探测基板及探测装置制造方法及图纸

本公开提供的探测基板及探测装置，包括衬底基板；多个像素驱动电路，位于衬底基板之上；第一绝缘层，位于像素驱动电路所在层背离衬底基板的一侧，第一绝缘层包括多个第一通孔；多个光敏器件，位于第一绝缘层背离像素驱动电路所在层的一侧，光敏器件包括层叠设置的第一电极、光电转换层和第二电极，其中，第一电极包括承载光电转换层的主体部，以及自主体部延伸至覆盖第一通孔的凸出部，凸出部经由第一通孔与像素驱动电路电连接，光电转换层在衬底基板上的正投影与第一通孔在衬底基板上的正投影并排设置。排设置。排设置。

【技术实现步骤摘要】
探测基板及探测装置


[0001]本公开涉及光学探测
，尤其涉及一种探测基板及探测装置。

技术介绍

[0002]随着通信、网络、金融技术的高速发展，信息安全显示出前所未有的重要性，人的身份识别技术的应用越来越广泛。生物识别技术是指利用生理特征(如人脸、指纹、掌纹)或行为特征自动识别个人身份的科学技术。指纹是最广泛使用的生理特征之一，由于它具有唯一性和永久性，因而得到人们的重视，在安全领域的许多方面有着非常广泛应用前景。指纹自动识别系统已成功地应用于预防身份欺诈、打击恐怖主义、刑侦和国防安全等方面。因此指纹传感器具备广阔的应用前景。

