有机电致发光器件及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种有机电致发光器件及显示装置，有机电致发光器件包括至少一个发光层，且所述至少一个发光层包括至少一层磷光敏化发光层，所述磷光敏化发光层包括主体材料、磷光敏化剂和窄光谱荧光材料，所述窄光谱荧光材料的半峰宽小于50nm。本发明专利技术能够提高有机电致发光器件的效率等性能。发光器件的效率等性能。发光器件的效率等性能。

【技术实现步骤摘要】
有机电致发光器件及显示装置


[0001]本专利技术涉及一种有机电致发光器件及显示装置，属于有机电致发光


技术介绍

[0002]有机电致发光器件(Organic Light Emitting Diode，OLED)，是一种通过电流驱动而达到发光目的的器件，其主要特性来自于其中的发光层，当施加适当电压后，电子和空穴会在发光层中结合产生激子并根据发光层的特性发出不同波长的光。现阶段，发光层材料普遍存在着器件效率低等缺陷，尤其是叠层器件，其通常包括多个发光层，发光层主要由主体材料和磷光材料构成，受限于磷光材料的结构特性(如长波长的3MLCT吸收、以及自身瞬态寿命较长等)，易导致器件效率低等问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种有机电致发光器件及显示装置，能够提高器件的效率等性能，有效克服现有技术存在的缺陷。
[0004]本专利技术的一方面，提供一种有机电致发光器件，包括至少一个发光层，且所述至少一个发光层包括至少一层磷光敏化发光层，所述磷光敏化发光层包括主体材料、磷光敏化剂和窄光谱荧光材料，所述窄光谱荧光材料的半峰宽小于50nm。
[0005]可选地，所述主体材料为一种主体材料、或者包括多种主体材料。
[0006]可选地，基于所述多种主体材料的总质量，所述多种主体材料中的每一者的质量百分数均不低于10％。
[0007]可选地，所述主体材料的单线态能级及三线态能级均高于所述磷光敏化剂的三线态能级。
[0008]可选地，所述磷光敏化剂的三线态能级高于所述窄光谱荧光材料的单线态能级以及三线态能级。
[0009]可选地，所述主体材料包括第一主体材料和第二主体材料，所述第一主体材料和第二主体材料形成激基复合物。
[0010]可选地，所述激基复合物的单线态能级及三线态能级均高于所述磷光敏化剂的三线态能级。
[0011]可选地，所述激基复合物的单线态能级及三线态能级均高于所述窄光谱荧光材料的三线态能级。
[0012]可选地，所述第一主体材料为空穴传输型主体材料，所述第二主体材料为电子传输型主体材料，所述第一主体材料的单线态能级S
1P
、所述第二主体材料的单线态能级S
1N
、所述激基复合物的单线态能级S
1EX
满足如下关系：
[0013]S
1P
＞S
1N
≧S
1EX
。
[0014]可选地，所述激基复合物的单线态能级S
1EX
与其三线态能级T
1EX
满足如下关系：
[0015]0＜S
1EX
－T
1EX
≤0.3eV。
[0016]可选地，所述空穴传输型主体材料的最高占据轨道能级E
HOMOP
和最低空轨道能级E
LUMOP
、所述电子传输主体材料的最高占据轨道能级E
HOMON
和最低空轨道能级E
LUMON
，满足：
[0017]E
HOMOP
＞E
HOMON
，优选地，E
HOMOP
－E
HOMON
＞0.1eV；
[0018]E
LUMOP
＞E
LUMON
，优选地，E
LUMOP
－E
LUMON
＞0.3eV。
[0019]可选地，所述的第一主体材料包括式1表示的化合物。
[0020]可选地，所述第一主体材料包括化合物D
‑
1至D
‑
85中的一种或多种。
[0021]可选地，第二主体材料包括含氮芳香杂环化合物，优选地，所述第二主体材料含有式2表示的结构单元。
[0022]可选地，所述第二主体材料包括化合物A1至A86中的一种或多种。
[0023]可选地，窄光谱荧光材料的发光峰值为480nm～580nm，优选500nm～550nm；
[0024]可选地，所述窄光谱荧光材料包括含硼化合物；优选地，所述窄光谱荧光材料包括具有式3
‑
1、式3
‑
2、式3
‑
3、式3
‑
3、式3
‑
4、式3
‑
5、式3
‑
6、式3
‑
7所示结构的化合物中的一种或多种。
