本公开提供的探测基板及探测装置，包括：衬底基板；多个像素驱动电路，位于衬底基板之上；第一绝缘层，位于像素驱动电路所在层背离衬底基板的一侧，第一绝缘层包括多个第一通孔；多个光敏器件，位于第一绝缘层背离像素驱动电路所在层的一侧，光敏器件包括层叠设置的第一电极、光电转换层和第二电极，其中，第一电极通过第一通孔与像素驱动电路电连接，光电转换层在衬底基板上的正投影、以及第一通孔在衬底基板上的正投影位于第一电极在衬底基板上的正投影内，且光电转换层在衬底基板上的正投影至少部分包围第一通孔在衬底基板上的正投影。影。影。
【技术实现步骤摘要】
探测基板及探测装置
[0001]本公开涉及光学探测
，尤其涉及一种探测基板及探测装置。
技术介绍
[0002]随着光学探测技术的发展，光学探测技术广泛应用于工业无损检测、集装箱扫描、电路板检查、医疗、安防、工业、生理特征识别(如人脸、指纹、掌纹)等领域。
技术实现思路
[0003]本公开实施例提供的探测基板及探测装置，具体方案如下：
[0004]一方面，本公开实施例提供的一种探测基板，包括：
[0005]衬底基板；
[0006]多个像素驱动电路，位于所述衬底基板之上；
[0007]第一绝缘层，位于所述像素驱动电路所在层背离所述衬底基板的一侧，所述第一绝缘层包括多个第一通孔；
[0008]多个光敏器件，位于所述第一绝缘层背离所述像素驱动电路所在层的一侧，所述光敏器件包括层叠设置的第一电极、光电转换层和第二电极，其中，所述第一电极通过所述第一通孔与所述像素驱动电路电连接，所述光电转换层在所述衬底基板上的正投影、以及所述第一通孔在所述衬底基板上的正投影位于所述第一电极在所述衬底基板上的正投影内，且所述光电转换层在所述衬底基板上的正投影至少部分包围所述第一通孔在所述衬底基板上的正投影。
[0009]在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，还包括多条栅线和多条数据线，各所述栅线和各所述数据线交叉设置限定出多个像素区；
[0010]每个所述像素区内设置一个所述第一通孔，以及通过所述第一通孔电连接的一个所述像素驱动电路和一个所述光敏器件，其中，所述光电转换层在所述衬底基板上的正投影半包围所述第一通孔在所述衬底基板上的正投影。
[0011]在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，所述第一电极在所述衬底基板上的正投影为方形；
[0012]所述第一通孔在所述衬底基板上的正投影位于方形正投影的一个角落内，所述光电转换层在所述衬底基板上的正投影形状为半包围所述第一通孔所在角落的“L”形。
[0013]在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，所述像素驱动电路包括与所述数据线和所述栅线分别电连接的读取晶体管；
[0014]所述探测基板还包括与所述数据线延伸方向相同的多条电源线，所述电源线与所述像素驱动电路电连接，且所述电源线与相邻所述像素区电连接的所述数据线邻近设置；
[0015]所述第一电极在所述衬底基板上的正投影与所述电源线、以及所述读取晶体管的第一极分别部分交叠，且与所述栅线互不交叠，其中所述读取晶体管的第一极与所述数据线电连接。
[0016]在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，所述第一通孔在所述衬底基板上的正投影位于所述第一电极在所述数据线延伸方向上与所述读取晶体管相对的角落。
[0017]在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，所述像素驱动电路还包括放大晶体管和读取晶体管，其中，所述复位晶体管的沟道宽长比为(3.5～10)/3.5+3.5，所述放大晶体管的沟道宽长比为(7～21)/7，所述读取晶体管的沟道宽长比为(2～7)/3.5+3.5。
[0018]在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，在所述数据线延伸方向上的相邻所述像素区不共用所述栅线，在所述栅线延伸方向上的相邻所述像素区共用所述数据线；
[0019]所述探测基板还包括位于所述光敏器件所在层背离所述衬底基板一侧的透明偏压层；
[0020]所述透明偏压层包括与所述栅线延伸方向相同的多个第一镂空结构，和/或，与所述数据线延伸方向相同的多个第二镂空结构，其中，
[0021]所述第一镂空结构在所述衬底基板上的正投影被所述栅线在所述衬底基板上的正投影贯穿，且所述第一镂空结构在所述数据线延伸方向上的宽度大于相邻两条所述栅线的线宽及相邻两条所述栅线的距离之和；
[0022]所述第二镂空结构在所述衬底基板上的正投影被所述数据线在所述衬底基板上的正投影贯穿，所述第二镂空结构在所述栅线延伸方向上的宽度大于所述电源线的线宽、所述数据线的线宽、以及相邻所述电源线与所述数据线的距离之和。
[0023]在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，还包括位于所述光敏器件所在层与所述透明偏压层之间的第二绝缘层，所述第二绝缘层包括多个第二通孔，所述第二通孔电连接所述透明偏压层与所述第二电极；
[0024]所述第二通孔在所述衬底基板上的正投影位于所述透明偏压层在所述衬底基板上的正投影内、并位于所述第二电极在所述衬底基板上的正投影内。
[0025]在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，所述第二绝缘层包括层叠设置的第二平坦层和第二保护层；