技术实现思路

[0003]本公开实施例提供的探测基板及探测装置，具体方案如下：
[0004]一方面，本公开实施例提供了一种探测基板，包括：
[0005]衬底基板；
[0006]多个像素驱动电路，位于所述衬底基板之上；
[0007]第一绝缘层，位于所述像素驱动电路所在层背离所述衬底基板的一侧，所述第一绝缘层包括多个第一通孔；
[0008]多个光敏器件，位于所述第一绝缘层背离所述像素驱动电路所在层的一侧，所述光敏器件包括层叠设置的第一电极、光电转换层和第二电极，其中，所述第一电极包括承载所述光电转换层的主体部，以及自所述主体部一侧延伸至覆盖所述第一通孔的凸出部，所述凸出部经由所述第一通孔与所述像素驱动电路电连接，所述光电转换层在所述衬底基板上的正投影与所述第一通孔在所述衬底基板上的正投影并排设置。
[0009]在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，还包括多条栅线和多条数据线，各所述栅线和各所述数据线交叉设置限定出多个像素区；
[0010]每个所述像素区对应设置一个所述第一通孔，以及通过所述第一通孔电连接的一个所述像素驱动电路和一个所述光敏器件，其中，所述第一通孔在所述衬底基板上的正投影和所述光电转换层在所述栅线延伸方向上并排设置。
[0011]在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，所述第一通孔在所述衬底基板上的正投影位于对应所述像素区内，所述光电转换层在所述衬底基板上的正投影延伸至在所述栅线延伸方向上的相邻所述像素区内。
[0012]在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，所述像素驱动电路包括与所述数据线和所述栅线分别电连接的读取晶体管；
[0013]所述光电转换层在所述衬底基板上的正投影与相邻所述像素区内所述读取晶体管的第一极部分交叠，其中，所述读取晶体管的第一极与所述数据线电连接。
[0014]在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，所述主体部远离所述
凸出部的侧边延长线在所述衬底基板上的正投影，与相邻所述像素区内所述读取晶体管的栅极靠近所述主体部的边沿大致重合。
[0015]在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，所述像素驱动电路还包括放大晶体管，所述放大晶体管与所述读取晶体管和所述第一电极分别电连接；
[0016]所述放大晶体管在所述衬底基板上的正投影位于所述读取晶体管远离所述读取晶体管电连接的所述数据线一侧；
[0017]所述光电转换层在所述衬底基板上的正投影与同一所述像素区内所述放大晶体管的栅极部分交叠。
[0018]在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，同一所述像素区内，所述第一通孔在所述衬底基板上的正投影位于所述像素区远离所述读取晶体管的对角线上。
[0019]在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，所述读取晶体管的栅极为双栅极，所述凸出部远离所述主体部的侧边延长线在所述衬底基板上的正投影，位于同一所述像素区内所述读取晶体管的双栅极之间。
[0020]在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，所述主体部与所述凸出部的分界线在所述衬底基板上的正投影贯穿所述放大晶体管的栅极；
[0021]所述主体部在所述衬底基板上的正投影与所述放大晶体管的栅极在所述栅线延伸方向上的交叠宽度，大于所述光电转换层在所述衬底基板上的正投影与所述放大晶体管的栅极在所述栅线延伸方向上的交叠宽度。
[0022]在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，所述像素驱动电路还包括连接电极和复位晶体管，其中，所述复位晶体管通过所述连接电极与所述放大晶体管电连接；
[0023]所述连接电极与所述复位晶体管的连接位置在所述衬底基板上的正投影位于所述第一通孔远离所述光电转换层的一侧。
[0024]在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，所述第一通孔在所述衬底基板上的正投影和所述光电转换层在同一所述像素区内并排设置。
[0025]在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，还包括与所述数据线延伸方向相同的多条电源线，所述电源线与所述像素驱动电路电连接，且所述电源线与相邻所述像素区电连接的所述数据线邻近设置；
[0026]所述光电转换层在所述衬底基板上的正投影被所述电源线贯穿，且与相邻所述像素区电连接的所述数据线互不重叠。
[0027]在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，所述主体部在所述衬底基板上的正投影与相邻所述像素区电连接的所述数据线部分重叠。
[0028]在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，所述像素驱动电路包括与所述数据线和所述栅线分别电连接的读取晶体管，以及与所述读取晶体管、所述第一电极和所述电源线分别电连接的放大晶体管；其中，
[0029]所述放大晶体管在所述衬底基板上的正投影位于所述读取晶体管远离所述读取晶体管电连接的所述数据线一侧；
[0030]所述光电转换层邻近所述凸出部的侧边延长线在所述衬底基板上的正投影位于所述读取晶体管与所述放大晶体管之间。
[0031]在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，同一所述像素区内，所述第一通孔在所述衬底基板上的正投影位于所述数据线、所述像素区的对角线和所述读取晶体管围成的区域内。
[0032]在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，所述凸出部远离所述主体部的侧边延长线在所述衬底基板上的正投影贯穿同一所述像素区内所述读取晶体管的第一极，其中，所述读取晶体管的第一极与所述数据线电连接。
[0033]在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，所述主体部与所述凸出部的分界线在所述衬底基板上的正投影与同一所述像素区内所述读取晶体管的栅极邻近所述放大晶体管的边沿大致重合。
[0034]在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，所述像素驱动电路还包括连接电极和复位晶体管，其中，所述复位晶体管通过所述连接电极与所述放大晶体管电连接；
[0035]所述连接电极与所述复位晶体管的连接位置在所述衬底基板上的正投影位于所述第一通孔靠近所述光电转换层的一侧。
[0036]在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，所述第一绝缘层包括层叠本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种探测基板，其中，包括：衬底基板；多个像素驱动电路，位于所述衬底基板之上；第一绝缘层，位于所述像素驱动电路所在层背离所述衬底基板的一侧，所述第一绝缘层包括多个第一通孔；多个光敏器件，位于所述第一绝缘层背离所述像素驱动电路所在层的一侧，所述光敏器件包括层叠设置的第一电极、光电转换层和第二电极，其中，所述第一电极包括承载所述光电转换层的主体部，以及自所述主体部一侧延伸至覆盖所述第一通孔的凸出部，所述凸出部经由所述第一通孔与所述像素驱动电路电连接，所述光电转换层在所述衬底基板上的正投影与所述第一通孔在所述衬底基板上的正投影并排设置。2.如权利要求1所述的探测基板，其中，还包括多条栅线和多条数据线，各所述栅线和各所述数据线交叉设置限定出多个像素区；每个所述像素区对应设置一个所述第一通孔，以及通过所述第一通孔电连接的一个所述像素驱动电路和一个所述光敏器件，其中，所述第一通孔在所述衬底基板上的正投影和所述光电转换层在所述栅线延伸方向上并排设置。3.如权利要求2所述的探测基板，其中，所述第一通孔在所述衬底基板上的正投影位于对应所述像素区内，所述光电转换层在所述衬底基板上的正投影延伸至在所述栅线延伸方向上的相邻所述像素区内。4.如权利要求3所述的探测基板，其中，所述像素驱动电路包括与所述数据线和所述栅线分别电连接的读取晶体管；所述光电转换层在所述衬底基板上的正投影与相邻所述像素区内所述读取晶体管的第一极部分交叠，其中，所述读取晶体管的第一极与所述数据线电连接。5.如权利要求4所述的探测基板，其中，所述主体部远离所述凸出部的侧边延长线在所述衬底基板上的正投影，与相邻所述像素区内所述读取晶体管的栅极靠近所述主体部的边沿大致重合。6.如权利要求4所述的探测基板，其中，所述像素驱动电路还包括放大晶体管，所述放大晶体管与所述读取晶体管和所述第一电极分别电连接；所述放大晶体管在所述衬底基板上的正投影位于所述读取晶体管远离所述读取晶体管电连接的所述数据线一侧；所述光电转换层在所述衬底基板上的正投影与同一所述像素区内所述放大晶体管的栅极部分交叠。7.如权利要求6所述的探测基板，其中，同一所述像素区内，所述第一通孔在所述衬底基板上的正投影位于所述像素区远离所述读取晶体管的对角线上。8.如权利要求7所述的探测基板，其中，所述读取晶体管的栅极为双栅极，所述凸出部远离所述主体部的侧边延长线在所述衬底基板上的正投影，位于同一所述像素区内所述读取晶体管的双栅极之间。9.如权利要求5或8所述的探测基板，其中，所述主体部与所述凸出部的分界线在所述衬底基板上的正投影贯穿所述放大晶体管的栅极；所述主体部在所述衬底基板上的正投影与所述放大晶体管的栅极在所述栅线延伸方
向上的交叠宽度，大于所述光电转换层在所述衬底基板上的正投影与所述放大晶体管的栅极在所述栅线延伸方向上的交叠宽度。10.如权利要求6所述的探测基板，其中，所述像素驱动电路还包括连接电极和复位晶体管，其中，所述复位晶体管通过所述连接电极与所述放大晶体管电连接；所述连接电极与所述复位晶体管的连接位置在所述衬底基板上的正投影位于所述第一通孔远离所述光电转换层的一侧。11.如权利要求2所述的探测基板，其中，所述第一通孔在所述衬底基板上的正投影和所述光电转换层在同一所述像素区内并排设置。12.如权利要求11所述的探测基板，其中，还包括与所述数据线延伸方向相同的多条电源线，所述电源线与所述像素驱动电路电连接，且所述电源线与相邻所述像素区电连接的所述数据线邻近设置；所述光电转换层在所述衬底基板上的正投影被所述电源线贯穿，且与相邻所述像素区电连接的所述数据线互不重叠。13.如权利要求12所述的探测基板，其中，所述主体部在所述衬底基板上的正投影与相邻所述像素区电连接的所述数据线部分...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔德玺，蔡寿金，李成，张洁，程锦，刘自然，李田生，
申请(专利权)人：北京京东方传感技术有限公司，
类型：发明
国别省市：