电容器结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种电容器结构，包括基底、至少一个第一介电层、至少一个第二介电层、电容器与内连线结构。基底包括电容器区与非电容器区。第一介电层位于电容器区与非电容器区中的基底上。第二介电层位于非电容器区中的基底上。至少一部分第二介电层位于第一介电层中。第二介电层的材料与至少一部分第一介电层的材料不同。第二介电层的介电常数小于至少一部分第一介电层的介电常数。电容器位于电容器区中的至少一个第一介电层中。电容器包括彼此电性绝缘的两个电极。内连线结构位于非电容器区中的至少一个第二介电层中。中的至少一个第二介电层中。中的至少一个第二介电层中。

【技术实现步骤摘要】
电容器结构及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体结构及其制造方法，且特别是涉及一种电容器结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]目前发展出一种将电容器区中的电容器与逻辑元件区中的内连线结构进行整合的电容器结构。此外，逻辑元件区中的介电层会采用低介电常数的介电层，以降低电阻电容延迟(resistance
‑
capacitance(RC)delay)。然而，在电容器区中的介电层采用低介电常数的介电层的情况下，会降低电容器的电容值。因此需要加大电容器的面积，以获得具有所需电容值的电容器。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种电容器结构及其制造方法，其可提升电容器区中的电容器的电容值，且可同时降低非电容器区中的电阻电容延迟。
[0004]本专利技术提出一种电容器结构，包括基底、至少一个第一介电层、至少一个第二介电层、电容器与内连线结构。基底包括电容器区与非电容器区。第一介电层位于电容器区与非电容器区中的基底上。第二介电层位于非电容器区中的基底上。至少一部分第二介电层位于第一介电层中。第二介本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电容器结构，包括：基底，包括电容器区与非电容器区；至少一个第一介电层，位于所述电容器区与所述非电容器区中的所述基底上；至少一个第二介电层，位于所述非电容器区中的所述基底上，其中至少一部分所述第二介电层位于所述第一介电层中，所述第二介电层的材料与至少一部分所述第一介电层的材料不同，且所述第二介电层的介电常数小于至少一部分所述第一介电层的介电常数；电容器，位于所述电容器区中的至少一个所述第一介电层中，且包括彼此电性绝缘的两个电极；以及内连线结构，位于所述非电容器区中的至少一个所述第二介电层中。2.如权利要求1所述的电容器结构，其中所述第二介电层的材料与所述第一介电层的材料完全不同。3.如权利要求1所述的电容器结构，其中所述第二介电层的介电常数小于整个所述第一介电层的介电常数。4.如权利要求1所述的电容器结构，其中整个所述第二介电层位于所述第一介电层中。5.如权利要求1所述的电容器结构，其中所述第一导电结构与所述第二导电结构包括双镶嵌结构或单镶嵌结构。6.如权利要求1所述的电容器结构，其中所述电极包括至少一个第一导电结构，所述第一导电结构包括第一导电层，所述内连线结构包括至少一个第二导电结构，且所述第二导电结构包括第二导电层。7.如权利要求6所述的电容器结构，其中所述第二导电层的底面低于所述第一导电层的底面。8.如权利要求6所述的电容器结构，其中所述第二导电层的底面与所述第一导电层的底面等高。9.如权利要求6所述的电容器结构，其中所述第一导电结构还包括第一导电通孔，所述第一导电通孔位于所述第一导电层下方且电性连接于所述第一导电层，所述第二导电结构还包括第二导电通孔，且所述第二导电通孔位于所述第二导电层下方且电性连接于所述第二导电层。10.如权利要求9所述的电容器结构，其中所述第一导电层与所述第一导电通孔为一体成型，且所述第二导电层与所述第二导电通孔为一体成型。11.如权利要求9所述的电容器结构，其中所述第一导电层与所述第一导电通孔为彼此独立的构件，且所述第二导电层与所述第二导电通孔为彼此独立的构件。12.如权利要求9所述的电容器结构，其中所述第一介电层与所述第二介电层包括单层结构。13.如权利要求9所述的电容器结构，其中所述第一介电层与所述第二介电层包括多层结构。14.如权利要求13所述的电容器结构，其中
所述第一介电层包括：第一介电材料层，其中所述第一导电通孔位于所述第一介电材料层中；以及第二介电材料层，位于所述第一介电材料层上，其中所述第一导电层位于所述第二介电材料层中，且所述第二介电层包括：第三介电材料层，其中所述第三介电材料层位于所述第一介电材料层中，且所述第二导电通孔位于所述第三介电材料层...

【专利技术属性】
技术研发人员：李世平，童世然，李思齐，
申请(专利权)人：力晶积成电子制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：