单相桥式功率模块制造技术

本申请提供一种单相桥式功率模块，包括：封装基板；芯片，设置在所述封装基板上；负极端子，设置在所述芯片上并与所述芯片电连接，其中，所述负极端子包括焊脚，所述焊脚包括弯折部和自所述弯折部一端延伸的平坦部，所述平坦部与所述芯片焊接；正极端子，设置在所述封装基板上并与所述封装基板电连接；以及封装体，设置在所述封装基板上并包覆所述芯片、所述负极端子和所述正极端子，且所述负极端子和所述正极端子均部分露出于所述封装体外。本申请中，负极端子仅通过一个焊脚和芯片直接连接，且与芯片焊接的焊脚设计为C形，提高了可靠性。提高了可靠性。提高了可靠性。

【技术实现步骤摘要】
单相桥式功率模块


[0001]本申请涉及半导体领域，尤其涉及一种单相桥式功率模块。

技术介绍

[0002]功率模块是将功率电力电子器件按一定的功能组合后再灌封形成的一个模块，例如芯片封装结构。芯片一般通过引线(铝线)键合的方式与基板实现电气连接。应用于大功率场景的碳化硅芯片对芯片和基板之间的通流能力要求较高，然而，传统的引线键合方式并不能满足碳化硅芯片的应用。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，有必要提供一种解决上述技术问题的功率模块及其封装方法。
[0004]本申请提供一种单相桥式功率模块，包括：封装基板；芯片，设置在所述封装基板上；负极端子，设置在所述芯片上并与所述芯片电连接，其中，所述负极端子包括焊脚，所述焊脚包括弯折部和自所述弯折部一端延伸的平坦部，所述平坦部与所述芯片焊接；正极端子，设置在所述封装基板上并与所述封装基板电连接；以及封装体，设置在所述封装基板上并包覆所述芯片、所述负极端子和所述正极端子，且所述负极端子和所述正极端子均部分露出于所述封装体外。
[0005]在一些实施方式中，所述平坦部与所述芯片连接的部分上设有通孔。
[0006]在一些实施方式中，所述负极端子和所述正极端子上均设有连接件，所述连接件内嵌于所述封装体中并开设有连接孔，所述连接孔延伸贯通相应的负极端子或正极端子以使所述连接孔露出于所述封装体外。
[0007]在一些实施方式中，所述连接件上设有凹槽，所述封装体部分嵌入所述凹槽中。
[0008]在一些实施方式中，所述封装体设有多个沟槽，所述多个沟槽设置于所述正极端子和所述负极端子之间、并相互连通、且延伸贯通所述封装体的边缘。
[0009]在一些实施方式中，所述封装基板的数量为两个，两个所述封装基板通过金属带电性连接。
[0010]在一些实施方式中，所述金属带与所述封装基板焊接，所述金属带与所述封装基板相连接的部分上设有通孔。
[0011]在一些实施方式中，所述正极端子的数量为两个，两个所述正极端子分别设置于两个所述封装基板上并位于所述负极端子相对的两侧且相对于所述负极端子对称设置。
[0012]在一些实施方式中，所述单相桥式功率模块还包括散热板，所述散热板设置于所述封装基板背离所述芯片的表面。
[0013]在一些实施方式中，所述散热板背离所述封装基板的表面设有多个针翅和多个凸条。
[0014]本申请实施方式提供的单相桥式功率模块，负极端子仅通过一个焊脚和芯片直接连接，且与芯片焊接的焊脚设计为C形，能够满足碳化硅芯片的应用，且可以减小杂散电感，
减小单相桥式功率模块长期使用后因热应力而引起的芯片失效，提高可靠性。
附图说明
[0015]图1为本申请一实施方式提供的单相桥式功率模块的结构示意图。
[0016]图2为图1所示单相桥式功率模块去除封装体后的结构示意图。
[0017]图3为图1所示单相桥式功率模块沿III
‑
III的剖视图。
[0018]图4为图1所示单相桥式功率模块的爆炸图。
[0019]图5为图2的俯视图。
[0020]图6为图4所示单相桥式功率模块的散热板的仰视图。
[0021]主要元件符号说明
[0022]单相桥式功率模块
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100
[0023]封装基板
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10
[0024]芯片
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20
[0025]负极端子
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30
[0026]正极端子
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70
[0027]辅助端子
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40
[0028]封装体
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50
[0029]散热板
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60
[0030]衬底
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11
[0031]金属层
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12
[0032]金属带
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13
[0033]通孔
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13a、33a、30a、40a
[0034]连接部
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31、71
[0035]端子部
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32、72
[0036]焊脚
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33、73
[0037]弯折部
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331、731
[0038]平坦部
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332、732
[0039]连接件
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302
[0040]连接孔
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302a
[0041]凹槽
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302b
[0042]导热胶
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80
[0043]针翅
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61
[0044]凸条
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62
[0045]沟槽
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51
[0046]如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本申请。
具体实施方式
[0047]下面将结合本申请实施方式中的附图，对本申请实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实
施方式。基于本申请中的实施方式，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。
[0048]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
[0049]请参阅图1至图3，本申请一实施方式提供一种单相桥式功率模块100，包括封装基板10、芯片20、负极端子30、正极端子70、辅助端子40、封装体50以及散热板60。芯片20设置在封装基板10的一表面上，负极端子30设置在芯片20上并与本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单相桥式功率模块，其特征在于，包括：封装基板；芯片，设置在所述封装基板上；负极端子，设置在所述芯片上并与所述芯片电连接，其中，所述负极端子包括焊脚，所述焊脚包括弯折部和自所述弯折部一端延伸的平坦部，所述平坦部与所述芯片焊接；正极端子，设置在所述封装基板上并与所述封装基板电连接；以及封装体，设置在所述封装基板上并包覆所述芯片、所述负极端子和所述正极端子，且所述负极端子和所述正极端子均部分露出于所述封装体外。2.如权利要求1所述的单相桥式功率模块，其特征在于，所述平坦部与所述芯片连接的部分上设有通孔。3.如权利要求1所述的单相桥式功率模块，其特征在于，所述负极端子和所述正极端子上均设有连接件，所述连接件内嵌于所述封装体中并开设有连接孔，所述连接孔延伸贯通相应的负极端子或正极端子以使所述连接孔露出于所述封装体外。4.如权利要求3所述的单相桥式功率模块，其特征在于，所述连接件上设有凹槽，所述封装体部分嵌入所述凹槽中。5.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨柳，和巍巍，汪之涵，
申请(专利权)人：深圳基本半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：