电致发光器件、其制作方法及显示装置制造方法及图纸

本申请实施例提供了一种电致发光器件、其制作方法及显示装置。该电致发光器件包括阳极、位于阳极一侧的电子阻挡层、位于电子阻挡层远离阳极一侧的发光层、位于发光层远离阳极一侧的空穴阻挡层以及位于第二发光层远离阳极一侧的阴极。其中，发光层包括第一发光层和第二发光层，第一发光层和第二发光层均包括主体材料和客体材料，且第一发光层的材料掺杂有电子阻挡材料，或者第二发光层的材料掺杂有空穴阻挡材料。本实施例中的发光层结构能够平衡电子和空穴在发光层中的传输能力，从而降低TTA和TPA发生的概率，不仅能够提升电致发光器件的效率，降低能耗，而且有利于提升电致发光器件的使用寿命。器件的使用寿命。器件的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
电致发光器件、其制作方法及显示装置


[0001]本申请涉及显示领域，具体而言，本申请涉及一种电致发光器件、其制作方法及显示装置。

技术介绍

[0002]磷光材料的三线态激子能通过辐射跃迁发射光子，使得磷光OLED(Organic Light
‑
Emitting Diode，有机发光二极管)的最高内量子效率理论上可达到100％，相对于只有含量为25％的单线态激子能够通过辐射跃迁产生光子的荧光材料来说，具有显著优势。
[0003]相比于单线态激子，三线态激子寿命较长，发生辐射跃迁之前，有一定概率发生三线态
‑
三线态湮灭(TTA)和三线态
‑
极化子湮灭(TPA)，这就造成了三线态激子的损失，进而造成了器件效率的降低。并且随着亮度(或电流密度)的增大，三线态激子和极化子浓度逐渐增高，TTA和TPA更为严重，器件效率将出现剧烈降低，这就是绝大多数磷光OLED都面临的共同问题：效率滚降。而效率的降低会导致OLED的能耗的增大，TTA和TPA过程产生的热量也会降低磷光OLED器件的使用寿命，这些都不利于磷光OLED的商业使用。

