编码历程信息的存取方法和计算机可读取存储介质和装置制造方法及图纸

技术编号:37108609 阅读:22 留言:0更新日期:2023-04-01 05:07
本发明专利技术涉及一种编码历程信息的存取方法、计算机可读取存储介质和装置。该方法包含:写入编码历程信息至闪存模块中的指定超页线的指定第一页面的元数据区段,其中,编码历程信息包含历程轮廓和历程记录,历程轮廓包含超块中所涵盖的区和历程记录的数目,每个历程记录包含指定区的指定超页线中的指定第二页面没有经过引擎编码以产生奇偶校验码的信息。通过编码历程信息,当指定区的指定超页线中出现毁损的页面时得依据编码历程信息以回复毁损的页面。页面。页面。

【技术实现步骤摘要】
编码历程信息的存取方法和计算机可读取存储介质和装置


[0001]本专利技术涉及存储装置,特别是,本专利技术涉及一种编码历程信息的存取方法、计算机可读取存储介质及装置。

技术介绍

[0002]闪存通常分为NOR闪存与NAND闪存。NOR闪存为随机存取装置,中央处理器(Host)可于地址引脚上提供任何存取NOR闪存的地址,并及时地从NOR闪存的数据引脚上获得存储于该地址上的数据。相反地,NAND闪存并非随机存取,而是串行存取。NAND闪存无法像NOR闪存一样,可以存取任何随机地址,中央处理器反而需要写入串行的字节(Bytes)的值到NAND闪存中,用于定义请求命令(Command)的类型(如,读取、写入、抹除等),以及用在此命令上的地址。地址可指向一个页面(闪存中写入操作的最小数据块)或一个区块(闪存中抹除操作的最小数据块)。提升闪存模块中存储数据的保护能力,一直是影响闪存控制器的数据安全性的重要课题。因此.本专利技术提出一种编码历程信息的存取方法、计算机可读取存储介质及装置,用于提升数据安全性。

技术实现思路

[0003]有鉴于此,如何减轻或消除上述相关领域的缺失,实为有待解决的问题。
[0004]本专利技术涉及一种编码历程信息的存取方法,包含:提供多个闪存单元的存储空间所形成的超块;写入编码历程信息至闪存模块中的指定超页线的指定第一页面的元数据区段,其中,编码历程信息包含历程轮廓和历程记录,历程轮廓包含超块中所涵盖的区和历程记录的数目,每个历程记录包含指定区的指定超页线中的指定第二页面没有经过引擎编码以产生奇偶校验码的信息。
[0005]本专利技术还涉及一种计算机可读取存储介质,包含计算机程序。当处理单元加载及执行计算机程序时,实施如上所示的编码历程信息的存取方法。
[0006]本专利技术还涉及一种编码历程信息的存取装置,包含:闪存接口;和处理单元。处理单元用于提供多个闪存单元的存储空间所形成的超块;驱动闪存单元写入编码历程信息至闪存模块中的指定超页线的指定第一页面的元数据区段。
[0007]上述实施例的优点之一,通过编码历程信息,当指定区的指定超页线中出现毁损的页面时得依据编码历程信息以回复毁损的页面。
[0008]本专利技术的其他优点将配合以下的说明和说明书附图进行更详细的解说。
附图说明
[0009]此处所说明的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解,构成本申请的一部分,本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请,并不构成对本申请的不当限定。
[0010]图1为依据本专利技术实施例的电子装置的系统架构图。
[0011]图2为依据本专利技术实施例的闪存模块的示意图。
[0012]图3为依据本专利技术实施例的逻辑超块的示意图。
[0013]图4为依据本专利技术实施例的逻辑超块和区划分的示意图。
[0014]图5为依据本专利技术实施例的数据写入方法的流程图。
[0015]图6为依据本专利技术实施例的数据写入示例的示意图。
[0016]图7为依据本专利技术实施例的读取错误修正方法的流程图。
[0017]其中,附图标记:
[0018]10 电子装置
[0019]110 主机端
[0020]130 闪存控制器
[0021]131 主机接口
[0022]134 处理单元
[0023]135 RAID引擎
[0024]136 随机存取存储器
[0025]139 闪存接口
[0026]150 闪存模块
[0027]151 接口
[0028]153#0~153#15 NAND闪存单元
[0029]CH#0~CH#3 通道
[0030]CE#0~CE#3 启动信号
[0031]D#0~D#7 NAND闪存单元
[0032]SP#0~SP#47 超页
[0033]310 页面
[0034]STR#0~STR#7 超页线
[0035]Z#0~Z#5 区
[0036]S510~S582 方法步骤
[0037]610~640 虚假页面
[0038]S710~S770 方法步骤
具体实施方式
[0039]以下将配合相关附图来说明本专利技术的实施例。在这些附图中,相同的标号表示相同或类似的组件或方法流程。
[0040]必须了解的是,使用在本说明书中的“包含”、“包括”等词,是用于表示存在特定的技术特征、数值、方法步骤、作业处理、元件和/或组件,但并不排除可加上更多的技术特征、数值、方法步骤、作业处理、元件、组件,或以上的任意组合。
[0041]本专利技术中使用如“第一”、“第二”、“第三”等词是用来修饰权利要求中的组件,并非用来表示之间具有优先权顺序,先行关系,或者是一个组件先于另一个组件,或者是执行方法步骤时的时间先后顺序,仅用来区别具有相同名字的组件。
[0042]必须了解的是,当组件描述为“连接”或“耦接”至另一组件时,可以是直接连结、或耦接至其他组件,可能出现中间组件。相反地,当组件描述为“直接连接”或“直接耦接”至另
一组件时,其中不存在任何中间组件。使用于描述组件之间关系的其他语词也可类似方式解读,例如“介于”相对于“直接介于”,或者是“邻接”相对于“直接邻接”等等。
[0043]参考图1。电子装置10包含:主机端(Host Side)110、闪存控制器130及闪存模块150,并且闪存控制器130及闪存模块150可合称为装置端(Device Side)。电子装置10可实施于个人计算机、笔记本计算机(Laptop PC)、平板计算机、移动电话、数字相机、数字摄影机等电子产品之中。主机端110与闪存控制器130的主机接口(Host Interface)131可以通用串行总线(Universal Serial Bus,USB)、先进技术附件(Advanced Technology Attachment,ATA)、串行先进技术附件(Serial Advanced Technology Attachment,SATA)、快速外设组件互联(Peripheral Component Interconnect Express,PCI

