【技术实现步骤摘要】
一种智能快速识别芯片封装器
[0001]本申请涉及智能识别于芯片封装电路领域,具体涉及一种智能快速识别芯片封装器。
技术介绍
[0002]随着半导体行业竞争的越发激烈,在不增加产能的情况下,同时获得短的生产周期、高的生产速率和低的在制品水平是企业的追求目标,并且集成电路封装技术逐步朝着低成本、微型化、高性能的趋势发展。智能半导体芯片封装快速识别在生产线上存在诸多变动性因素,量化这些变动性因素并建立其与生产性能间的定量关系是进行生产性能优化控制的必要前提。当前,研究中建立的半导体串并联生产线性能预测指导下的智能快速识别芯片设备与实际生产情况存在一定偏差,精确度有所欠缺,传统的性能控制优化方法难以针对生产线变动性因素的变化进行实时控制,灵活性不足。基于工厂物理学的已有理论,从生产线变动性的度量出发,完善和改进了加工变动性和流动变动性的度量模型,然后基于变动性度量建立针对多产品混流情况下的生产性能预测和评估模型,最终实现对特定产品的生产性能评估。针对已有的流动变动性度量模型没有考虑半导体芯片封装测试生产线上因质量问题而导致的LOT ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种智能快速识别芯片封装器,包括依次连接的信号滤波输入电路、自增益控制处理电路、快速识别信号驱动输出电路,其特征在于:所述信号滤波输入电路包括输入端口IN,二极管D1,三极管Q2,4个电阻R4、R5、R9、R11,4个电容C3、C5、C6、C8,所述信号滤波输入电路中输入端口IN分别与电阻R4的一端、电容C5的一端、三极管Q2的集电极连接,电阻R4的另一端与高电平VCC连接,电容C5的另一端接地,三极管Q2的发射极分别与电阻R9的一端、电容C6的一端、电容C8的一端连接,电阻R9的另一端接地,电容C8的另一端接地,电容C6的另一端分别与电阻R11的一端、电阻R5的一端、二极管D1的正极、电容C3的一端、三极管Q2的基极连接,电阻R11的另一端接地,电阻R5的另一端与高电平VCC连接,二极管D1的负极与高电平VCC连接。2.根据权利要求1所述的一种智能快速识别芯片封装器,其特征在于:所述信号滤波输入电路包括输出端口Va,电感L1,3个电容C3、C4、C9,所述信号滤波输入电路中电容C3的另一端分别与电容C4的一端、电容C9的一端、电感L1的一端连接,电容C9的另一端接地,电感L1的另一端接地,电容C4的另一端与输出端口Va连接。3.根据权利要求2所述的一种智能快速识别芯片封装器,其特征在于:所述自增益控制处理电路包括输入端口Va,滑动变阻器R26,可变电阻R33,2个三极管Q6、Q7,7个电容C15、C16、C17、C18、C20、C21、C22、C23,11个电阻R16、R17、R18、R19、R22、R23、R27、R29、R30、R32、R34,自增益控制处理电路中输入端口Va与电阻R22的一端连接,电阻R22的另一端分别与电阻R23的一端、电容C20的一端连接,电容C20的另一端接地,电阻R23的另一端分别与电容C16的一端、电阻R32的一端连接,电容C16的另一端分别与电阻R19的一端、电阻R27的一端、三极管Q7的基极连接,电阻R19的另一端与高电平VCC连接,电阻R27的另一端接地,电阻R32的另一端分别与电容C22、电容C15的一端、三极管Q7的发射极、电阻R29的一端、滑动变阻器R26的滑片端、滑动变阻器R26电阻的一端连接,电阻R29的另一端接地,电容C22的另一端分别与电容C23的一端、电阻R34的一端连接,电容C23的另一端接地,电阻R34的另一端与可变电阻R33的一端连接,电容C15的另一端与高电平VCC连接,滑动变阻器R26电阻的另一端分别与电容C17的一端、电容C18的正极连接,电容C17的另一端与电阻R18的一端连接,电阻R18的另一端与高电平VCC连接,...
【专利技术属性】
技术研发人员:房晓,
申请(专利权)人:杭州中奥工业设计有限公司,
类型:发明
国别省市:
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