矩阵垫片、彩膜基板、彩膜基板的制备方法及显示设备技术

本发明专利技术公开了一种矩阵垫片、彩膜基板、彩膜基板的制备方法及显示设备。彩膜基板包括玻璃基板以及位于所述玻璃基板上的彩色光阻层，所述彩色光阻层包括阵列设置的若干彩色光阻，相邻的彩色光阻之间设置有矩阵垫片，矩阵垫片包括矩阵层与垫片层，矩阵层与垫片层结合设置，矩阵层位于垫片层下方，矩阵层的宽度大于垫片层的宽度；彩色光阻层外围设置有矩阵区，矩阵区与矩阵层的厚度相等，矩阵区与矩阵垫片的材料相同。本发明专利技术将黑色矩阵与垫片结合，使其成为整体的矩阵垫片，不需要分开制程，能够有效优化制程步骤，提高制程效率，降低制备成本。本。本。

【技术实现步骤摘要】
矩阵垫片、彩膜基板、彩膜基板的制备方法及显示设备


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种矩阵垫片、彩膜基板、彩膜基板的制备方法及显示设备。

技术介绍

[0002]TFT
‑
LCD(薄膜晶体管液晶显示器，Thin film transistor liquid crystal display)是目前市场上最常用的显示屏幕类型之一，其基本结构主要由上、下两层基板和夹在两层基板之间的液晶所组成，其中在上层玻璃基板(CF彩色滤光片玻璃)集成有两种物料：黑色矩阵(Black matrix)和垫片(Spacer)，目前黑色矩阵和垫片这两种部件所用的材料不同，制程分开，需两段制程来完成，导致效率较低且成本较高。

