一种荧光灯用电子镇流器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种荧光灯用电子镇流器，该电子镇流器由电磁干扰抑制电路、主谐波吸收电路、缓启动触发电路、异常状态自保护电路、开关电路及负载谐振电路组成，缓启动触发电路及异常状态自保护电路采用集成电路芯片及分立元件组合成厚膜集成电路，电子镇流器的性能及可靠性符合国家标准要求，且成本低，经济及社会效益显著。（*该技术在2011年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种荧光灯用电子镇流器。现有电子镇流器，普遍存在谐波抑制达不到国家标准要求，电流波峰比过高，EMI滤波不完善，另外，采用了磁环结构，带来元器件筛选麻烦及工作不稳定。本技术的目的在于克服上述现有技术存在的不足之处，优化电路结构，采用集成电路芯片与分立元器件组合而成的厚膜集成电路模块，制造出高性能、高可靠的荧光灯用电子镇流器。为实现上述目的，本技术采用的技术方案是该电子镇流器由电磁干扰抑制电路、主谐波吸收电路、开关电路与负载谐振电路组成，其特征在于在主谐波吸收电路与开关电路之间接有缓启动触发电路及异常状态自保护电路，缓启动触发电路的结构形式为，电阻R1的一端接正电源，另一端与电解电容C1的正极相连，C1的负极接地。从电阻R1与电容C1的相连接点抽出接芯片IC的电源端。电阻R2的一端接正电源，另一端通过电阻R4接地。从电阻R2与电阻R4相连接点抽出接电阻R3，电阻R3的另一端与电解电容C2的正极相连，C2的负极接地。从电阻R3与电容C2相连接点抽出接电阻R5，电阻R5的另一端接到三极管T1的基极，T1的发射极接地，集电极通过电容C3串联电阻R6接到芯片IC的2脚。从电阻R6与电容C3相连接点抽出接芯片IC的3脚，并通过电容C4接芯片IC的4脚，IC的4脚接地。芯片IC的两个输出端分别通过电阻R7、R8接到开关电路中两个开关管的基极，芯片IC的6脚接到开关电路中互感器初级线圈的一端，异常状态自保护电路的结构形式为，从电阻R1与电容C1相连接点抽出接可控晶闸管SCR的阳极，SCR的阴极接地，电阻R10与电容C5并联后接在SCR的控制极与地之间，电阻R11与电解电容C6并联后，再与电阻R9、稳压管DW串联接在SCR的控制极与地之间，电阻R12与二极管D1串联，接在电解电容C6正端与开关电路中互感器次级线圈的一端之间。本技术的优点在于由于在缓启动触发电路及异常状态自保护电路中，采用了集成电路芯片与分立元件组合成集成电路模块，未采用磁环结构，使得启动稳定、安全可靠，从而提高了产品的性能及可靠性，且成本低。附图说明图1为本技术的电路方框图。图2为图1中缓启动触发电路和异常状态自保护电路的具体电路图。图3为图1中主谐波吸收电路一种实施例的具体电路图。结合附图对本技术作进一步详细说明。由图1，本技术由电磁干扰抑制电路1、主谐波吸收电路2、缓启动触发电路3、异常状态自保护电路4、开关电路5及负载谐振电路6组成。电磁干扰抑制电路1有两个作用一是消除外来电磁干扰，二是抑制电子镇流器对电网的干扰，配合主谐波吸收电路起辅助作用。主谐波吸收电路2将电子镇流器输入电流中的2～39次谐波含量控制在国家标准允许的范围内。由图2，缓启动触发电路3的结构形式为，电阻R1的一端接正电源，另一端与电解电容C1的正极相连，C1的负极接地，从电阻R1与电容C1相连接点抽出接芯片IC的电源端，给IC提供工作电压。电阻R2的一端接正电源，另一端通过电阻R4接地。从电阻R2与电阻R4相连接点抽出接电阻R3，电阻R3的另一端与电解电容C2的正极相连，C2的负极接地。从电阻R3与电容C2相连接点抽出接电阻R5，电阻R5的另一端接到三极管T1的基极，T1的发射极接地，集电极通过电容C3串联电阻R6接到芯片IC的2脚。从电阻R6与电容C3相连接点抽出接芯片IC的3脚，并通过电容C4接芯片IC的4脚，IC的4脚接地。电阻R6、电容C4决定芯片IC工作时的输出脉冲频率；芯片IC的两个输出端分别通过电阻R7、R8接到开关电路5中两个开关管的基极，芯片IC的6脚接到开关电路5中互感器初级线圈的一端，由图2，异常状态自保护电路4的结构形式为，从电阻R1与电容C1相连接点抽出接可控晶闸管SCR的阳极，SCR的阴极接地，电阻R10与电容C5并联后接在SCR的控制极与地之间，电阻R11与电容C6并联后，再与电阻R9、稳压管DW串联后接在SCR的控制极与地之间，电阻R12与二极管D1串联，接在电解电容C6正端与开关电路中互感器次级线圈的一端之间，通过从互感器取出经二级管D1与电阻R12，对电容C6充电提供给稳压管DW电压。