一种压力检测结构以及制备方法技术

本发明专利技术涉及一种压力检测结构以及制备方法。一种压力检测结构，包括：衬底；位于衬底上的金属互连层；位于金属互联层上方的多个RRAM存储单元，每个存储单元通过一一对应的第一金属栓塞与金属互联层连接；每个RRAM存储单元上方一一对应设有一个压阻式传感器单元，并且每个RRAM存储单元与其对应的压阻式传感器单元通过第二金属栓塞连接。本发明专利技术将压力传感器单元和RRAM单元串联一起实现了压力传感信号的存储，无需经过模数转换器和寄存器就能实现对传感信号的存储，从而提升了信息传输效率和能效，降低了功耗。降低了功耗。降低了功耗。

【技术实现步骤摘要】
一种压力检测结构以及制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件领域，特别涉及一种压力检测结构以及制备方法。

技术介绍

[0002]压力检测技术常应用于可穿戴设备、智能家居、仿生假肢、智能机器人等应用，要求能分辨压力的大小和空间分布等特征，进而实现例如动作姿势识别和健康监控等更复杂的功能。传统的压力传感器的压力信号是易失的，即当外界压力撤去后，压力传感器恢复至初始状态，之前的压力信号丢失，所以需要对压力传感器的信号进行存储用于后续的信号处理，通常需要通过模数转换器将压力传感器受压后的模拟信号转变成数字信号，然后将数字信号存入寄储器中，实现传感信息的缓存，但是这个过程将带来额外的成本、能耗、信号传递延迟以及模数转换过程中引入的量化噪声。因此传统的压力传感器逐渐难以满足物联网日益对传感系统的需求。
[0003]为此，提出本专利技术。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的在于提供一种压力检测结构以及制备方法，将压力传感器单元和RRAM单元串联一起实现了压力传感信号的存储，无需经过模数转换器和寄存器就能实现对传感信号本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种压力检测结构，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的金属互连层；位于所述金属互联层上方的多个RRAM存储单元，每个存储单元通过一一对应的第一金属栓塞与所述金属互联层连接；每个所述RRAM存储单元上方一一对应设有一个压阻式传感器单元，并且每个所述RRAM存储单元与其对应的压阻式传感器单元通过第二金属栓塞连接，并且多个所述RRAM存储单元通过所述金属互联层实现互联。2.根据权利要求1所述的压力检测结构，其特征在于，所述衬底与所述金属互联层还间隔有第一介质层，并且所述第一介质层设有凹槽，所述金属互联层位于所述凹槽内，所述第一金属栓塞的侧壁被阻挡层包围。3.根据权利要求1所述的压力检测结构，其特征在于，所述RRAM存储单元包括由下至上堆叠的：底电极层、阻变层、顶电极层，所述第一金属栓塞连通所述底电极层与所述金属互联层；所述底电极层和所述顶电极层各自独立地优选选自TiN、TaN、WN、钽、铂、钨、钯中的至少一种材料，所述阻变层优选选自TaO
x
、HfO2、WO
x
、ZrO
x
、Al2O3、TiO
x
、ZnO、ZnO的掺杂物中的至少一种。4.根据权利要求3所述的压力检测结构，其特征在于，所述压阻式传感器单元包括由下至上堆叠的：下电极层、压敏薄膜层和上电极层，所述第二金属栓塞连通所述下电极层与所述顶电极层；所述压阻式传感器单元优选为受压导致电...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾祥雯，肖韩，王荣，叶乐，黄如，
申请(专利权)人：浙江省北大信息技术高等研究院，
类型：发明
国别省市：