一种改善金属沉积台阶覆盖的方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种改善金属沉积台阶覆盖的方法和装置，采用化学气相沉积工艺在晶圆表面沉积均匀厚度的氧化层；在氧化层表面形成掩膜图形；根据掩膜图形，采用蒸发工艺或溅射工艺在氧化层表面沉积第一金属层。本申请保证了金属层的沉积质量，有效地提高了金属层与氧化层之间的接触，通过蒸发工艺或溅射工艺实现了金属层的有效沉积，改善了金属层的台阶覆盖性，大大地提高了功率半导体器件的工艺稳定性，进而提高功率半导体器件的良品率。而提高功率半导体器件的良品率。而提高功率半导体器件的良品率。

【技术实现步骤摘要】
一种改善金属沉积台阶覆盖的方法和装置


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种改善金属沉积台阶覆盖的方法和装置。

技术介绍

[0002]在功率半导体器件的制备过程中，金属的沉积过程是形成金半接触(即金属和半导体的接触)重要的环节。当晶圆表面经过刻蚀后，会形成特征尺寸较小的结构。在金属沉积的过程中，金属如何有效地填充在尺寸较小的结构中，实现良好的台阶覆盖，成为了亟需解决的技术问题。
[0003]良好的台阶覆盖主要表现在以下几个方面：
①
良好的台阶覆盖能力；
②
较高的填充深宽比；
③
较高的厚度均匀性；
④
高纯度及高密度；
⑤
较高的结构完整性及较低的膜应力；
⑥
与晶圆或下层结构具有较好的粘附性。然而在功率半导体器件的加工工艺中，如果不能很好地控制加工工艺的条件，则容易在尖角处或者沿着垂直侧壁和底部出现金属膜厚度不均匀的现象，导致功率半导体器件良品率低。

技术实现思路

[0004]为了克服上述现有技术中功率半本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善金属沉积台阶覆盖的方法，其特征在于，包括：采用化学气相沉积工艺在晶圆表面沉积均匀厚度的氧化层；在所述氧化层表面形成掩膜图形；根据所述掩膜图形，采用蒸发工艺或溅射工艺在氧化层表面沉积第一金属层。2.根据权利要求1所述的改善金属沉积台阶覆盖的方法，其特征在于，所述在氧化层表面形成掩膜图形，包括：采用涂胶工艺在所述氧化层表面涂覆均匀厚度的光刻胶；采用光刻工艺对涂胶后的晶圆进行光刻，得到掩膜图形；根据掩膜图形，并采用干法刻蚀工艺对所述氧化层进行刻蚀，将所述掩膜图形转移至所述氧化层。3.根据权利要求2所述的改善金属沉积台阶覆盖的方法，其特征在于，所述采用涂胶工艺在所述氧化层表面涂覆均匀厚度的光刻胶之前，所述方法还包括：采用增粘剂对所述氧化层表面进行增粘处理；所述增粘剂厚度为5.0nm～30.0nm。4.根据权利要求2所述的改善金属沉积台阶覆盖的方法，其特征在于，所述根据掩膜图形，并采用干法刻蚀工艺对所述氧化层进行刻蚀，将所述掩膜图形转移至所述氧化层之后，所述方法还包括：采用去胶工艺去除所述光刻胶。5.根据权利要求2所述的改善金属沉积台阶覆盖的方法，其特征在于，所述采用光刻工艺对涂胶后的晶圆进行光刻，得到掩膜图形，包括：在预设的烘烤温度和预设的烘烤时长下，对涂胶后的晶圆进行烘烤；对烘烤后的晶圆进行曝光；在预设的显影时长下，采用显影液对曝光后的晶圆进行清洗，以去除所述显影液及溶解的光刻胶残渣，得到所述掩膜图形。6.根据权利要求5所述的改善金属沉积台阶覆盖的方法，其特征在于，所述预设的烘烤温度为50℃～180℃；所述预设的烘烤时长为60s～300s。7.根据权利要求1所述的改善金属沉积台阶覆盖的方法，其特征在于，所述根据所述掩膜图形，采用蒸发工艺或溅射工艺在氧化层表面沉积第一金属层，包括：根据所述掩膜图形，在常温或者预设的加热温度下，采用蒸发工艺或溅射工艺在氧化层表面沉积所述第一金属层。8.根据权利要求7所述的改善金属沉积台阶覆盖的方法，其特征在于，所述第一金属层为钛；所述第一金属层的厚度为10nm～200nm；所述预设的加热温度为50℃～200℃。9.根据权利要求1所述的改善金属沉积台阶覆盖的方法，其特征在于，所述根据所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：武晓玮，董佳俊，赵万利，
申请(专利权)人：国家电网有限公司国网江苏省电力有限公司电力科学研究院，
类型：发明
国别省市：