在本技术中，主谐波吸收电路2除了可采用现有一般的吸收电路外，还可采用如图3所示的电路，其结构形式为，二极管D3与电容C10相并联，串接在电磁干扰抑制电路1正压输出端与缓启动触发电路3中的R1输入端之间，二极管D4与电容C11相并联，串接在电磁干扰抑制电路1负压输出端与缓启动触发电路3的接地端之间，电容C8、C9相串联，接在二极管D3的正极与二极管D4的负极之间，电阻R13与电解电容C12相并联，接在二极管D3的负极与二极管D4的正极之间，从容C8、C9的相连接点抽出接负载谐振电路6。缓启动触发电路3及异常状态自保护电路4均可采用厚膜集成电路模块，提高了生产工艺一次性。本技术的实施过程如下如图1所示，接通220V电源后，经电磁干扰抑制电路1、主谐波吸收电路2输出300V左右的直流电压，由缓启动触发电路3及异常状态自保护电路4送给开关电路5中的两个开关管脉冲触发信号。同时经延时，使灯管获得足够的电压，而激活点燃，在灯启动到刚点燃的1-2秒钟内，高频频率为40KHz左右，经1～2秒钟后，缓启动触发电路3中的三极管T1工作，电容C3与电容C4并联，开关频率由电阻R6、电容C3、C4来决定，改变芯片IC输出脉冲频率，开关电路5中的两个开关管交替导通工作，稳定在25KHz左右。当负载出现过流、短路、灯开路、灯不启动、灯管整流效应等异常状态时，电流回路中的电流超过正常值的几倍以上，这时通过设置在开关电路5中互感器上的取样，经二极管D1整流对电容C6充电，稳压管DW击穿触发SCR导通，异常状态自保护电路5工作。经电阻R1、二极管SCR把提供缓启动触发电路3、两个开关管工作直流电压切断，此时，缓启动触发电路3停止工作，整个电路处于自保护状态。SCR的维护电流由电阻R1提供，待异常状态排除后，接通电源，电子镇流器恢复工作。权利要求1.一种荧光灯用电子镇流器，由电磁干扰抑制电路、主谐波吸收电路、开关电路与负载谐振电路组成，其特征在于在主谐波吸收电路与开关电路之间接有缓启动触发电路(3)及异常状态自保护电路(4)，缓启动触发电路(3)的结构形式为，电阻R1，一端接正电源，另一端与电解电容C1正极相连，C1负极接地，从电阻R1与电容C1相连接点抽出接芯片IC的电源端，电阻R2一端接正电源，另一端通过电阻R4接地，从电阻R2与电阻R4相连接点抽出接电阻R3，电阻R3的另一端与电解电容C2的正极相连，C2的负极接地，从电阻R3与电容C2相连接点抽出接电阻R5，电阻R5的另一端接到三极管T1的基极，T1的发射极接地，集电极通过电容C3串联电阻R6接到芯片IC的2脚，从电阻R6与电容C3相连接点抽出接芯片IC的3脚，并通过电容C4接芯片IC的4脚，IC的4脚接地，芯片IC的两个输出端分别通过电阻R7、R8接到开关电路中两个开关管的基极，芯片IC的6脚接到开关电路中互感器初级线圈的一端，异常状态自保护电路的结构形式为，从电阻R1与电容C1相连接点抽出接可控晶闸管SCR的阳极，SCR的阴极接地，电阻R10与电容C5并联后接在SCR的控本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种荧光灯用电子镇流器，由电磁干扰抑制电路、主谐波吸收电路、开关电路与负载谐振电路组成，其特征在于：在主谐波吸收电路与开关电路之间接有缓启动触发电路（３）及异常状态自保护电路（４），缓启动触发电路（３）的结构形式为，电阻Ｒ↓［１］，一端 接正电源，另一端与电解电容Ｃ↓［１］正极相连，Ｃ↓［１］负极接地，从电阻Ｒ↓［１］与电容Ｃ↓［１］相连接点抽出接芯片ＩＣ的电源端，电阻Ｒ↓［２］一端接正电源，另一端通过电阻Ｒ↓［４］接地，从电阻Ｒ↓［２］与电阻Ｒ↓［４］相连接点抽出接电阻Ｒ↓［３］，电阻Ｒ↓［３］的另一端与电解电容Ｃ↓［２］的正极相连，Ｃ↓［２］的负极接地，从电阻Ｒ↓［３］与电容Ｃ↓［２］相连接点抽出接电阻Ｒ↓［５］，电阻Ｒ↓［５］的另一端接到三极管Ｔ↓［１］的基极，Ｔ↓［１］的发射极接地，集电极通过电容Ｃ↓［３］串联电阻Ｒ↓［６］接到芯片ＩＣ的２脚，从电阻Ｒ↓［６］与电容Ｃ↓［３］相连接点抽出接芯片ＩＣ的３脚，并通过电容Ｃ↓［４］接芯片ＩＣ的４脚，Ｉ↓［Ｃ］的４脚接地，芯片ＩＣ的两个输出端分别通过电阻Ｒ↓［７］、Ｒ↓［８］接到开关电路中两个开关管的基极，芯片ＩＣ的６脚接到开关电路中互感器初级线圈的一端，异常状态自保护电路的结构形式为，从电阻Ｒ↓［１］与电容Ｃ↓［１］相连接点抽出接可控晶闸管ＳＣＲ的阳极，ＳＣＲ的阴极接地，电阻Ｒ↓［１０］与电容Ｃ↓［５］并联后接在ＳＣＲ的控制 极与地之间，电阻Ｒ↓［１１］与电解电容Ｃ↓［６］并联后，再与电阻Ｒ↓［９］、稳压管ＤＷ串联接在ＳＣＲ的控制极与地之间，电阻Ｒ↓［１２］与二极管Ｄ↓［１］串联，接在电解电容Ｃ↓［６］正端与开关电路中互感器次级线圈的一端之间。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：于军，谢基凡，周文利，高俊雄，刘刚，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：实用新型
国别省市：83[中国|武汉]