一种减少BIPV芯片涂黑的方法技术

本发明专利技术公开了一种减少BIPV芯片涂黑的方法，属于BIPV光伏设备加工的技术领域，包括如下步骤：前期准备：通过支架将工装板架设在BIPV芯片上，首尾两端喷涂：根据工装板的形状，对工装板上每个开口的两端依次进行喷涂，非首尾两端喷涂：将喷涂设备的喷嘴对准工装板上每个开口的非首尾两端位置依次进行喷涂，芯片替换：将喷涂好的BIPV芯片取出晾干，并更换下一个芯片，重复上述喷涂操作，通过本发明专利技术，实现了将现有的互联条整条油墨宽度为3mm改变为首尾端为3mm，非首尾端2mm，采用工装板，改变了油墨喷涂的形状，减小涂黑面积，使得遮挡电池片的面积变小，提高了组件功率，且不影响组件的整体外观。体外观。体外观。

【技术实现步骤摘要】
一种减少BIPV芯片涂黑的方法


[0001]本专利技术主要涉及BIPV光伏设备加工的
，具体为一种减少BIPV芯片涂黑的方法。

技术介绍

[0002]BIPV即Building Integrated PV是光伏建筑一体化，PV即Photovoltaic，BIPV技术是将太阳能发电(光伏)产品集成到建筑上的技术，且BIPV建筑光伏多种多样，可以说BIPV适合大多数建筑，如平屋顶、斜屋顶、幕墙、天棚等等形式都可以安装，BIPV建筑中使用的双玻璃光伏组件是由两片钢化玻璃，中间用PVB胶片和复合太阳能芯片组成复合层，芯片之间由导线串、并联汇集引线端的整体构件。
[0003]对于彩色BIPV组件，外观尤为重要，芯片表面的互联条是银色，如果不做涂黑处理，层压后，在组件表面可以明显看到互联条，对组件的外观造成很大影响，因此通过将互联条表面喷涂黑色油墨的方式进行遮挡，来优化外观。
[0004]目前芯片表面上的每根互联条的直径为0.35mm，要遮挡的宽度为3mm，是为了更好的遮盖住电池首尾端，在现有的技术中，以166*83mm，12栅的电池来计算，12条互联条的涂黑面积占整个电池面积的21.87%，造成了功率损失较大，并且影响美观，故而需要一种能够提高光伏组件功率和优化光伏组件外观的喷涂方法。