[0026]所述第二通孔包括位于所述第二平坦层的第三子通孔、以及位于所述第二保护层的第四子通孔，其中，所述第三子通孔与所述第四子通孔贯通设置，且所述第四子通孔在所述衬底基板上的正投影位于所述第三子通孔在所述衬底基板上的正投影内。
[0027]在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，所述第三子通孔在所述衬底基板上的正投影形状、所述第四子通孔在所述衬底基板上的正投影形状、所述第二电极在所述衬底基板上的正投影形状均与所述光电转换层在所述衬底基板上的正投影形状相同。
[0028]在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，所述衬底基板包括感光区、以及至少位于所述感光区一侧的降噪区，其中，所述感光区设置有所述光敏器件，所述降噪区设置有电容器件，所述电容器件的电容值与所述光敏器件的电容值大致相同。
[0029]在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，所述电容器件包括相对而置的第一电极板和第二电极板，以及位于所述第一电极板与所述第二电极板之间的绝
缘介质层，其中，所述第一电极板与所述第一电极同层、同材料，所述第二电极板与所述透明偏压层同层、同材料，所述绝缘介质层与所述第二保护层复用。
[0030]在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述探测基板中，所述第一绝缘层包括层叠设置的第一平坦层和第一保护层；
[0031]所述第一通孔包括位于所述第一平坦层的第一子通孔、以及位于所述第一保护层的第二子通孔，其中，所述第一子通孔与所述第二子通孔贯通设置，且所述第二子通孔在所述衬底基板上的正投影位于所述第一子通孔在所述衬底基板上的正投影内。
[0032]另一方面，本公开实施例提供了一种探测装置，包括本公开实施例提供的上述探测基板。
附图说明
[0033]图1为本公开实施例提供的探测基板的一种结构示意图；
[0034]图2为图1中一个像素区P的结构示意图；
[0035]图3为图2的剖面结构示意图；
[0036]图4为图2中像素驱动电路的结构示意图；
[0037]图5为图2中有源层的结构示意图；
[0038]图6为图2中栅金属层的结构示意图；
[0039]图7为图2中栅绝缘层的结构示意图；
...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种探测基板，其中，包括：衬底基板；多个像素驱动电路，位于所述衬底基板之上；第一绝缘层，位于所述像素驱动电路所在层背离所述衬底基板的一侧，所述第一绝缘层包括多个第一通孔；多个光敏器件，位于所述第一绝缘层背离所述像素驱动电路所在层的一侧，所述光敏器件包括层叠设置的第一电极、光电转换层和第二电极，其中，所述第一电极通过所述第一通孔与所述像素驱动电路电连接，所述光电转换层在所述衬底基板上的正投影、以及所述第一通孔在所述衬底基板上的正投影位于所述第一电极在所述衬底基板上的正投影内，且所述光电转换层在所述衬底基板上的正投影至少部分包围所述第一通孔在所述衬底基板上的正投影。2.如权利要求1所述的探测基板，其中，还包括多条栅线和多条数据线，各所述栅线和各所述数据线交叉设置限定出多个像素区；每个所述像素区内设置一个所述第一通孔，以及通过所述第一通孔电连接的一个所述像素驱动电路和一个所述光敏器件，其中，所述光电转换层在所述衬底基板上的正投影半包围所述第一通孔在所述衬底基板上的正投影。3.如权利要求2所述的探测基板，其中，所述第一电极在所述衬底基板上的正投影为方形；所述第一通孔在所述衬底基板上的正投影位于方形正投影的一个角落内，所述光电转换层在所述衬底基板上的正投影形状为半包围所述第一通孔所在角落的“L”形。4.如权利要求3所述的探测基板，其中，所述像素驱动电路包括与所述数据线和所述栅线分别电连接的读取晶体管；所述探测基板还包括与所述数据线延伸方向相同的多条电源线，所述电源线与所述像素驱动电路电连接，且所述电源线与相邻所述像素区电连接的所述数据线邻近设置；所述第一电极在所述衬底基板上的正投影与所述电源线、以及所述读取晶体管的第一极分别部分交叠，且与所述栅线互不交叠，其中所述读取晶体管的第一极与所述数据线电连接。5.如权利要求4所述的探测基板，其中，所述第一通孔在所述衬底基板上的正投影位于所述第一电极在所述数据线延伸方向上与所述读取晶体管相对的角落。6.如权利要求4所述的探测基板，其中，所述像素驱动电路还包括放大晶体管和读取晶体管，其中，所述复位晶体管的沟道宽长比为(3.5～10)/3.5+3.5，所述放大晶体管的沟道宽长比为(7～21)/7，所述读取晶体管的沟道宽长比为(2～7)/3.5+3.5。7.如权利要求4所述的探测基板，其中，在所述数据线延伸方向上的相邻所述像素区不共用所述栅线，在所述栅线延伸方向上的相邻所述像素区共用所述数据线；所述探测基板还包括位于所述光敏器件所在层背离所述衬底基板一侧的透明偏压层；所述透明偏压层包括与所述栅线延伸方向相同的多个第一镂空结构...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡寿金，李成，张洁，吴俊宇，丰亚洁，程锦，孔德玺，徐帅，车春城，王迎姿，
申请(专利权)人：北京京东方传感技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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