一种预测反复种植失败发生的生物标志物及其应用制造技术

技术编号:37109610 阅读:56 留言:0更新日期:2023-04-01 05:07
本发明专利技术公开了一种在辅助生殖技术中预测反复种植失败发生的生物标志物NSUN2。公开了NSUN2的表达水平或甲基化水平对反复种植失败发生的影响,发现在NSUN2过表达或过度甲基化之后,胚胎球的粘附效率显著降低。本发明专利技术的发现为胚胎的粘附、种植和着床相关疾病的预测、诊断和预后提供新的思路和理论基础。诊断和预后提供新的思路和理论基础。诊断和预后提供新的思路和理论基础。

【技术实现步骤摘要】
一种预测反复种植失败发生的生物标志物及其应用


[0001]本专利技术属于子宫内膜功能检测
,具体涉及一种反复种植失败预测生物标志物及其在子宫内膜容受性检测中的应用。

技术介绍

[0002]反复种植失败(Recurrent Implantation FailureRIF)是指年龄<40岁且既往≥3次胚胎移植失败;或者≥2次胚胎移植失败,且移植的胚胎数≥4枚高评分的卵裂期胚胎(I级或II级的D3胚胎)或≥2枚高评分囊胚(Gardner囊胚评分AA/AB/BA/BB)或2枚高评分的卵裂期胚胎和1枚高评分囊胚。
[0003]妊娠是胚胎成功植入子宫内膜的结果,随后是内膜充分的蜕膜化,以及胎盘形成。这其中的每一步都需要诸多细胞因子与生理过程的参与,才能达到妊娠发育所必需的平衡。着床是功能正常的子宫内膜与囊胚之间动态相互作用的结合。着床期需要多种生理过程的参与,需要胚胎的粘附、滋养细胞的侵袭和免疫调节的稳态。成功的着床在很大程度上依赖于子宫内膜的适当结构和充分的容受性。胚胎着床率较高的时期我们称为着种植窗(Thewindow of本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.NSUN2基因或蛋白作为生物标志物在制备用于反复种植失败(RIF)、胚胎着床失败风险预测和/或子宫内膜容受性评估试剂中的用途。2.NSUN2基因或蛋白的检测试剂在制备用于反复种植失败(RIF)、胚胎着床失败风险预测和/或子宫内膜容受性评估试剂盒中的用途。3.根据权利要求1或2所述的用途,其特征在于,所述试剂通过实时荧光定量PCR和高通量测序中的一种或几种方法的组合对所述基因的转录水平进行检测;优选地,所述NSUN2基因的检测试剂包括用于NSUN2实时荧光定量PCR检测的引物和/或探针;更优选地,所述NSUN2实时荧光定量PCR检测的正向引物和反向引物分别如SEQ ID NO:1(ACCTGGCTCAAAGACCACACAG)和SEQ ID NO:2(TGGCTTGATGGACGAGCAGGTA)所示。4.根据权利要求1或2所述的用途,其特征在于,所述试剂通过BCA蛋白定量、免疫组化法、蛋白免疫印迹和ELISA中的一种或几种方法的组合对所述蛋白的水平进行检测;优选地,所述NSUN2蛋白的检测试剂包括NSUN2特异性抗体。5.根据权利要求1或2所述的用途,其特征在于,所述试剂通过高通量测序对所述基因的甲基化水平进行检测。6.根据权利要求1

5任一项所述的用途,其特征在于,所述试剂盒的检测样本为RIF患者的子宫内膜组织;优选地,为胚胎种植窗期的子宫内膜组织。7.一种反复种植失败(RIF)、胚胎着床失败风险预测和/或子宫内膜容受性评估试剂盒,...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄伯贤陆嘉逢郭灵李红刘振兴钱春凤
申请(专利权)人:苏州市立医院
类型:发明
国别省市:

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