以产生可检测的变化电流。2.根据权利要求1所述的基于钙钛矿和贵金属等离子体阵列复合的光电探测器，其特征在于：所述衬底是CMOS晶片，其包括用于偏置或放大来自所述光电探测器的信号的电路。3.根据权利要求1所述的基于钙钛矿和贵金属等离子体阵列复合的光电探测器，其特征在于：所述光电探测器是像素化阵列。4.根据权利要求1所述的基于钙钛矿和贵金属等离子体阵列复合的光电探测器，其特征在于：所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晓利，徐锐强，张有为，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：