一种太阳能叠层电池的镀膜工艺制造技术

本申请公开了一种太阳能叠层电池的镀膜工艺，涉及太阳能电池领域，采用N型晶硅层作为基板，N型晶硅层两侧均镀有功能膜；功能膜相背的两侧均镀有透明导电膜，透明导电膜背离N型晶硅层一侧为平滑面；其中一透明导电膜背离N型晶硅层制备有顶层电池；顶层电池背离N型晶硅层制备顶层透明导电层；顶层透明导电层和位于外侧的透明导电膜均在背N型晶硅层侧壁间隔设置有若干保护膜；顶层透明导电层和位于外侧的透明导电膜进行绒面处理；顶层透明导电层和位于外侧的透明导电膜处理绒面处进行制备减反层；将保护膜卸下，通过丝印方式在保护膜卸下的凹槽内进行印刷金属电极。本申请具有保证透光率的同时，提高导流条和导电层接触面积的效果。效果。效果。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能叠层电池的镀膜工艺


[0001]本专利技术涉及太阳能电池领域，尤其是涉及一种太阳能叠层电池的镀膜工艺。

技术介绍

[0002]太阳能叠层电池的工作原理是：太阳光照在半导体P
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N结上，形成空穴
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电子对，在P
‑
N 结电场的作用下，N型半导体的空穴往P 型区移动，P 型区中的电子往N 型区移动，接通电路后就形成电流。
[0003]而叠层电池增加的钙钛矿物质，使得太阳能电池对于光的转换率更高；叠层电池从基板开始层层镀膜时，为了减小光的反射，增加光的透射率，保证光能的利用率，在每次镀膜之后都会进行绒面处理，但是在导电层进行绒面处理，会导致在后续丝印的方式印刷导流条时，由于绒面的凹凸不平，导致导流条和导电层不能完全接触，导流条和导电层之间存在间隙或者气泡，导流效果不佳。

