一种半导体漏电流及耐压测试装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种半导体漏电流及耐压测试装置及方法，包括：上位机、主控板、数模转换电路、反馈控制回路、开关控制回路和升压电路。上位机设置控制参数并传给主控板；主控板接收控制参数传给数模转换电路，接收开关控制回路测试结果传给上位机；对控制参数进行数模转换得到参考信号传给反馈控制回路，并与开关控制回路采样漏电流、反馈电压构成控制信号控制开关通断，调节输出电压或漏电流到预设目标值给半导体进行漏电流测试；升压电路将交流电转为预设高压给开关控制回路供电。本发明专利技术提供的漏电流测试兼顾电压和电流，实现了自动化测试；采用变压器串联方式升压整流到10KV，测试设备体积小，满足耐压测试需求，测试效率高。测试效率高。测试效率高。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体漏电流及耐压测试装置及方法


[0001]本专利技术涉及自动测试设备
，涉及一种半导体漏电流及耐压测试装置及方法。

技术介绍

[0002]当前，在自动测试设备ATE中，半导体器件工作的电压越来越高，随之要求测试其耐压及漏电流的要求也越来越高。传统的漏电流测试，有的是通过隔离运放或高精度电流表去测试漏极，有的是通过市电220V工频变压器升压，初级调压，再次级通过检测电阻从而检测漏电流。然而，对于精度敏感的ATE设备，对电压和电流都有测试要求，传统设计通过施加电压测漏电流的方式难以满足高精度测试需求。其次，传统设计中，测试电源大多使用工频变压器进行升压，对于工作在高压环境的半导体，体积比较大，难以符合现有的测试设备体积小的要求。此外，现有的测试设备不能自由设置所需要的输出电压和电流且难以满足高精度的测试要求。

技术实现思路

[0003]因此，本专利技术提供了一种半导体漏电流及耐压测试装置及方法，该装置的漏电流测试兼顾电压和电流测试，可以自由设置电压和电流，实现自动化测试；其次，升压电路采用变压器串联方式升压整流到10K本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体漏电流及耐压测试装置，其特征在于，包括：上位机、主控板、数模转换电路、反馈控制回路、开关控制回路和升压电路；所述上位机，用于设置控制参数，基于总线与所述主控板进行通信，将所述控制参数发送至所述主控板以及显示测试结果，所述控制参数包括：预设输出电压或预设输出漏电流；所述主控板，用于接收所述上位机发送的控制参数并传递给所述数模转换电路，及接收所述开关控制回路的采样漏电流和采样电压并传递给所述上位机；所述数模转换电路，包括两路通路，对所述控制参数进行转换，得到参考信号并传给所述反馈控制回路，所述参考信号包括：参考电压和参考漏电流；所述反馈控制回路，基于所述数模转换电路发送的参考电压和参考漏电流以及所述开关控制回路反馈的采样漏电流和反馈电压生成控制信号，并发送给所述开关控制回路；所述开关控制回路，基于所述控制信号控制开关回路中开关的通断，调节开关回路的输出电压或输出漏电流，达到预设输出电压或预设输出漏电流，传给待测半导体器件，以及获取采样漏电流和反馈电压并传给所述反馈控制回路，获取采样漏电流和采样电压进行处理后传给所述主控板；所述升压电路，将交流电转换为预设高压，给所述开关控制回路提供输出电压源。2.根据权利要求1所述的半导体漏电流及耐压测试装置，其特征在于，所述反馈控制回路，包括：电压控制单元、电流控制单元和二极管平衡桥单元；所述电压控制单元，用于调节参考电压的恒定输出；所述电流控制单元，用于调节参考漏电流的恒定输出；所述二极管平衡桥单元，用于选择电压控制单元或电流控制单元的控制形成控制信号。3.根据权利要求1所述的半导体漏电流及耐压测试装置，其特征在于，所述开关控制回路，包括：控制开关单元、开关单元、电压采样单元和漏电流采样单元；所述控制开关单元，用于控制开关回路中开关的通断，调节开关回路的输出电压或输出漏电流的大小；所述开关单元，用于对开关控制回路的输出电压源进行开关调节，输出电压和漏电流；所述电压采样单元，用于获取待测半导体器件的采样电压；所述漏电流采样单元，...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟伟金，钟有权，伍细裕，薛继卓，
申请(专利权)人：佛山市联动科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：