一种相控阵天线发射环路自激检测和排除方法技术

本发明专利技术提供了相控阵天线发射环路自激检测和排除方法，所述检测方法包括以下步骤：将相控阵天线设置为全阵面发射内定标模式；将频谱分析仪接入第二射频功分器的输入端，断开TR组件发射输出口和天线单元之间的射频连接；连接TR组件发射输出口和天线单元；确认从低频输入口引入的射频泄露信号量级；确认从射频输入口引入的射频泄露信号量级。本发明专利技术的方法不需要借助专门的电磁兼容测试人员及设备，不需要增加额外的成本，使用频谱分析仪就能够快速找到发射环路自激的节点。到发射环路自激的节点。到发射环路自激的节点。

【技术实现步骤摘要】
一种相控阵天线发射环路自激检测和排除方法


[0001]本专利技术属于相控阵天线领域，涉及一种相控阵天线发射环路自激检测和排除方法。

技术介绍

[0002]相控阵天线是相控阵系统的核心组成部分，随着技术的发展，二维有源相控阵天线的成本、重量等要求非常苛刻，但是电磁兼容性更加重要，这直接影响相控阵天线的可用性和好用性。其中相控阵天线最常见的射频兼容问题为相控阵天线系统内电磁泄露和天线后向辐射二者结合造成的发射环路自激。如何快速检测相控阵天线的电磁泄露位置，找到环路中关键位置，对相控阵天线发射环路自激的检测和排除具有非常重要的现实意义。
[0003]随着对相控阵天线的功能和性能要求越来越高，在有限的空间内，集成度越来越高，对单机的重量要求越来越高，进一步降低单位面积重量，降低相控阵天线整体重量，采用轻量化的综合网络、高集成的TR组件以及柔性印制板等技术。
[0004]依据GJB151B
‑
2013、GJB1389A
‑
2005对相控阵天线进行电磁兼容性检测，受制于电磁兼容性试验室空间和试验手段的限制，大尺寸相控阵天线的电磁泄露等难以实施。

