平板显示装置制造方法及图纸

一种平板显示装置，具有其中串扰最小化的晶体管。所述平板显示装置包括衬底；形成在所述衬底上的第一栅电极；与所述第一栅电极绝缘的第一电极；与所述第一栅电极绝缘并且在同一平面内环绕第一电极的第二电极；与所述第一栅电极绝缘并且与第一电极和第二电极接触的半导体层；和显示元件，包括与第一电极和第二电极之一电连接的像素电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种平板显示装置，尤其涉及一种具有其中串扰最小化的晶体管的平板显示装置。
技术介绍
常规反向共面薄膜晶体管(TFT)，分别包括形成于衬底上的栅电极、形成于栅电极上的漏电极和源电极、以及栅绝缘层，所述栅绝缘层插入在所述源电极和栅电极之间、插入在所述漏电极和栅电极之间、插入在所述源电极和栅电极之间、并插入在所述漏电极和栅电极之间。半导体层与所述源电极和漏电极接触。所述源电极和漏电极可以互换。在上述结构中，所述半导体层没有被构图，而是形成为用于两个相邻薄膜晶体管(TFT)的单体。在这种情况下，可能出现其中由于漏电流等造成的相邻TFT之间相互影响的串扰。因此，为避免串扰发生，半导体层应被构图使其由每个TFT分别使用。但是，在使用有机半导体层作为半导体层的有机TFT的情况下，对半导体层进行构图是非常困难的，并且即使将有机半导体层构图，但却恶化了有机半导体层的电特性。
技术实现思路
因此本专利技术一个目标是提供一种具有其中串扰最小化的晶体管的平板显示装置。本专利技术的另一个目标是提供具有一种晶体管的平板显示装置，该晶体管具有连接更为简化、质量更高、安全性更好的结构。本专利技术的再一个目标是提供具有一种晶体管的平板显示装置，该晶体管具有容易实施、更为经济且避免干扰的结构。根据本专利技术的一个方面，提供了一种平板显示装置，该平板显示装置包括衬底；形成于所述衬底上的第一栅电极；与所述第一栅电极绝缘的第一电极；与所述第一栅电极绝缘且在同一平面内环绕所述第一电极的第二电极；与所述第一栅电极绝缘且与所述第一电极和第二电极接触的半导体层；包括像素电极的显示元件，该像素电极与所述第一电极和所述第二电极之一电连接。第一电极和第二电极可以形成在第一栅电极上。第一栅电极可以布置在第一电极和第二电极之间间隔的上方和下方。第一电极可以是第一漏电极，第二电极可以是第一源电极，第一电极可以连接到像素电极。平板显示装置还可以包括连接到第一栅电极的第一电容器电极；和连接到第二电极的第二电容器电极。第一电容器电极和第一栅电极可以作为单体形成，第二电容器电极和第二电极也可作为单体形成。平板显示装置还可以包括第二栅电极；与所述第二栅电极绝缘的第三电极；与所述第二栅电极绝缘且环绕第三电极的第四电极；与所述第二栅电极绝缘且与第三电极和第四电极接触的半导体层，其中第三电极和第四电极之一可以电连接到第一栅电极。第三电极和第四电极可以在第二栅电极上形成。第二栅电极可以布置在第三电极和第四电极之间间隔的上方和下方。第三电极可以是第二漏电极，第四电极可以是第二源电极，第三电极可以连接到第一栅电极。平板显示装置还可以包括栅绝缘层，该栅绝缘层形成于衬底的整个表面上且覆盖第一栅电极、第二栅电极、和第一电容器电极；和保护层，该保护层形成于衬底的整个表面上且覆盖第一至第四电极、第二电容器电极和半导体层。半导体层可以形成在第一至第四电极上，第一接触孔可以形成于保护层和半导体层中以暴露部分第三电极，第二接触孔可以形成于保护层、半导体层和栅绝缘层中以暴露部分第一电容器电极，并且第三电极和第一电容器电极可以通过互连相互连接在一起，所述互连形成在第一接触孔、第二接触孔中以及保护层上。将第三电极连接到第一电容器电极的互连还可包括金属层，该金属层经由第二接触孔连接到第一电容器电极，且该金属层由与第四电极相同的材料形成并形成于栅绝缘层上。第一至第四电极可以形成于半导体层上，第一接触孔形成于保护层中以暴露部分第三电极，第二接触孔可以形成于保护层、半导体层和栅绝缘层上以暴露部分第一电容器电极，并且第三电极和第一电容器电极可通过互连相互连接在一起，所述互连形成于第一接触孔和第二接触孔中以及保护层上。