【技术实现步骤摘要】
构建电源平面中的原位电感器结构
技术介绍
[0001]类似于电容器，电感器结构可以作为分立部件放置在封装衬底的连接盘侧或管芯侧。另外，还提供了基于封装衬底芯的磁电感器，其使用磁性镀覆通孔。
[0002]然而，通过镀覆通孔提供的磁电感器仅可用于其中封装芯足够厚以提供由通孔的长度给定的必要电感的服务器封装。在这种镀覆通孔架构中，仅相对低的μ
r
磁性材料可以用于电感器，因为必须使用磁浆来堵塞PTH，所述磁浆由围绕高μ
r
颗粒的非磁性(μ
r
＝1)基质组成。
[0003]连接盘侧和管芯侧磁电感器占用封装上的空间，这可能需要增大封装尺寸，并因此潜在地侵占球栅阵列或连接盘栅格阵列。由于这些电感器到管芯的距离，可能进一步发生附加的电感器损耗。
附图说明
[0004]图1示出了根据第一实施例的电感器架构，其中磁性结构的磁性材料共形地环绕嵌入于其中的两个导电结构。
[0005]图2示出了磁芯电感器架构，其中导电结构环绕/螺旋围绕磁性结构，其中磁性结构是包括磁性材料的磁芯。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电感器结构，包括：导电体；以及磁性结构，包括非导电磁性材料，其中：所述磁性结构或所述导电体中的一个环绕所述磁性结构或所述导电体中的另一个，以由此形成所述电感器结构；并且所述导电体或所述磁性结构中的至少一个具有粒状微结构，所述粒状微结构包括随机分布的颗粒，所述随机分布的颗粒彼此之间呈现基本上非线性的颗粒与颗粒边界。2.根据权利要求1所述的电感器结构，其中，所述磁性结构共形地环绕所述导电体并且与所述导电体相邻。3.根据权利要求1所述的电感器结构，其中，所述导电体环绕所述磁性结构。4.根据权利要求1
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3中的任一项所述的电感器结构，其中，所述颗粒具有范围从约10微米至约100微米的尺寸。5.根据权利要求1
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3中的任一项所述的电感器结构，其中，所述粒状微结构具有约5％的最大孔隙率。6.根据权利要求1
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3中的任一项所述的电感器结构，其中，所述磁性材料不包括有机成分。7.根据权利要求1
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3中的任一项所述的电感器结构，其中，所述磁性材料包括以下中的一种：由相同材料制成的颗粒；或包括磁性颗粒和非磁性颗粒两者的颗粒。8.根据权利要求7所述的电感器结构，其中，所述磁性材料包括以下中的一种：包括氧化铁的颗粒；包括二氧化铬的颗粒；形成复合物的颗粒，所述复合物包括：包括氧化铝、氮化硅或氮化铁的颗粒中的至少一种；以及包括铁镍或钐钴的颗粒中的至少一种；或者形成复合物的颗粒，所述复合物包括钒铁氧体颗粒和氧化钒颗粒；或者形成复合物的颗粒，所述复合物包括：包括硅、二氧化硅或氧化铝的颗粒中的至少一种；以及钕颗粒。9.根据权利要求1
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3中的任一项所述的电感器结构，其中，以下各项中的至少一项：所述导电体具有约10微米的最小厚度；或者所述磁性结构具有约10微米的最小厚度。10.根据权利要求1
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3中的任一项所述的电感器结构，还包括缓冲层，所述缓冲层与所述电感器结构相邻，其中，所述缓冲层与所述磁性结构之间的界面与所述构建层之间的界面相比具有非平坦配置，其中，所述磁性结构的一些颗粒至少部分地嵌入所述缓冲层的凹槽内。11.根据权利要求10所述的电感器结构，其中，所述缓冲层包括呈现所述缓冲层与所述磁性结构之间的界面并且由铟、银、金、锡、铅或其合金制成的层。12.根据权利要求10所述的电感器结构，其中，所述缓冲层包括延伸超过所述构建层上的与所述构建层中的所述一个构建层相邻的所述电感器结构的覆盖区域形状的延伸区域。
13.一种封装衬底，所述封装衬底包括多个构建层，所述构建层中的每一个包括电介质材料、电源平面和导电过孔；以及在所述构建层中的一个构建层中的电感器结构，所述电感器结构包括：导电体；以及磁性结构，包括非导电磁性材料，其中：所述磁性结构或所述导电体中的一个环绕所述磁性结构或所述导电体中的另一个，以由此形成所述电感器结构；并且所述导电体或所述磁性结构中的至少一个具有粒状微结构，所述粒状微结构包括随机分布的颗粒，所述随机分布的颗粒彼此之间呈现基本上非线性的颗粒与颗粒边界。14.根据权利要求13所述的封装衬底，其中，所述磁性结构共形地环绕所述导电体并且与所述导电体相邻。15.根据权利要求13所述的封装衬底，其中，所述导电体环绕所述磁性结构。16.根据权利要求13
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