【技术实现步骤摘要】
一种Fe3O4/SiC
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/Si3N4复合吸波陶瓷及其制备方法
[0001]本专利技术涉及一种Fe3O4/SiC
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/Si3N4复合吸波陶瓷的制备方法，属于雷达波吸波材料领域。
技术介绍
[0002]随着电子工业和无线通信的快速发展，电磁微波被广泛地应用于通信、军事和制药领域。不幸的是，来自雷达和家用电器的电磁干扰污染将带来许多问题，例如威胁人类健康、造成感官和免疫力下降。吸波材料可以将电磁波能量转化为热能等能量方式衰减电磁波，是一种有效的解决方案。
[0003]SiC
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/Si3N4陶瓷材料因其力学性能优良、耐高温、抗氧化和电磁性能可调可控等优点,可实现吸波隐身与承载一体化的功能，但由于损耗方式单一造成其吸波频带窄，将介电损耗和磁损耗相结合是实现宽频吸波的一种有效的方法。其中，环保型Fe3O4因其较强的铁磁特性、导电性好、介电常数适中、居里温度高，既有利于磁损耗，也有利于介电损耗，是一种理想的候选材料。
[0004]目前关于介电损耗和磁损耗相结合的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种Fe3O4/SiC
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/Si3N4复相陶瓷吸波材料，其特征在在于，包括：多孔氮化硅基体，以及原位生长在多孔氮化硅基体中孔结构的SiC纳米线和Fe3O4纳米颗粒；所述SiC纳米线占多孔氮化硅基体质量的5～25wt％；所述Fe3O4纳米颗粒占多孔氮化硅基体质量的2～20wt％。2.根据权利要求1所述的Fe3O4/SiC
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/Si3N4复相陶瓷吸波材料，其特征在于，所述多孔氮化硅基体的孔隙率为45～70％，孔径为5～50μm。3.根据权利要求1或2所述的Fe3O4/SiC
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/Si3N4复相陶瓷吸波材料，其特征在于，所述SiC纳米线的直径为50～300nm，长度为5～40μm；所述Fe3O4纳米颗粒的粒径为50～400nm。4.一种如权利要求1
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3中任一项所述的Fe3O4/SiC
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/Si3N4复相陶瓷吸波材料的制备方法，其特征在于，包括：(1)将多孔氮化硅基体真空浸渍于聚碳硅烷PCS溶液中，再经交联固化、裂解和热处理，得到SiC
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/Si3N4复相陶瓷；(2)将SiC
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/Si3N4复相陶瓷真空浸渍于铁源前驱体溶液中，取出后再浸泡在氨水中进行超声反应；(3)重复步骤(2)至少1次，得到所述Fe3O4/SiC
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/Si3N4复相陶瓷吸波材料。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，包括：所述交联固化的温度为100～300℃，保温时间为1～3h；优选地，所述交联固化的升温速率为0.5～2.5℃/min；所述裂解的温度为750～950℃，保温时间为1～3h；优选地，所述裂解的升温速率为0.5～2.5℃/min所述热处理的温度为1300～1600℃，保温时间为1～3h；优选地，所述热处理的升温速率为2～5℃/min。6.根据权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述交联固化、裂解和热处理所用的气氛均为氩气；热处理后的冷却方式为随炉冷却。7.根据权利要求4
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6中任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，包括：所述PC...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚秀敏，拜佳霖，刘学建，黄诗杰，黄政仁，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：
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