技术实现思路

[0005]本专利技术技术方案针对现有技术解决方案过于单一的技术问题，提供了显著不同于现有技术的解决方案，具体地本专利技术主要提供了一种减少BIPV芯片涂黑的方法，用以解决上述
技术介绍
中提出的目前芯片表面上的互联条涂黑面积较大，从而造成了功率损失较大的技术问题。
[0006]本专利技术解决上述技术问题采用的技术方案为：一种减少BIPV芯片涂黑的方法,包括如下步骤：S1.前期准备：将BIPV芯片放置在水平工作台上，然后通过支架将工装板架设在BIPV芯片上，且工装板下侧与需要涂黑BIPV芯片的表层之间存在一定的距离；S2.首尾两端喷涂：将喷涂设备的喷嘴置于工装板的上表面，根据工装板的形状，对工装板上每个开口的两端依次进行喷涂，油墨透过工装板附着在BIPV芯片上的互联条首尾两端位置；S3.非首尾两端喷涂：将喷涂设备的喷嘴对准工装板上每个开口的非首尾两端位置依次进行喷涂，油墨透过工装板附着在BIPV芯片上的互联条非首尾两端位置；S4:芯片替换：将喷涂好的BIPV芯片取出晾干，晾干时间为2h
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5h，同时将下一个需要涂黑的BIPV芯片放置在之前BIPV芯片的位置上，并重复上述喷涂操作。
[0007]优选的，步骤S1中所述的工装板下侧与需要涂黑BIPV芯片的表层之间的距离为1cm
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5cm。
[0008]优选的，步骤S2中所述的工装板上每个开口的两端宽度均为3mm。
[0009]优选的，步骤S3中所述的工装板上每个开口的非首尾两端位置宽度为2mm。
[0010]与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：本专利技术通过将现有的互联条整条的涂黑宽度为3mm改变为首尾端为3mm，非首尾端2mm，采用相匹配的工装板，改变了油墨喷涂的形状，减小涂黑面积，使得遮挡电池片的面积变小，提高了组件功率，且在不影响组件的整体外观的前提下，进一步优化了外观，不同尺寸的BIPV芯片可做出相匹配的工装板，便于同一规格的芯片进行成套喷涂，工作效率高，且成本较低。
[0011]以下将结合附图与具体的实施例对本专利技术进行详细的解释说明。
附图说明
[0012]图1为本专利技术的BIPV芯片示意图；图2为本专利技术的工装板示意图；图3为本专利技术的传统方式涂黑后BIPV芯片示意图；图4为本专利技术的新方式涂黑后BIPV芯片示意图。
具体实施方式
[0013]为了便于理解本专利技术，下面将参照相关附图对本专利技术进行更加全面的描述，附图中给出了本专利技术的若干实施例，但是本专利技术可以通过不同的形式来实现，并不限于文本所描述的实施例，相反的，提供这些实施例是为了使对本专利技术公开的内容更加透彻全面。
[0014]需要说明的是，当元件被称为“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上也可以存在居中的元件，当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件，本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
[0015]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常连接的含义相同，本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语知识为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术，本文所使用的术语“及／或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0016]实施例一，请着重参照附图1
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4所示,一种减少BIPV芯片涂黑的方法,包括如下步骤：S1.前期准备：将BIPV芯片放置在水平工作台上，然后通过支架将工装板架设在BIPV芯片上，且工装板下侧与需要涂黑BIPV芯片的表层之间存在一定的距离，之间的距离为1cm
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5cm，S2.首尾两端喷涂：将喷涂设备的喷嘴置于工装板的上表面，根据工装板的形状，对工装板上每个开口的两端依次进行喷涂，油墨透过工装板附着在BIPV芯片上的互联条首尾两端位置，工装板上每个开口的两端宽度均为3mm，S3.非首尾两端喷涂：将喷涂设备的喷嘴对准工装板上每个开口的非首尾两端位置依次进行喷涂，油墨透过工装板附着在BIPV芯片上的互联条非首尾两端位置，工装板上每个开口的非首尾两端位置宽度为2mm，S4:芯片替换：将喷涂好的BIPV芯片取出晾干，晾干时间为2h
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5h，同时将下一个需要涂黑的BIPV芯片放置在之前BIPV芯片的位置上，并重复上述喷涂操作。
[0017]将现有的整条油墨宽度为3mm改变为首尾端为3mm，非首尾端2mm，采用工装，改变
了油墨喷涂的形状，减小涂黑面积，使得遮挡电池片的面积变小，提高了组件功率，且不影响组件的整体外观。
[0018]实施例二，以180*90mm，12栅的BIPV芯片来计算，传统的涂黑模式中，12条互联条的涂黑面积占BIPV芯片面积的20%，而本申请的涂黑方式为13.78%。
[0019]实施例三，以320*120mm，30栅的BIPV芯片来计算，传统的涂黑模式中，30条互联条的涂黑面积占BIPV芯片面积的28.13%，而本申请的涂黑方式为19.22%[（涂黑面积/芯片面积）%]。
[0020]上述结合附图对本专利技术进行了示例性描述，显然本专利技术具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本专利技术的方法构思和技术方案进行的这种非实质改进，或未经改进将本专利技术的构思和技术方案直接应用于其他场合的，均在本专利技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种减少BIPV芯片涂黑的方法，其特征在于,包括如下步骤：S1.前期准备：将BIPV芯片放置在水平工作台上，然后通过支架将工装板架设在BIPV芯片上，且工装板下侧与需要涂黑BIPV芯片的表层之间存在一定的距离；S2.首尾两端喷涂：将喷涂设备的喷嘴置于工装板的上表面，根据工装板的形状，对工装板上每个开口的两端依次进行喷涂，油墨透过工装板附着在BIPV芯片上的互联条首尾两端位置；S3.非首尾两端喷涂：将喷涂设备的喷嘴对准工装板上每个开口的非首尾两端位置依次进行喷涂，油墨透过工装板附着在BIPV芯片上的互联条非首尾两端位置；S4:芯片替换：将喷涂好的BIPV芯片取出晾干，晾...

【专利技术属性】
技术研发人员：李秋霞，王万领，李士刚，
申请(专利权)人：宣城海螺建筑光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：