交流磁控功率调节电感镇流器制造技术

本发明专利技术涉及一种磁控调光电感镇流器，是在至少有两个磁路的铁芯上的主磁路绕上主绕组，在边磁路的铁芯上绕上调节绕组，调节绕组与控制电路相连，控制电路控制调节绕组的相位及感应电流，其特点是：边磁路的磁通量小于主磁路的磁通量。由于本发明专利技术采用在主磁路绕上主绕组，在边磁路上绕上调节绕组，边磁路的磁通量小于主磁路的磁通量，使得主磁路电感不会饱和，所以在使用时不需再串联一个电感。本发明专利技术除具有２００５１００１８８１４．９号发明专利技术专利的所有优点外，还具有可以像原始使用镇流器一样，只有两根连接线，只需将本发明专利技术连接在所需调节感性负载的主回路中即可。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于 一种用于感性负载的电感镇流器，特别是一种交流磁控 功率调节电感镇流器。
技术介绍
目前在控制感性负载特別是利用磁放大器调节控制交流电源的电路 中，常采用的方法是在负载的主回路中串联一个磁放大器的主绕组，磁 放大器是在日字形铁芯的两个边柱上分别绕上交流绕组，其中控制绕组 反向串连，在磁放大器的主绕组上产生交流电流时，使控制绕组的的输 出端无交流电压输出，然后在输出端两端接入可调的直流电压，用于控 制通过控制绕组中的直流电流大小，从而达到控制^兹放大器的主绕组中 的励磁电流，即可控制主绕组的电感值，也就控制了主绕组的阻抗值， 最后达到控制负载的工作电压值和电流的目的。该方法虽然能利用磁放大器调节负载的工作电压值，但是该方法存在以下缺陷①使控制绕组 的的输出端无交流电压输出的工艺特别繁瑣，如果控制绕组的的输出端 有电压就会对输出端两端接入的可调直流电压电路产生影响，而使可调 直流电压电路不能正常工作；②需要专门的可调直流电压电路，使得整 个控制电路复杂。为了解决上述问题，本专利技术人专利技术了 "交流励磁磁放大器的可控电 感"的专利技术专利(专利号:200510018814.9)，该专利虽然解决了上述技 术所存在的问题，但还是存在必须串联一个电感L，以防止可控电感饱和 (图1)的缺陷。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种采用不饱和磁分路技术，既能使主回路电 感不饱和，又能对主回路电感量进行调节的交流》兹控功率调节电感镇流 器，以克服上述的不足。为了实现上述目的，本专利技术是在至少有两个磁路的铁芯上的主磁路绕上主绕组L，在边磁路的铁芯上绕上调节绕组N,调节绕组N与控制 电路相连，控制电路控制调节绕组N的相位及感应电流，其特点是边 ;兹3各的石兹通量小于主石兹3各的f兹通量。上述边磁路的磁道舌宽尺寸小于主磁路的磁道舌宽尺寸。上述铁芯的主磁路上加一个磁分路，磁分路将主磁路分为两截，两 截磁路上分别绕上主绕组L和调节绕组N。上述主磁路的铁芯上还绕有一个控制绕组Nl,控制绕组N1的输出 通过整流电路与 一个中央处理器MCU相连，中央处理器MCU输出控制 信号控制调节绕组N的相位及感应电流。上述中央处理器MCU由稳压电路、单片机及开关K构成，其中整 流电路的输入端与稳压电路输入端相连，稳压电路输出给单片机提供电 源，单片机输出控制信号控制开关K的通断，开关K与调节绕组N的两 端相连4妄。由于本专利技术采用在主磁路绕上主绕组，在边磁路上绕上调节绕组， 而边磁路的磁通量小于主磁路的磁通量，使得主磁路电感不会饱和，所 以在使用时不需再串联一个电感。本专利技术除具有200510018814.9号专利技术 专利的所有优点外，还具有可以像原始使用镇流器一样，只有两根连接 线，只需将本专利技术连接在所需调节感性负载的主回路中即可。附图说明图1为现有磁控电感镇流器控制感性负载工作的原理框图。图2为本专利技术的结构原理示意图。图3为本专利技术的中央处理器原理框图。图4为本专利技术实施例1 ,兹路示意图。图5为本专利技术实施例2磁路示意图。图6为本专利技术实施例3;兹路示意图。图7为本专利技术实施例4磁路示意图。具体实施例方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步描述。本专利技术是在至少有两个磁路的铁芯上的主磁路绕上主绕组L，在边磁 路的铁芯上绕上调节绕组N,调节绕组N与控制电路相连，控制电路控 制调节绕组N的相位及感应电流，边磁路的磁通量小于主磁路的磁通量。