将第三电极连接到第一电容器电极的所述互连还可包括金属层，该金属层经由第二接触孔连接到第一电容器电极，且该金属层由与第四电极相同的材料形成并形成于半导体层上。像素电极可形成于保护层上，将第三电极连接到第一电容器电极的互连可由与所述像素电极相同的材料形成。第三电极可以是第二源电极，第四电极可以是第二漏电极，并且第四电极可电连接到第一栅电极。平板显示装置还可包括保护层，该保护层形成于衬底的整个表面上，且覆盖第一栅电极、第二栅电极、第一至第四电极、第一电容器电极、第二电容器电极以及半导体层，其中像素电极可以形成于保护层上。平板显示装置还可包括第二栅电极；与所述第二栅电极绝缘的第三电极；与所述第二栅电极绝缘且环绕所述第三电极的第四电极；以及与所述第二栅电极绝缘且与第三电极和第四电极接触的半导体层，其中第三电极和第四电极之一可电连接到第一栅电极。第三电极和第四电极可以形成于第二栅电极上。第二栅电极可布置在第三电极和第四电极之间间隔的上方和下方。第三电极可以是第二漏电极，第四电极可以是第二源电极，并且第三电极可以电连接到第一栅电极。第三电极可以是第二源电极，第四电极可以是第二漏电极，并且第四电极可以电连接到第一栅电极。半导体层可以是有机半导体层。显示元件中产生的光可以从衬底射出。显示元件可以是电致发光元件。附图说明结合附图，参考下面的详细描述，本专利技术的更为完整的评价以及附属优点将变得显而易见，附图中相同的附图标记表示相同或相似的元件，其中图1为常规反向共面薄膜晶体管(TFT)的截面示意图；图2为根据本专利技术实施例的有源矩阵电致发光显示装置的电路图的示意图；图3为图2中所示的A部分的电路图；图4为图2中所示的A部分的平面图的示意图；图5为图4中所示的沿着点P1至P8的有源矩阵电致发光显示装置的子像素单元的截面示意图；图6为根据本专利技术另一实施例的有源电致发光显示装置的子像素单元的截面示意图；图7为根据本专利技术另一实施例的有源电致发光显示装置的子像素单元的截面示意图；图8为根据本专利技术另一实施例的有源矩阵电致发光显示装置的子像素单元的截面示意图；图9为根据本专利技术另一实施例的有源电致发光显示装置的子像素单元的截面示意图；图10为根据本专利技术另一实施例的有源电致发光显示装置的子像素单元的截面示意图；和图11为根据本专利技术另一实施例的有源电致发光显示装置的子像素单元的截面示意图；具体实施方式现在参考附图，图1为常规反向共面薄膜晶体管(TFT)的截面示意图。参考图1，栅电极11和51形成于衬底81上，源电极12和52以及漏电极13和53分别形成于栅电极11和51上，栅绝缘层83插入在源电极12和栅电极11之间、插入在漏电极13和栅电极11之间、插入在源电极52和栅电极51之间，以及插入在漏电极53和栅电极51之间。半导体层80与源电极12和52以及漏电极13和53接触。源电极12和52与漏电极13和52可以互换。上述结构中，半导体层80没有被构图，而是作为用于两个相邻薄膜晶体管(TFT)10和50的单体形成。在这种情况下，可能出现其中由于漏电流等造成的相邻TFT之间相互影响的串扰。因此，为避免串扰发生，半导体层80应被构图使其由每个TFT分别使用。但是，在使用有机半导体层作为半导体层80的有机TFT的情况下，对半导体层80进行构图是非常困难的，并且即使将有机半导体层构图，但却恶化了有机半导体层的电特性。将参考附图描述本专利技术的示例性实施例。如上所述，当半导体层特别是有机半导体层作为具有两个或多个相邻薄膜晶体管(TFT)的单体形成时，会本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种平板显示装置，包括：衬底；形成于所述衬底上的第一栅电极；与所述第一栅电极绝缘的第一电极；与所述第一栅电极绝缘且在同一平面内环绕所述第一电极的第二电极；与所述第一栅电极绝缘且与所述第一电极和所述第二 电极接触的半导体层；和包括像素电极的显示元件，该像素电极与所述第一电极和所述第二电极之一电连接。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：具在本，徐汶彻，
申请(专利权)人：三星移动显示器株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]