技术实现思路

[0003]本专利技术的主要目的在于提供一种矩阵垫片、彩膜基板、彩膜基板的制备方法及显示设备，旨在解决现有技术中黑色矩阵和垫片分开制程成本较高的技术问题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提出一种矩阵垫片，应用于彩膜基板，所述矩阵垫片包括矩阵层与垫片层，所述矩阵层与所述垫片层结合设置，所述矩阵层位于所述垫片层下方，所述矩阵层的宽度大于所述垫片层的宽度。
[0005]可选的，所述矩阵垫片采用预设材料单次制备得到，所述预设材料的成分包括炭黑、分散剂、聚合物、单体、光引发解剂、溶剂以及添加剂，所述预设材料可使所述矩阵垫片满足预设遮蔽性与预设支撑性。
[0006]为实现上述目的，本专利技术还提出一种彩膜基板，所述彩膜基板包括玻璃基板以及位于所述玻璃基板上的彩色光阻层，所述彩色光阻层包括阵列设置的若干彩色光阻，相邻的彩色光阻之间设置有如上述的矩阵垫片；
[0007]所述彩色光阻层外围设置有矩阵区，所述矩阵区与矩阵层的厚度相等，所述矩阵区与矩阵垫片的材料相同。
[0008]可选的，所述矩阵垫片的厚度大于所述彩色光阻层的厚度。
[0009]可选的，所述彩膜基板还包括氧化铟锡层，所述氧化铟锡层覆盖于所述彩色光阻层、矩阵垫片以及矩阵区上方。
[0010]为实现上述目的，本专利技术还提出一种彩膜基板的制备方法，包括：
[0011]提供一衬底玻璃基板；
[0012]在所述衬底玻璃基板上涂布预设材料形成初始结构层；
[0013]在所述初始结构层上涂布光阻，并进行曝光、显影、蚀刻、去光阻以及烘烤，在所述衬底玻璃基板的第一预设区域与第二预设区域内形成目标结构层；
[0014]根据预设蚀刻参数对所述目标结构层进行蚀刻，在第一预设区域内形成第一预设厚度的矩阵垫片，在第二预设区域内形成第二预设厚度的矩阵区，所述矩阵垫片包括矩阵层与垫片层，所述第一预设厚度大于第二预设厚度。
[0015]可选的，所述在所述衬底玻璃基板上涂布预设材料形成初始结构层之前，还包括：
[0016]根据预设比例对炭黑、分散剂、聚合物、单体、光引发解剂、溶剂以及添加剂进行搭配，得到预设材料。
[0017]可选地，所述预设蚀刻参数至少包括蚀刻时间与蚀刻深度，所述根据预设蚀刻参数对所述目标结构层进行蚀刻之前，还包括：
[0018]根据所述矩阵垫片的尺寸与矩阵区的尺寸，确定蚀刻时间与蚀刻深度。
[0019]可选的，根据预设蚀刻参数对所述目标结构层进行蚀刻，在所述第一预设区域内形成第一预设厚度的矩阵垫片，在所述第二预设区域内形成第二预设厚度的矩阵区之后，还包括：
[0020]在所述衬底玻璃基板上设置彩色光阻，形成彩色光阻层，所述彩色光阻与所述矩阵垫片间隔设置；
[0021]在所述彩色光阻层、矩阵垫片以及矩阵区上形成氧化铟锡层。
[0022]为实现上述目的，本专利技术还提出一种显示设备，显示设备包括如上述的彩膜基板。
[0023]在本专利技术中，彩膜基板包括玻璃基板以及位于所述玻璃基板上的彩色光阻层，所述彩色光阻层包括阵列设置的若干彩色光阻，相邻的彩色光阻之间设置有矩阵垫片，所述矩阵垫片包括矩阵层与垫片层，所述矩阵层与所述垫片层结合设置，所述矩阵层位于所述垫片层下方，所述矩阵层的宽度大于所述垫片层的宽度，所述彩色光阻层外围设置有矩阵区，所述矩阵区的厚度与所述矩阵层的厚度相等，所述矩阵区与矩阵垫片的材料相同。相较于将黑色矩阵和垫片分开制程，本专利技术将黑色矩阵与垫片结合，使其成为整体的矩阵垫片，不需要分开制程，能够有效优化制程步骤，提高制程效率，降低制备成本。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0025]图1为本专利技术矩阵垫片第一实施例的截面结构示意图；
[0026]图2为本专利技术彩膜基板第一实施例的截面结构示意图；
[0027]图3为本专利技术彩膜基板一实施例的截面结构示意图；
[0028]图4为本专利技术彩膜基板的制备方法第一实施例的流程示意图；
[0029]图5为本专利技术彩膜基板的制备方法一实施例的涂布材料制程截面结构示意图；
[0030]图6为本专利技术彩膜基板的制备方法一实施例的预设区域结构示意图；
[0031]图7为本专利技术彩膜基板的制备方法一实施例的曝光制程截面结构示意图；
[0032]图8为本专利技术彩膜基板的制备方法一实施例的显影制程截面结构示意图；
[0033]图9为本专利技术彩膜基板的制备方法一实施例的蚀刻制程截面结构示意图；
[0034]图10为本专利技术彩膜基板的制备方法一实施例的去光阻制程截面结构示意图；
[0035]图11为本专利技术彩膜基板的制备方法一实施例的目标结构截面示意图。
[0036]附图标号说明：
[0037]标号名称标号名称
100矩阵垫片102a红色光阻100a矩阵层102b绿色光阻100b垫片层102c蓝色光阻101玻璃基板103矩阵区102彩色光阻层104氧化铟锡层
[0038]本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0039]应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0040]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0041]需要说明，本专利技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0042]另外，在本专利技术中涉及“第一”、“第二本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种矩阵垫片，应用于彩膜基板，其特征在于，所述矩阵垫片包括矩阵层与垫片层，所述矩阵层与所述垫片层结合设置，所述矩阵层位于所述垫片层下方，所述矩阵层的宽度大于所述垫片层的宽度。2.如权利要求1所述的矩阵垫片，其特征在于，所述矩阵垫片采用预设材料单次制备得到，所述预设材料的成分包括炭黑、分散剂、聚合物、单体、光引发解剂、溶剂以及添加剂，所述预设材料可使所述矩阵垫片满足预设遮蔽性与预设支撑性。3.一种彩膜基板，所述彩膜基板包括玻璃基板以及位于所述玻璃基板上的彩色光阻层，所述彩色光阻层包括阵列设置的若干彩色光阻，其特征在于，相邻的彩色光阻之间设置有如权利要求1或2所述的矩阵垫片；所述彩色光阻层外围设置有矩阵区，所述矩阵区与矩阵层的厚度相等，所述矩阵区与矩阵垫片的材料相同。4.如权利要求3所述的彩膜基板，其特征在于，所述矩阵垫片的厚度大于所述彩色光阻层的厚度。5.如权利要求3或4所述的彩膜基板，其特征在于，所述彩膜基板还包括氧化铟锡层，所述氧化铟锡层覆盖于所述彩色光阻层、矩阵垫片以及矩阵区上方。6.一种彩膜基板的制备方法，应用于如权利要求3至5中任一项所述的彩膜基板，其特征在于，所述制备方法包括：提供一衬底玻璃基板；在所述衬底玻璃基板上涂布预设材料形成初始结构层；在所述初始结构层上涂布光阻，并进行曝光、显影、蚀刻、去...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏洋，
申请(专利权)人：华显光电技术惠州有限公司，
类型：发明
国别省市：