技术实现思路

[0004]本申请针对现有方式的缺点，提出一种电致发光器件、其制作方法及显示装置，能够改善现有电致发光器件的效率滚降问题，提升器件的使用寿命。
[0005]第一个方面，本申请实施例提供了一种电致发光器件，包括：
[0006]阳极；
[0007]电子阻挡层，位于阳极的一侧；
[0008]发光层，包括第一发光层和第二发光层，所述第一发光层位于所述电子阻挡层远离所述阳极的一侧，所述第二发光层位于所述第一发光层远离所述阳极的一侧；
[0009]空穴阻挡层，位于所述发光层远离所述阳极的一侧；
[0010]阴极，位于所述第二发光层远离所述阳极的一侧；
[0011]其中，所述第一发光层和所述第二发光层均包括主体材料和客体材料，且所述第一发光层的材料掺杂有电子阻挡材料，或者所述第二发光层的材料掺杂有空穴阻挡材料。
[0012]可选地，所述主体材料的激发三重态能级为2eV至3eV，HOMO能级为
‑
5eV至
‑
6eV，LUMO能级为
‑
2eV至
‑
3eV；所述客体材料的激发三重态能级为2eV至3eV，HOMO能级为
‑
5eV至
‑
6eV，LUMO能级为
‑
2eV至
‑
3eV。
[0013]可选地，所述主体材料的电子迁移率大于空穴迁移率，所述第一发光层的材料掺杂有电子阻挡材料。
[0014]可选地，所述主体材料的电子迁移率为10
‑5cm2/VS至10
‑7cm2/VS，所述主体材料的空穴迁移率为10
‑6cm2/VS至10
‑8cm2/VS。
[0015]可选地，所述主体材料包括Alq3、TPBi以及TAZ1中的一种或多种。
[0016]可选地，所述主体材料的电子迁移率小于空穴迁移率，所述第二发光层的材料掺杂有空穴阻挡材料。
[0017]可选地，所述主体材料的电子迁移率为10
‑6cm2/VS至10
‑8cm2/VS，所述主体材料的空穴迁移率为10
‑4cm2/VS至10
‑6cm2/VS。
[0018]可选地，所述主体材料包括CFL。
[0019]可选地，所述空穴阻挡层的空穴迁移率为10
‑3cm2/VS至10
‑5cm2/VS，所述电子阻挡层的电子迁移率为10
‑5cm2/VS至10
‑7cm2/VS。
[0020]可选地，所述电子阻挡材料可包括TPDI和TBDI中的一种或多种，所述空穴阻挡层的材料包括BCP和TPbB中的一种或多种。
[0021]可选地，所述客体材料为Btp2Ir(acac)。
[0022]可选地，所述电致发光器件还包括：
[0023]空穴注入层，位于所述阳极和所述电子阻挡层之间；
[0024]空穴传输层，位于所述空穴注入层和所述电子阻挡层之间；
[0025]电子传输层，位于所述空穴阻挡层和所述阴极之间；
[0026]电子注入层，位于所述电子传输层和所述阴极之间。
[0027]可选地，所述空穴注入层的材料包括CuPc和F4
‑
TCNQ中的一种或多种；所述空穴传输层的材料包括NPB和spiro
‑
TAD中的一种或多种；所述电子传输层的材料包括TmPyPB和SPPO13中的一种或多种；所述电子注入层的材料包括氟化锂和金属镱中的一种或多种。
[0028]第二个方面，本申请实施例提供了一种显示装置，包括上述的电致发光器件。
[0029]第三个方面，本申请实施例提供了一种电致发光器件的制作方法，包括：
[0030]在阳极上形成电子阻挡层；
[0031]在所述电子阻挡层远离所述阳极的一侧形成发光层，所述发光层包括第一发光层和第二发光层；
[0032]在所述发光层远离所述阳极的一侧形成空穴阻挡层；
[0033]在所述空穴阻挡层远离所述阳极的一侧形成阴极；
[0034]其中，所述第一发光层和所述第二发光层均包括主体材料和客体材料，且所述第一发光层的材料掺杂有电子阻挡材料，或者所述第二发光层的材料掺杂有空穴阻挡材料。
[0035]可选地，所述主体材料的电子迁移率大于空穴迁移率；在所述电子阻挡层远离所述阳极的一侧形成发光层，包括：
[0036]采用混合蒸镀法，将所述主体材料、所述客体材料和电子阻挡材料蒸镀在所述电子阻挡层远离所述阳极的一侧，以作为第一发光层；
[0037]采用混合蒸镀法，将所述主体材料和所述客体材料蒸镀在所述第一发光层远离所述阳极的一侧，以作为第二发光层。
[0038]可选地，所述主体材料的电子迁移率小于空穴迁移率，在所述电子阻挡层远离所述阳极的一侧形成发光层，包括：
[0039]采用混合蒸镀法，将所述主体材料和所述客体材料蒸镀在所述电子阻挡层远离所述阳极的一侧，以作为第一发光层；
[0040]采用混合蒸镀法，将所述主体材料、所述客体材料和空穴阻挡材料蒸镀在所述第一发光层远离所述阳极的一侧，以作为第二发光层
[0041]可选地，所述的电致发光器件的制作方法还包括：
[0042]在阳极上形成电子阻挡层之前，在所述阳极上依次形成空穴注入层和空穴传输层；
[0043]在所述空穴阻挡层远离所述阳极的一侧形成阴极之前，在所述电子阻挡层上一次形成电子传输层和电子注入层。
[0044]本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果是：
[0045]本申请实施例提供的电致发光器件、其制作方法及显示装置，发光层包括第一发光层和第二发光层，且第一发光层和第二发光层除了主体材料和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电致发光器件，其特征在于，包括：阳极；电子阻挡层，位于阳极的一侧；发光层，包括第一发光层和第二发光层，所述第一发光层位于所述电子阻挡层远离所述阳极的一侧，所述第二发光层位于所述第一发光层远离所述阳极的一侧；空穴阻挡层，位于所述发光层远离所述阳极的一侧；阴极，位于所述第二发光层远离所述阳极的一侧；其中，所述第一发光层和所述第二发光层均包括主体材料和客体材料，且所述第一发光层的材料掺杂有电子阻挡材料，或者所述第二发光层的材料掺杂有空穴阻挡材料。2.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述主体材料的激发三重态能级为2eV至3eV，HOMO能级为
‑
5eV至
‑
6eV，LUMO能级为
‑
2eV至
‑
3eV；所述客体材料的激发三重态能级为2eV至3eV，HOMO能级为
‑
5eV至
‑
6eV，LUMO能级为
‑
2eV至
‑
3eV。3.根据权利要求2所述的电致发光器件，其特征在于，所述主体材料的电子迁移率大于空穴迁移率，所述第一发光层的材料掺杂有电子阻挡材料。4.根据权利要求3所述的电致发光器件，其特征在于，所述主体材料的电子迁移率为10
‑5cm2/VS至10
‑7cm2/VS，所述主体材料的空穴迁移率为10
‑6cm2/VS至10
‑8cm2/VS。5.根据权利要求4所述的电致发光器件，其特征在于，所述主体材料包括Alq3、TPBi以及TAZ1中的一种或多种。6.根据权利要求4所述的电致发光器件，其特征在于，所述主体材料的电子迁移率小于空穴迁移率，所述第二发光层的材料掺杂有空穴阻挡材料。7.根据权利要求6所述的电致发光器件，其特征在于，所述主体材料的电子迁移率为10
‑6cm2/VS至10
‑8cm2/VS，所述主体材料的空穴迁移率为10
‑4cm2/VS至10
‑6cm2/VS。8.根据权利要求7所述的电致发光器件，其特征在于，所述主体材料包括CFL。9.根据权利要求1
‑
8中任一项所述的电致发光器件，其特征在于，所述空穴阻挡层的空穴迁移率为10
‑3cm2/VS至10
‑5cm2/VS，所述电子阻挡层的电子迁移率为10
‑5cm2/VS至10
‑7cm2/VS。10.根据权利要求9所述的电致发光器件，其特征在于，所述电子阻挡材料可包括TPDI和TBDI中的一种或多种，所述空穴阻挡层的材料包括B...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈永红，李彦松，杜小波，周辉，马立辉，
申请(专利权)人：成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：