技术实现思路

[0005]为解决现有技术存在的难题，本专利技术提供了一种相控阵天线发射环路自激检测方法，所述相控阵天线发射环路包括第一射频功分器和M个发射放大链组，每个发射放大链组均包括顺次连接的发射放大链A1、发射放大链A2
…
发射放大链AN，每个发射放大链组中的发射放大链AN包括多个TR组件，每个TR组件连接对应的天线单元；放大链组的连接包括射频连接和低频连接，其中，M为大于等于1的正整数，N为大于等于2的正整数，包括以下步骤：
[0006]将相控阵天线设置为全阵面发射内定标模式，此时每个发射放大链组中的发射放大链AN和第二射频功分器的输出端连接，相控阵天线发射输入口不加激励信号；所述第二射频功分器和第一射频功分器的参数相同；
[0007]将频谱分析仪接入第二射频功分器的输入端，断开TR组件发射输出口和天线单元之间的射频连接，此时频谱分析仪上定标总口输出信号为P2；
[0008]连接TR组件发射输出口和天线单元，所述连接包括射频连接和低频连接；屏蔽每个发射放大链组的射频输入口引入的射频泄露信号，在每个发射放大链组的发射放大链A1和发射放大链A2之间均接入可调射频衰减器，当每个可调射频衰减器的衰减量由0增加到x1时，频谱分析仪上定标总口输出信号P1＝P2；
[0009]屏蔽每个发射放大链组的低频输入口引入的射频泄露信号，在每个发射放大链组的发射放大链A1的输入口均接入可调射频衰减器，每个可调射频衰减器的衰减量从0增加到x2时，频谱分析仪上定标总口输出信号P3＝P2；
[0010]衰减量x1和x2分别为低频输入口引入的射频泄露信号值和射频输入口引入的射频泄露信号值。
[0011]进一步地，所述屏蔽发射放大链的射频输入口引入的射频泄露信号的具体操作为：在每个发射放大链组的发射放大链A1的射频输入口接入匹配负载。
[0012]进一步地，所述屏蔽发射放大链的低频输入口引入的射频泄露信号的具体操作为：在每个发射放大链组的发射放大链A1的射频输入口接匹配负载，同时将每个发射放大链组的发射放大链A1的低频输入口的低频电缆外部加S层防波套；S为大于1的正整数；
[0013]进一步地，S的数值通过频谱分析仪定标总口输出的发射定标信号确定，即当频谱分析仪定标总口输出没有自激时，表明加S层防波套屏蔽有效。
[0014]一种相控阵天线发射环路自激排除方法，所述排除方法根据上述检测方法实现，具体为：将低频输入口上的低频电缆的屏蔽性能提高x1，将发射放大链A1的射频输入口上的射频电缆及与射频电缆连接的第一射频功分器的总的屏蔽性能提高x2。
[0015]与现有技术相比，本专利技术具有如下技术效果：
[0016](1)可以在相控阵天线安装完成后调试阶段自行测试判断，不需要到专门的电磁兼容试验室，也不需要专门的电磁兼容测试人员及设备，通过相控阵天线本身的内定标功能，通过全阵面发射内定标模式就可以完成，大大节省了研制成本。
[0017](2)可操作性强，通过使用可调射频衰减器就可以定量的得到放大链两个入口引入的射频信号电平。
[0018](3)指导性强，避免了盲目的在全阵面寻找泄露源，能够快速找到发射自激环路入口，通过向前寻找泄露点，能够快速定位射频屏蔽薄弱点，为相控阵天线发射环路自激的解决提供了方向和手段。
[0019](4)适用性强，适用于多种形式的相控阵天线，对相控阵天线的研制具有重要的现实意义。
附图说明
[0020]图1为本专利技术实施例的相控阵天线发射环路示意图。
具体实施方式
[0021]本申请实施例针对对相控阵天线进行电磁兼容性检测，受制于电磁兼容性试验室空间和试验手段的限制，大尺寸相控阵天线的电磁泄露等难以实施问题，提出了相控阵天线发射环路自激检测和排除方法，从减少相控阵天线发射环路的链路损耗角度出发，检测射频链路和低频链路是否存在屏蔽效果差的现象，从而通过提高射频链路和低频链路的屏蔽性能排除相控阵天线的环路自激，进而提高相控阵天线的性能。
[0022]为了使本
的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0023]本实施例提供了一种相控阵天线发射环路自激检测方法，所述相控阵天线发射环路包括第一射频功分器和M个发射放大链组，每个发射放大链组均包括顺次连接的发射放大链A1、发射放大链A2
…
发射放大链AN，每个发射放大链组中的发射放大链AN包括多个TR组件，每个TR组件连接对应的天线单元；放大链组的连接包括射频连接和低频连接，其中，M
为大于等于1的正整数，N为大于等于2的正整数。
[0024]所述检测方法包括以下步骤：
[0025]将相控阵天线设置为全阵面发射内定标模式，此时每个发射放大链组中的发射放大链AN和第二射频功分器的输出端连接，相控阵天线发射输入口不加激励信号；所述第二射频功分器和第一射频功分器的参数相同；
[0026]将频谱分析仪接入第二射频功分器的输入端，断开TR组件发射输出口和天线单元之间的射频连接，此时频谱分析仪上定标总口输出信号为P2；
[0027]连接TR组件发射输出口和天线单元，所述连接包括射频连接和低频连接；屏蔽每个发射放大链组的射频输入口引入的射频泄露信号，在每个发射放大链组的发射放大链A1和发射放大链A2之间接入可调射频衰减器，当可调射频衰减器的衰减量由0增加到x1时，频谱分析仪上定标总口输出信号P1＝P2；
[0028]屏蔽每个发射放大链组的低频输入口引入的射频泄露本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种相控阵天线发射环路自激检测方法，所述相控阵天线发射环路包括第一射频功分器和M个发射放大链组，每个发射放大链组均包括顺次连接的发射放大链A1、发射放大链A2
…
发射放大链AN，每个发射放大链组中的发射放大链AN包括多个TR组件，每个TR组件连接对应的天线单元；放大链组的连接包括射频连接和低频连接，其中，M为大于等于1的正整数，N为大于等于2的正整数，其特征在于，包括以下步骤：将相控阵天线设置为全阵面发射内定标模式，此时每个发射放大链组中的发射放大链AN和第二射频功分器的输出端连接，相控阵天线发射输入口不加激励信号；所述第二射频功分器和第一射频功分器的参数相同；将频谱分析仪接入第二射频功分器的输入端，断开TR组件发射输出口和天线单元之间的射频连接，此时频谱分析仪上定标总口输出信号为P2；连接TR组件发射输出口和天线单元，所述连接包括射频连接和低频连接；屏蔽每个发射放大链组的射频输入口引入的射频泄露信号，在每个发射放大链组的发射放大链A1和发射放大链A2之间均接入可调射频衰减器，当每个可调射频衰减器的衰减量由0增加到x1时，频谱分析仪上定标总口输出信号P1＝P2；屏蔽每个发射放大链组的低频输入口引入的射频泄露信号，在每个发射放大链组的发射放大链A1的输入口均接入可调射频衰减器，每个可...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵旭昊，于大群，梁伟龙，郭星远，张颖，项宏心，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十四研究所，
类型：发明
国别省市：