【技术实现步骤摘要】
其中，d1为波导环波导宽度；d2为相邻圈次波导间的边界间距；d3为波导环周期边缘波导与周期边界的间距，d3=d2/2。
[0011]优选的，设定第一层所述波导层的最内圈所述波导环半径为R1，第三层所述波导层的最内圈所述波导环半径为R2，则有R2‑
R1=d1+d2；且第一层所述波导层的最内圈所述波导环以R3为半径弯曲延伸后依次经第二层所述波导层中继、半径分别为R4和R5的相切圆弧后与第三层所述波导层平滑过渡。
[0012]优选的，第一层所述波导层的输出端、第二层所述波导层的两端以及第三层所述波导层的输入端均设置成锥形；设定d4为锥形波导长度，d5为耦合区长度，d6为第一波导层锥形波导末端与第三波导层锥形波导末端在波导环面切向方向投影的最短距离。
[0013]优选的，层内波导有限区域的张角θ计算公式如下：；其中，R6和R7分别为任意相邻圈次波导的弯曲半径；R8和R9为张角θ对应的两段相切圆弧的半径。
[0014]优选的，第一层的所述波导层的最外圈波导环以及第三层的所述波导层的最外圈均通过两段相切半径分别为R
10>和R
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种单基片上低损耗四级对称光学波导环，其特征在于：包括si基层和设置于所述si基层上的多层波导层，每层所述波导层外均设置有SiO2包层，所述波导层的折射率大于所述SiO2包层的折射率；每层所述波导层上均设置有多圈波导环，相邻圈次之间经层内波导有限区域平滑过渡；相邻两层所述波导层经层叠锥形结构垂直耦合。2.根据权利要求1所述的一种单基片上低损耗四级对称光学波导环，其特征在于：所述si基层上设置有三层所述波导层，第一层所述波导层和第三层所述波导层均为波导干涉环层，第二层所述波导层为过渡层。3.根据权利要求2所述的一种单基片上低损耗四级对称光学波导环，其特征在于：第一层所述波导层与第三层所述波导层呈四级对称构型后周期排布。4.根据权利要求3所述的一种单基片上低损耗四级对称光学波导环，其特征在于：第一层所述波导层上的相邻两圈波导环与同一圈上的第三层所述波导层上的相邻两圈所述波导环同心交错布置且半径等差。5.根据权利要求4所述的一种单基片上低损耗四级对称光学波导环，其特征在于：波导环周期长度L
τ
为：L
τ
=4d1+3d2+2d3其中，d1为波导环波导宽度；d2为相邻圈次波导间的边界间距；d3为波导环周期边缘波导与周期边界的间距，d3=d2/2。6.根据权利要求5所述的一种单基片上低损耗四级对称光学波导环，其特征在于：设定第一层所述波导层的最内圈所述波导环半径为R1，...
【专利技术属性】
技术研发人员：焦洪臣，冯丽爽，孙道鑫，王凌宇，冯昌坤，马弘昊，
申请(专利权)人：北京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：
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