[0025]可选地，所述窄光谱荧光材料包括化合物M1至M474中的一种或多种。
[0026]可选地，磷光敏化剂包括化合物GPD
‑
1至GPD
‑
47中的一种或多种。
[0027]可选地，所述磷光敏化发光层中，所述磷光敏化剂的质量含量为0.1
‑
50％，优选为0.1
‑
15％，所述窄光谱荧光材料的质量含量为0.1
‑
30％，优选为0.1
‑
5％，余量为所述主体材料。
[0028]可选地，所述至少一个发光层包括层叠设置的至少两个发光层。
[0029]可选地，所述发光层的厚度为优选为
[0030]可选地，所述有机电致发光器件还包括阳极和阴极，所述至少一个发光层包括第一发光层和第二发光层，所述阴极、所述第一发光层、所述第二发光层、所述阳极依次层叠设置，其中，所述第一发光层为所述磷光敏化发光层，或者，所述第二发光层为所述磷光敏化发光层，或者，所述第一发光层与所述第二发光层均为所述磷光敏化发光层。
[0031]本专利技术的另一方面，提供一种显示装置，包括上述有机电致发光器件。
[0032]本专利技术中，有机电致发光器件的至少一个发光层为磷光敏化发光层(亦即至少包括一层磷光敏化发光层)，该磷光敏化发光层的组成体系包括主体材料、磷光敏化剂和窄光谱荧光材料，所引入的窄光谱荧光材料的半峰宽(FWHM)小于50nm，在这样的组成体系下，使用磷光材料敏化窄光谱荧光材料进行发光，可以改善磷光材料自身半峰宽较宽等问题，提高器件效率等性能。
附图说明
[0033]图1为本专利技术一实施例的有机电致发光器件的结构示意图；
[0034]图2为本专利技术另一实施例的有机电致发光器件的结构示意图。
[0035]附图标记说明：10：阳极；11：第一空穴注入层；20：阴极；21：第一空穴传输层；22：第二空穴传输层；31：第一电子阻挡层；32：第二电子阻挡层；41：第一发光层；42：第二发光层；51：第一空穴阻挡层；52：第二空穴阻挡层；61：第一电子传输层；62：第二电子传输层；71：p型电荷生成层；72：n型电荷生成层；81：第一电子注入层；9：光取出层。
具体实施方式
[0036]相关技术中，受限于发光材料结构和性质等影响因素，发光器件普遍存在着效率低等缺陷，例如，器件(如绿光器件)中的绿色发光层基本均采用主体材料和绿本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括至少一个发光层，且所述至少一个发光层包括至少一层磷光敏化发光层，所述磷光敏化发光层包括主体材料、磷光敏化剂和窄光谱荧光材料，所述窄光谱荧光材料的半峰宽小于50nm。2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述主体材料为一种主体材料、或者包括多种主体材料；优选地，基于所述多种主体材料的总质量，所述多种主体材料中的每一者的质量百分数均不低于10％。3.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述主体材料的单线态能级及三线态能级均高于所述磷光敏化剂的三线态能级；和/或，所述磷光敏化剂的三线态能级高于所述窄光谱荧光材料的单线态能级以及三线态能级。4.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述主体材料包括第一主体材料和第二主体材料，所述第一主体材料和所述第二主体材料形成激基复合物。5.根据权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述激基复合物的单线态能级及三线态能级均高于所述磷光敏化剂的三线态能级；和/或，所述激基复合物的单线态能级及三线态能级均高于所述窄光谱荧光材料的三线态能级；和/或，所述第一主体材料为空穴传输型主体材料，所述第二主体材料为电子传输型主体材料，所述第一主体材料的单线态能级S
1P
、所述第二主体材料的单线态能级S
1N
、所述激基复合物的单线态能级S
1EX
满足如下关系：S
1P
＞S
1N
≧S
1EX
；和/或，所述激基复合物的单线态能级S
1EX
与其三线态能级T
1EX
满足如下关系：0＜S
1EX
－T
1EX
≤0.3eV。6.根据权利要求5所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输型主体材料的最高占据轨道能级E