E)、通用闪存存储(Universal Flash Storage,UFS)、嵌入式多媒体卡(Embedded Multi

Media Card,eMMC)等通信协议彼此通信。闪存控制器130的闪存接口(Flash Interface)139与闪存模块150可以双倍数据率(Double Data Rate,DDR)通信协议彼此通信,例如,开放NAND闪存接口(Open NAND Flash Interface,ONFI)、双倍数据率开关(DDR Toggle)或其他通信协议。闪存控制器130包含处理单元134,可使用多种方式实施,如使用通用硬件(例如,单处理器、具有并行处理能力的多处理器、图形处理器或其他具有运算能力的处本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种编码历程信息的存取方法,由处理单元执行,其特征在于,所述编码历程信息的存取方法包括:提供多个闪存单元的存储空间所形成的超块,其中,所述超块包含多个区,每个所述区包含多个超页线,以及每个所述超页线包含横跨多个所述闪存单元的多个页面;以及写入编码历程信息至指定超页线的指定第一页面的元数据区段,其中,所述编码历程信息包含历程轮廓和历程记录,所述历程轮廓包含所述超块中所涵盖的区和所述历程记录的数目,每个所述历程记录包含指定区的所述指定超页线中的指定第二页面没有经过引擎编码以产生奇偶校验码的信息,使得所述指定区的所述指定超页线中出现毁损的页面时依据所述编码历程信息以回复所述毁损的页面。2.如权利要求1所述的码历程信息的存取方法,其特征在于,包括:当所述指定区的所述指定超页线中出现所述毁损的页面时,从所述超页线的所述指定第一页面的所述元数据区段读取所述编码历程信息;依据所述编码历程信息舍弃所述指定第二页面;以及将所述指定区的所述指定超页线中留下来的页面内容逐页馈入所述引擎以回复所述毁损的页面。3.如权利要求1所述的码历程信息的存取方法,其特征在于,所述指定第二页面为虚假页面或者无法错误修正页面,其中所述虚假页面填满虚假值。4.如权利要求1所述的码历程信息的存取方法,其特征在于,所述指定第一页面的数据区段存储所述指定超页线中的多个所述页面的奇偶校验码。5.如权利要求1所述的编码历程信息的存取方法,其特征在于,所述指定第一页面为所述指定超页线中的最后一个页面。6.如权利要求1所述的编码历程信息的存取方法,其特征在于,所述指定第一页面为所述指定超页线中的最后一个页面,并且所述指定第一页面的数据区段存储所述指定超页线中的所述多个页面的奇偶校验码。7.一种计算机可读取存储介质,用于存储能够被处理单元执行的计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被所述处理单元执行时实现如权利要求1至6中任一...

【专利技术属性】
技术研发人员:邱慎廷
申请(专利权)人:慧荣科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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