实施例1:本专利技术所采用的铁芯是标准的"E，，字铁芯，其中主磁路舌宽11是 边磁路舌宽12的2倍，主绕组L和控制绕组Nl绕在主磁道上，调节绕 组N绕在独立的一只边磁道上(图4)。实施例2:本专利技术所采用的铁芯是"口"字铁芯，"口"字铁芯两边磁路的舌宽 不同，主绕组L和控制绕组N1绕在舌宽较宽的磁道上，调节绕组N绕 在舌宽较窄的磁道上(图5)。实施例3:本专利技术所采用的铁芯是"日"字铁芯，"日"字铁芯两边磁路的舌宽不同，主绕组L绕在舌宽较宽的磁道上，调节绕组N绕在舌宽较窄的磁 道上，控制绕组Nl绕在中间的》兹道上(图6 )。 实施例4:在铁芯的主磁路上加一个磁分路，磁分路将主磁路分为两截，两截 磁路上分别绕上主绕组L和调节绕组N (图7 )。为了防止主电感饱和，在"口"字铁芯和"日"字铁芯的主磁路上 均有气隙。本专利技术主》兹路的铁芯上的控制绕组N1的输出a、 a'通过整流电路与 一个中央处理器MCU相连，中央处理器MCU输出控制信号控制调节绕 组N的相位及感应电流(图2);中央处理器MCU由稳压电路、单片机 及开关K构成，其中整流电路的输入端与控制绕组Nl的两端相连，稳 压电路输出给单片机提供电源，单片机输出控制信号控制开关K的通断， 开关K与调节绕组N的两端b、 b，相连接；在整流电路与单片机之间还 设置有一个同步鉴相电路；在单片机的控制信号与控制开关K之间还连 接有光耦电路，以实现交流信号与直流信号的隔离；在单片机上还连接 有一个接口电路，该接口电路用于单片机的程序修改和远程监控等功能；在单片机上还连接有一个采样电路，该采样电路的输入信号取至负载的 电压或电流，其输出与单片机相接，以实现单片机对感性负载工作电压 的闭环控制(图3)。本专利技术的工作原理是当主绕组L有交流电流时，在控制绕组Nl 两端产生交流电动势(电压)，经整流电路和稳压电路后变为直流电压， 由单片机通过输出控制信号通过光耦电路控制开关K的通断时间，即由 单片机控制开关K的占空比；同理，在调节绕组N两端产生交流电动势， 在控制开关K闭和时，调节绕组N中就形成感应的励磁电流，控制开关 K的占空比，即控制了调节绕组N中感应的励磁电流的大小，由于调节 绕组N的磁通量小于主绕组L的磁通量，使得主绕组L的磁道不饱和， 调节绕组N中感应的励磁电流的变化使主绕组L中所感应的励磁电流发 生相对应的变化，即使控制主绕组L的电感值发生改变，也就控制了主 绕组L的阻抗值，当主绕组L串联在主回路时，就改变了产生在主绕组 L上的压降，以达到调节感性负载工作电压的目的。本专利技术中的控制开关K是晶闸管、IGBT、 MOS管、三极管等。 本专利技术的控制挠组N1可以不在主磁路中，由负载主回路中再串联一 个电感，由该电感的感应挠组作为控制挠组Nl 。本说明书中未作详细描述的内容属于本领域专业技术人员公知的现 有技术。权利要求1、一种磁控调光电感镇流器，是在至少有两个磁路的铁芯上的主磁路绕上主绕组(L)，在边磁路的铁芯上绕上调节绕组(N)，调节绕组(N)与控制电路相连，控制电路控制调节绕组(N)的相位及感应电流，其特征在于边磁路的磁通量小于主磁路的磁通量。2、 如权利要求1所述的磁控调光电感镇流器，其特征在于边磁路 的磁道舌宽尺寸小于主磁路的磁道舌宽尺寸。3、 如权利要求1所述的磁控调光电感镇流器，其特征在于铁芯的 主磁路上加一个磁分路，磁分路将主磁路分为两截，两截磁路上分别绕 上主绕组(L)和调节绕组(N)。4、 如权利要求1所述的磁控调光电感镇流器，其特征在于主磁路 的铁芯上还绕有一个控制绕组(Nl)，控制绕组(Nl)的输出通过整流 电路与一个中央处理器(MCU)相连，中央处理器(MCU)输出控制信 号控制调节绕组(N)的相位及感应电流。5、 如权利要求4所述的磁控调光电感镇流器，其特征在于中央处 理本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁控调光电感镇流器，是在至少有两个磁路的铁芯上的主磁路绕上主绕组（Ｌ），在边磁路的铁芯上绕上调节绕组（Ｎ），调节绕组（Ｎ）与控制电路相连，控制电路控制调节绕组（Ｎ）的相位及感应电流，其特征在于：边磁路的磁通量小于主磁路的磁通量。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘双喜，刘耘思，
申请(专利权)人：刘耘思，
类型：发明
国别省市：83[中国|武汉]