【技术实现步骤摘要】
一种细等轴晶钨铜薄片及其生产工艺
[0001]本专利技术涉及一种细等轴晶钨铜薄片及其生产工艺,属于金属复合材料的制备工艺领域。
技术介绍
[0002]钨铜合金是由钨和铜所组成的两相均匀分布的既不固溶又不形成化合物的一类复合材料,兼有铜的高导电、导热性能,以及钨的高熔点、低热膨胀等性能。理想的热沉和电子封装材料,必须满足以下几个基本要求:材料的导热性好,能够将半导体芯片在工作时产生的热量及时散发出去;材料的热膨胀系数要与单晶硅和砷化镓等芯片相匹配,以避免芯片的热应力损坏;材料要有足够的强度和刚度,对芯片起到支撑和保护作用;材料的制造成本要尽可能低,以满足大规模商业化应用的要求。
[0003]钨铜合金作为一种复合材料,一方面利用了铜的优良的导热性能,另一方面利用了钨的低膨胀性能,而且可通过钨铜配比的变化来设计和调整材料的热膨胀系数,使之完全与芯片相匹配,同时钨铜合金也具有足够的强度和刚度,可焊性也好,因而钨铜合金成为首选的热沉和封装材料。
[0004]目前,对于厚度≤0.5mm钨铜合金的薄片产品通常采用模压、轧制 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种细等轴晶钨铜薄片,其特征在于,其生产工艺包括以下步骤:(1)冷等静压压制成型将一定质量比例的镍粉加入钨粉中混匀;混匀后的钨粉和镍粉冷等静压压制成型,得到预设厚度的压坯;(2)高温预烧结将压坯高温预烧结得到钨骨架的烧结坯;(3)熔渗将铜熔渗至钨骨架的烧结坯中,得到渗铜坯料;(4)多线切割对渗铜坯料进行磨削处理后多线切割,得到0.2
‑
0.5mm的细等轴晶钨铜薄片;其中,步骤(1)中镍粉的质量比例为2
‰‑4‰
,该质量比例为镍粉质量占镍粉和钨粉混合总质量的百分比;压坯厚度小于等于50mm;步骤(2)中预烧结温度为1100
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1350℃,预烧结温度由钨骨架密度决定;高温保温时间为30
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120min;步骤(3)中熔渗温度为1200
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1350℃,熔渗保温时间120
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240min。2.根据权利要求1所述的细等轴晶钨铜薄片,其特征在于,钨粉费氏粒度小于4μm,镍粉费氏粒度小于5μm。3.根据权利要求1所述的细等轴晶钨铜薄片,其特征在于,渗铜坯料中钨的重量百分比含量为80%
‑
93%,铜的重量百分比含量为7%
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20%。4.根据权利要求1所述的细等轴晶钨铜薄片,其特征在于,钨粉采用气流破碎法制备,镍粉在粉末研磨罐中研磨至镍粉的最大颗粒直径小于等于15um,且最大颗粒直径的镍粉比例小于等于0.5%。5.根据权利要求1
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4任一项所述的细等轴晶钨铜薄片,其特征在于,细等轴晶钨铜薄片能够用于芯片封装材料。6.一种细等轴晶钨铜薄片的生产工艺,其特征在于,该工艺包括以下步骤:(1)冷等静压压制成型将一定质量比例的镍粉加入钨粉中混匀;混匀后的钨...
【专利技术属性】
技术研发人员:熊宁,韩蕊蕊,张保红,刘俊海,张建伟,杨玉娟,梁立红,李达,
申请(专利权)人:安泰天龙钨钼科技有限公司安泰科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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