多区域电阻加热器制造技术

一种整合式沉积系统，其能汽化低蒸汽压力的液体前驱物并输送该蒸汽至一处理区，以制造先进的集成电路。该整合式沉积系统包括一已加热的排除系统、一远端电浆产生装置、一处理室、一液体配送系统与一电脑控制模块，且该些装置共同创造出一种具商业可行性与生产价值的利用低蒸汽压前驱物来沉积高效介电材料（ｈｉｇｈ　　ｃａｐａｃｉｔｙ　　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　　ｍａｔｅｒｉａｌ）的系统。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术系有关于一种用于处理室的加热装置，特别是用于化学气相沉积室的加热装置。
技术介绍
化学气相沉积法(chemical vapor deposition，CVD)系为一种在一基材上沉积各种薄膜的常用方法，并被广泛地用于半导体集成电路制造中，例如用来处理半导体晶圆以形成独立的集成电路元件。在典型的CVD制程中，系将一或多个晶圆置于一沉积或反应室中，并将一反应气体引入该腔室内，并于一加热表面上进行分解与与反应，而在该(些)晶圆上形成一薄膜。目前现行有多种单晶圆(single-wafer)或多晶圆(multi-wafer)CVD反应室。多晶圆反应室通常具有多个用来固持晶圆的垂直炉，例如可持有25个或更多个晶圆。对于用来沉积四氮化三硅(Si3N4)或多晶硅(polysilicon)的低压CVD而言，如0.25-2.0托耳(torr)，通常一多晶圆室的沉积时间可能约数小时。例如，在一多晶圆室中，视沉积厚度的不同，四氮化三硅在约介于700℃至800℃的温度下需要4至5小时的沉积时间。第二型CVD反应室系为单晶圆室。在该室中，晶圆系由一平台(stage)或承载器(susceptor)来支撑本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，其包含：一平台，系包括一主体及一用以支撑一晶圆的表面区域；一传动轴，系耦合至该平台；一第一加热元件，系位于该平台的主体的一第一平面中；以及一第二加热元件，系位于该平台的主体的一第二平面中，该第二平面较该第一平面距离该平台表面更远，其中该第二加热元件系从与该主体的第一平面实质平行的一平面上偏离该第一加热元件。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：H霍，崔安青，袁晓雄，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]