【技术实现步骤摘要】
一种双组份导热凝胶及其制备方法和应用
[0001]本专利技术属于热界面材料领域,尤其涉及一种双组份导热凝胶及其制备方法和应用。
技术介绍
[0002]作为信息工业的支撑产业—半导体技术正面临一个重大的瓶颈与挑战—热墙。也就是说,高速化和高密度的微/纳电子器件在很小的空间,产生巨大的热量。这些热量积聚在极小的范围内,使得电子器件的温度急剧升高。在这种情况下,电子器件运行的可靠性和速度降低,并最终导致集成电路被烧毁。因此,如何将产生的热量及时耗散出去是半导体电子工业发展所面临的一个重要课题。从微观上看,在不同材料形成的界面处,固体表面的粗糙度会使界面附近充满空气,从而使实际的接触面积远小于界面的表面积。由于空气的导热性能很差,因此会极大地增加界面的整体热阻。为了减小这一不利因素的影响,人们通常在界面处填充具有较高导热系数的热界面材料。这类材料需要具有一定的变形性和流动性,从而尽可能地充满界面处的缝隙,增大接触面积。
[0003]目前,比较常见的热界面材料有导热脂,导热凝胶、导热胶黏剂,导热垫片,相变材料等,它们都是将导热 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种双组份导热凝胶的应用,其特征在于,应用于电子元器件散热通路上两接触界面的界面间隙中;所述双组份导热凝胶包括:A组分和B组分;所述A组分包括:有机硅聚合物基材、导热填料和催化剂,所述B组分包括:有机硅聚合物基材和导热填料;所述A组分和B组分中的导热填料均由一级填料、二级填料和三级填料组成;所述一级填料包括:一级填料颗粒和包覆在所述一级填料颗粒表面的偶联剂包覆层;所述一级填料颗粒的D
90
粒径与D
10
粒径的比为(2~20):1;所述一级填料颗粒的D
50
粒径与偶联剂包覆层厚度的比为(50~2000):1;所述一级填料的表面能为18~60mJ/m2;所述二级填料包括:二级填料颗粒和包覆在所述二级填料颗粒表面的偶联剂包覆层;所述二级填料颗粒的D
90
粒径与D
10
粒径的比为(2~20):1;所述二级填料颗粒的D
50
粒径与偶联剂包覆层厚度的比为(50~1000):1;所述二级填料的表面能为18~45mJ/m2;所述三级填料包括:三级填料颗粒和包覆在所述三级填料颗粒表面的偶联剂包覆层;所述三级填料颗粒的D
90
粒径与D
10
粒径的比为(2~20):1;所述三级填料颗粒的D
50
粒径与偶联剂包覆层厚度的比为(50~500):1;所述三级填料的表面能为18~30mJ/m2;所述一级填料颗粒与二级填料颗粒的D
50
粒径比为(8~30):1;所述二级填料颗粒与三级填料颗粒的D
50
粒径比为(5~40):1;所述一级填料、二级填料和三级填料的体积比为(35~57):(18~30):(10~25)。2.根据权利要求1所述的应用,其特征在于,所述两接触界面的压合应力≥5psi;所述界面间隙的间距≥200μm。3.根据权利要求1所述的应用,其特征在于,所述电子元器件的热源功率≥80W。4.一种双组份导热凝胶,包括:A组分和B组分;所述A组分包括:有机硅聚合物基材、导热填料和催化剂,所述B组分包括:有机硅聚合物基材和导热填料;所述A组分和B组分中的导热填料均由一级填料、二级填料和三级填料组成;所述一级填料包括:一级填料颗粒和包覆在所述一级填料颗粒表面的偶联剂包覆层;所述一级填料颗粒的D
90
粒径与D
10
粒径的比为(2~20):1;所述一级填料颗粒的D
50
粒径与偶联剂包覆层厚度的比为(50~2000...
【专利技术属性】
技术研发人员:韩杨,宁波,刘欢,周占玉,吴晓宁,
申请(专利权)人:北京中石伟业科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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