技术实现思路

[0004]为了保证透光率的同时，提高导流条和导电层的接触面积，本申请提供一种太阳能叠层电池的镀膜工艺。
[0005]本申请提供的一种太阳能叠层电池的镀膜工艺采用如下的技术方案：一种太阳能叠层电池的镀膜工艺，包括采用N型晶硅层作为基板，对N型晶硅层两侧进行绒面处理；N型晶硅层两侧均镀有功能膜；功能膜相背的两侧均镀有透明导电膜，透明导电膜背离N型晶硅层一侧为平滑面；其中一透明导电膜背离N型晶硅层制备有顶层电池；顶层电池背离N型晶硅层制备顶层透明导电层；顶层透明导电层和位于外侧的透明导电膜均在背N型晶硅层侧壁间隔设置有若干保护膜；顶层透明导电层和位于外侧的透明导电膜进行绒面处理；顶层透明导电层和位于外侧的透明导电膜处理绒面处进行制备减反层；将保护膜卸下，通过丝印方式在保护膜卸下的凹槽内进行印刷金属电极。
[0006]通过采用上述技术方案，N型晶硅层和功能膜的组合以及加上顶层电池，使得单位面积内对光的波段利用更加宽广，提高光的转换率；在通过丝印的方式之间，将位于外侧透明导电膜和顶层透明导电层通过保护膜的形式，使得位于外侧透明导电膜和顶层透明导电层侧壁呈现部分绒面，部分光滑面；绒面保证了透光率；光滑面使得金属电极和透明导电膜或顶层透明导电层的接触更加紧密，使得电子更好地进入金属电极内部。
[0007]可选的，保护膜为PVC膜。
[0008]可选的，S7中采用KOH和H2O2混合溶液对顶层透明导电层和位于外侧的透明导电膜进行绒面处理。
[0009]通过采用上述技术方案，当通过用KOH和H2O2混合溶液进行绒面处理时，保护膜不会受到用KOH和H2O2混合溶液的影响，保证保护膜贴合顶层透明导电层和透明导电膜。
[0010]可选的，S7中KOH体积占比为45%～55%，H2O2体积占比为3%～6%，剩余于为H2O。
[0011]可选的，所述功能膜包括连接于N型晶硅层侧壁的本征非晶硅层；一侧功能膜还包
括位于N型晶硅层一侧且连接于本征非晶硅层的第一掺杂非晶硅层，另一侧功能膜包括连接于该本征非晶硅层的第二掺杂非晶硅层。
[0012]通过采用上述技术方案，N型晶硅层和两侧功能膜形成一个整体的电池单元，实现对于光的转换。
[0013]可选的,S2中的本征非晶硅层通过等离子体增强化学气相沉积附着于N型晶硅层；第一掺杂非晶硅层和第二掺杂非晶硅层均通过等离子体增强化学气相沉积于对应本征非晶硅层。
[0014]通过采用上述技术方案，通过等离子体增强化学气相沉积的方式，使得形成的本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层和第二掺杂非晶硅层致密性更好，且厚度更加均匀。
[0015]可选的，N型晶硅层通过RAC清洗。
[0016]可选的，金属电极材质为Ag。
[0017]综上所述，本申请包括以下有益技术效果：位于外侧透明导电膜和顶层透明导电层侧壁呈现部分绒面，部分光滑面；绒面保证了吸光率；光滑面使得金属电极和透明导电膜或顶层透明导电层的接触更加紧密，使得电子更好地进入金属电极内部。
附图说明
[0018]图1是本申请实施例的整体结构示意图。
[0019]图2是保护膜连接该整体结构的示意图。
[0020]附图标记说明：1、N型晶硅层；2、功能膜；3、本征非晶硅层；4、第一掺杂非晶硅层；5、第二掺杂非晶硅层；6、透明导电膜；7、上层透明导电膜；8、下层透明导电膜；9、顶层电池；10、电子传输层；11、钙钛矿吸光层；12、空穴传输层；13、顶层透明导电层；14、减反层；15、保护膜；16、金属电极。
具体实施方式
[0021]以下结合附图1
‑
2对本申请作进一步详细说明。
[0022]本申请实施例公开一种太阳能叠层电池的镀膜，包括N型晶硅层1，将N型晶硅层1作为基板，在此基础上进行镀膜。
[0023]S1:N型晶硅层1的两侧先通过RAC进行清洗，实现对N型晶硅层1进行绒面处理，使得N型晶硅层1表面形成金字塔绒面，绒面处理增大对太阳光的折射率，从而提升短路电流。
[0024]S2:在N型晶硅层1两侧进行制备功能膜2，功能膜2包括通过等离子体增强化学气相沉积方式制备得到的本征非晶硅层3，本征非晶硅层3附着于N型晶硅层1侧壁，本征非晶硅层3可以有效抑制隧穿效应的产生，获得一个较高的开压；其中一侧的功能膜2包括通过等离子体增强化学气相沉积制备得到的第一掺杂非晶硅层4，另一侧的功能膜2包括通过等离子体增强化学气相沉积制备得到的第二掺杂非晶硅层5；第一掺杂非晶硅层4和第二掺杂非晶硅层5均附着于对应本征非晶硅层3。
[0025]其中，第一掺杂非晶硅层掺杂少量三价元素，例如硼元素，第二掺杂非晶硅层5掺杂少量五价元素，例如磷元素。
[0026]S3:在第一掺杂非晶硅层4和第二掺杂非晶硅层5均背离N型晶硅层1两侧均通过等离子体增强化学气相沉积方式制备得到透明导电膜6，其中连接于第一掺杂非晶硅层4为上层透明导电膜7，连接于第二掺杂非晶硅层5为下层透明导电膜8。
[0027]该结构从上之下依次为：上层透明导电膜7、第一掺杂非晶硅层4、本征非晶硅层3、N型晶硅层1、本征非晶硅层3、第二掺杂非晶硅层5、下层透明导电膜8。
[0028]在制备透明导电膜6之前，可对第一掺杂非晶硅层4和第二掺杂非晶硅层5均背离N型晶硅层1两侧进行绒面处理，增大光的折射率。
[0029]其中制备下层透明导电膜8时，通过等离子体增强化学气相沉积的方式使得下层透明导电膜8背离N型晶硅层1侧面为平滑面。
[0030]S4:在位于上层透明导电膜7上制备有顶层电池9，顶层电池9从上至下依次为电子传输层10、钙钛矿吸光层11、空穴传输层12；通过顶层电池9使得该结构吸收的太阳能波段增加，提高太阳能的利用率。
[0031]S5：位于顶层电池9上方通过等离子体增强化学气相沉积方式制备顶层透明导电层13。
[0032]顶层透明导电层13背离N型晶硅层1侧壁为平滑面。
[0033]S6:顶层透明导电层13和下层透明导电膜8均设置有若干保护膜15。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能叠层电池的镀膜工艺，其步骤包括：S1:采用N型晶硅层(1)作为基板，对N型晶硅层(1)两侧进行绒面处理；S2:N型晶硅层(1)两侧均镀有功能膜(2)；S3:功能膜(2)相背的两侧均镀有透明导电膜(6)，透明导电膜(6)背离N型晶硅层(1)一侧为平滑面；S4:其中一透明导电膜(6)背离N型晶硅层(1)制备有顶层电池(9)；S5:顶层电池(9)背离N型晶硅层(1)制备顶层透明导电层(13)；S6:顶层透明导电层(13)和位于外侧的透明导电膜(6)均在背N型晶硅层(1)侧壁间隔设置有若干保护膜(15)；S7: 顶层透明导电层(13)和位于外侧的透明导电膜(6)进行绒面处理；S8: 顶层透明导电层(13)和位于外侧的透明导电膜(6)处理绒面处进行制备减反层(14)；S9:将保护膜(15)卸下，通过丝印方式在保护膜(15)卸下的凹槽内进行印刷金属电极(16)。2.根据权利要求1所述的一种太阳能叠层电池的镀膜工艺，其特征在于：S6中的保护膜(15)为PVC膜。3.根据权利要求2所述的一种太阳能叠层电池的镀膜工艺，其特征在于：S7中采用KOH和H2O2混合溶液对顶层透明...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶利松，张群芳，任建强，
申请(专利权)人：浙江合特光电有限公司，
类型：发明
国别省市：