【技术实现步骤摘要】
一种用于二维材料的光热效应测量装置
[0001]本技术涉及光热效应
,具体为一种用于二维材料的光热效应测量装置。
技术介绍
[0002]光热效应是指材料受光照射后,光子能量与晶格相互作用,振动加剧,温度升高,由于温度的变化而造成物质的电学特性,二维材料则是指电子仅可在两个维度的纳米尺度,上自由运动做平面运动的材料,如纳米薄膜、超晶格以及量子阱等等,二维材料因其载流子迁移和热量扩散都被限制在二维平面内,不同的二维材料由于晶体结构的特殊性质导致了不同的电学特性或光学特性的各向异,进而可以利用光热效应测量二维材料的特性,现有的光热效应测量装置在测量物质的电学特性和光学特性时,缺少固定二维材料的结构,使得测量二维材料时容易发生偏移,或者测量的位置不准确,使得二维材料的电学特性和光学特性的测量结果不够严谨,进而影响对二维材料特性的检测。
[0003]目前现有技术中光热效应测量装置在测量物质的电学特性和光学特性时,缺少固定二维材料的结构,使得测量二维材料时容易发生偏移,或者测量的位置不准确,使得二维材料的电学特性和光学特性 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于二维材料的光热效应测量装置,包括有检测台(1),其特征在于:所述检测台(1)的内部设置有固定机构(2);所述固定机构(2)包括有直槽(201),所述直槽(201)开设于检测台(1)的内部,所述直槽(201)的内部滑动安装有两个活动块(202),两个所述活动块(202)的顶部均固定连接有一端贯穿并延伸至检测台(1)外部的直杆(203),两个所述直杆(203)的顶部均固定连接有限制条(204),两个所述直杆(203)的外表面均滑动连接有限制板(205),两个所述直杆(203)的外表面活动安装有辅助弹簧(206),两个所述辅助弹簧(206)的顶部分别与两个限制板(205)的底部固定连接,所述检测台(1)的内部设置有控制机构(207)。2.根据权利要求1所述的一种用于二维材料的光热效应测量装置,其特征在于:所述控制机构(207)包括有方槽(2071),所述方槽(2071)开设于直槽(201)的内底壁,所述方槽(2071)的内腔后侧壁转动连接有短杆(2072),所述短杆(2072)的外表面固定连接有蜗杆(2073),所述直槽(201)的内腔左右两侧壁之间转动安装有主杆(2074),所述主杆(2074)的外表面固定连接有与蜗杆(2073)外表面相啮合的涡轮(2075)。3.根据权利要求1所述的一种用于二维...
【专利技术属性】
技术研发人员:乐雨晖,
申请(专利权)人:上海昂维科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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