HOMOP
和最低空轨道能级E
LUMOP
、所述电子传输主体材料的最高占据轨道能级E
HOMON
和最低空轨道能级E
LUMON
，满足：E
HOMOP
＞E
HOMON
，优选地，E
HOMOP
－E
HOMON
＞0.1eV；E
LUMOP
＞E
LUMON
，优选地，E
LUMOP
－E
LUMON
＞0.3eV。7.根据权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述的第一主体材料包括式1表示的化合物：其中，Ar1选自取代或未取代的C6～C60芳基、取代或未取代的C3～C60杂芳基中的一种；R
001
和R
002
表示所在苯环上零取代至最多允许的取代基，R
001
和R
002
各自独立的选自氘、氰基、取代或未取代的C1～C20烷基、取代或未取代的C3～C20环烷基、取代或未取代的C1～C20硅烷基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C7～C30芳烷基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基、取代或未取代的C6～C60芳基、取代或未取代的C3～C60杂芳基
中的一种；优选的，所述第一主体材料具有如式1
‑
1或式1
‑
2所示结构：其中，m和n各自独立的为1～4的整数；Ar2、Ar3、Ar4各自独立的选自取代或未取代的C6～C60芳基、取代或未取代的C3～C60杂芳基中的一种；R
003
～R
010
表示所在苯环上零取代至最多允许的取代基，各自独立的选自氢、氘、氰基、取代或未取代的C1～C20烷基、取代或未取代的C3～C20环烷基、取代或未取代的C1～C20硅烷基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C7～C30芳烷基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基、取代或未取代的C6～C60芳基、取代或未取代的C3～C60杂芳基中的一种；优选的，Ar2、Ar3、Ar4各自独立的选自取代或未取代的苯、取代或未取代的联苯、取代或未取代的三联苯、取代或未取代的三亚苯、取代或未取代的二苯并呋喃、取代或未取代的二苯并噻吩、取代或未取代的吲哚、取代或未取代的吲哚并咔唑、取代或未取代的咔唑、取代或未取代的芴中的一种或多种的组合；优选地，所述第一主体材料包括以下化合物D
‑
1至D
‑
85中的一种或多种：
和/或，第二主体材料包括含氮芳香杂环化合物，优选地，所述第二主体材料含有式2表示的结构单元：其中，Q1～Q5各自独立的选自氮或者C
‑
R
011
，R
011
独立的选自氘、取代或未取代的C1～
C20烷基、取代或未取代的C3～C20环烷基、取代或未取代的C2～C20烯基、取代或未取代的C1～C20硅烷基、取代或未取代的C6～C60芳基硅基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C7～C30芳烷基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基、取代或未取代的C6～C60芳基、取代或未取代的C3～C60杂芳基中的一种；相邻的R
011
连接或不连接；优选地，所述第二主体材料包括以下化合物A1至A86中的一种或多种：
8.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述窄光谱荧光材料的发光峰值为480nm～580nm，优选500nm～550nm。9.根据权利要求1或8所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述窄光谱荧光材料包括含硼化合物；优选地，所述窄光谱荧光材料包括具有如下式3
‑
1...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国孟，段炼，李宝雨，蔡明瀚，刘彬，李梦真，王宏宇，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：