具有改善的阻抗的电气互连件制造技术

一种装置包括互连件，所述互连件包括：导电芯体；第一导电层，所述第一导电层连接到所述导电芯体，并朝向所述导电芯体的第一端与所述导电芯体平行地延伸；第二导电层，所述第二导电层连接到所述导电芯体，并朝向所述导电芯体的第二端与所述导电芯体平行地延伸；第一非导电层，所述第一非导电层位于所述导电芯体和所述第一导电层之间；以及第二非导电层，所述第二非导电层位于所述第一导电层和所述第二导电层之间。导电层之间。导电层之间。

【技术实现步骤摘要】
具有改善的阻抗的电气互连件


[0001]本公开涉及电气领域，特别是，涉及具有改善的阻抗的电气互连件。

技术介绍

[0002]电气互连件可将电气平台的组件连接在一起。作为一个示例，互连件可包括一个或多个引脚。引脚可包括导电材料(例如，金属)。

技术实现思路

[0003]本公开的一方面提供一种装置，所述装置包括：互连件，所述互连件包括：导电芯体；第一导电层，所述第一导电层连接到所述导电芯体，并朝向所述导电芯体的第一端与所述导电芯体平行地延伸；第二导电层，所述第二导电层连接到所述导电芯体，并朝向所述导电芯体的第二端与所述导电芯体平行地延伸；第一非导电层，所述第一非导电层位于所述导电芯体和所述第一导电层之间；以及第二非导电层，所述第二非导电层位于所述第一导电层和所述第二导电层之间。
[0004]本公开的另一方面提供一种方法，所述方法包括：形成导电芯体；形成第一导电层，所述第一导电层连接到所述导电芯体，并朝向所述导电芯体的第一端与所述导电芯体平行地延伸；形成第二导电层，所述第二导电层连接到所述导电芯体，并朝向所述导电芯体的第二端与本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种装置，所述装置包括：互连件，所述互连件包括：导电芯体；第一导电层，所述第一导电层连接到所述导电芯体，并朝向所述导电芯体的第一端与所述导电芯体平行地延伸；第二导电层，所述第二导电层连接到所述导电芯体，并朝向所述导电芯体的第二端与所述导电芯体平行地延伸；第一非导电层，所述第一非导电层位于所述导电芯体和所述第一导电层之间；以及第二非导电层，所述第二非导电层位于所述第一导电层和所述第二导电层之间。2.如权利要求1所述的装置，其中，所述互连件包括圆柱形引脚。3.如权利要求1所述的装置，其中，所述互连件包括平面引脚。4.如权利要求1所述的装置，其中，所述导电芯体具有圆柱形形状。5.如权利要求4所述的装置，其中，所述互连件还包括位于所述导电芯体内的弹簧。6.如权利要求1
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5中的任一项所述的装置，所述互连件还包括：第三导电层，所述第三导电层连接到所述导电芯体和所述第一导电层，并朝向所述导电芯体的第一端与所述导电芯体平行地延伸；第四导电层，所述第四导电层连接到所述导电芯体和所述第二导电层，并朝向所述导电芯体的第二端与所述导电芯体平行地延伸；第三非导电层，所述第三非导电层位于所述第二导电层和所述第三导电层之间；以及第四非导电层，所述第四非导电层位于所述第三导电层和所述第四导电层之间。7.如权利要求1
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5中的任一项所述的装置，其中，所述第二非导电层的介电常数大于四。8.如权利要求1
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5中的任一项所述的装置，其中，所述第一导电层和所述第二导电层均在所述导电芯体的长度的大部分上与所述导电芯体平行。9.如权利要求1
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2、4
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8中的任一项所述的装置，其中，所述互连件是嵌入在印刷电路板中的圆柱形互连件。10.如权利要求1或3中的任一项所述的装置，其中，所述互连件是嵌入在印刷电路板中的平面互连件。11.如权利要求1
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5中的任一项所述的装置，还包括半导体封装，所述半导体封装包括所述互连件。12.如权利要求11所述的装置，所述半导体封装还包括存储器芯片。13.如权利要求12所述的装置，所述半导体封装还包括处理器单元。14.如权利要求13所述的装置，还包括：与所述处理器单元通信地耦合的电池、与所述处理器单元通信地耦合的显示器、或者与所述处理器单...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜大桥，周珍，伊斯梅尔，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：