一种片上有限固定空间记录累计上电时间的实现方法技术

本发明专利技术属于弹载产品累计上电时间实时记录技术领域，具体涉及一种片上有限固定空间记录累计上电时间的实现方法，其判断存储空间读取该存储空间的数据，直到读到的未被写入数据的地址，获得累计上电时间，将该累计上电时间作为本次上电的初值；本次上电时间写入次数清零，然后擦除分配的固定存储空间，写入累计上电时间初值到存储空间首地址；在定时器单元中，在上一次记录的累计上电时时间基础上，每隔一个周期累加1，并写入存储空间，每写入一次，过程对应的地址累加。本发明专利技术解决了常规存储方法会打断程序正常工作流程，破坏程序实时性的问题，使得产品累计上电工作时间的单次计算误差降到了毫秒级，且实现了实时可靠存储，同时还可以节省资源。同时还可以节省资源。同时还可以节省资源。

【技术实现步骤摘要】
一种片上有限固定空间记录累计上电时间的实现方法


[0001]本专利技术属于弹载产品累计上电时间实时记录
，具体涉及一种片上有限固定空间记录累计上电时间的实现方法。

技术介绍

[0002]弹载产品是武器装备的核心部件，为了确保其在服役期内性能满足战技指标要求，需要定期维护，累计工作时间达到设计允值边界后通常需要做返厂延寿处理，弹载产品累计上电时间的原始记录是评价其维护、返修周期和可靠性的重要依据，因此需要实时记录产品的累计上电时间。因为存储芯片写入之前必须先进行擦除，最小的一块存储空间的擦除需要花费的时间为秒级，而弹载产品对于解算实时性要求很高，且解算周期一般为毫秒级，若采用常规的擦除再写入的方法，就会打断弹载产品的正常工作流程，影响其精度，从而影响武器系统的作战性能。

技术实现思路

[0003](一)要解决的技术问题
[0004]本专利技术要解决的技术问题是：如何解决常规记录累计上电时间的方法会破坏弹载软件实时性、影响解算精度的问题。
[0005](二)技术方案
[0006]为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种片上有限固定空间记录累计上电时间的实现方法，所述方法包括步骤如下：
[0007]步骤一：上电初始化完成后，读取分配的固定存储空间的数据，通过读取的首地址的数据判断该存储空间是否被写入过数据，若未被写入数据，则该产品首次上电，否则不是首次上电；
[0008]步骤二：如果产品首次上电，则将累计上电时间初值设置为0，如果不是首次上电，则一直读取该存储空间的数据，直到读到的未被写入数据的地址，则该地址的上一个地址中所保存的数据即为上次记录的累计上电时间，将该累计上电时间作为本次上电的初值。
[0009]步骤三：本次上电时间写入次数清零，然后擦除分配的固定存储空间，写入累计上电时间初值到存储空间首地址；
[0010]步骤四：在定时器单元中，在上一次记录的累计上电时时间基础上，每隔一个周期累加1，并写入存储空间，每写入一次，过程对应的地址累加。
[0011]其中，所述步骤四中，所述周期根据时间记录的精度进行设置。
[0012]其中，所述步骤一、步骤二、步骤三在上电初始化完成后执行一次。
[0013]其中，所述步骤四在定时器单元中周期执行。
[0014]其中，所述方法基于上电时间读取模块和上电时间存储模块来实施，所述上电时间读取模块是在产品上电初始化完成后调用一次，上电时间存储模块是在定时器单元进行周期性调用。
[0015]其中，所述上电时间存储模块是在定时器单元以1s为周期进行周期性调用。
[0016]其中，所述上电时间读取模块实现流程：
[0017]步骤A：首先读取固定的Flash扇区的数据，若读取的首地址数据为0xffff，则该产品为首次上电，则将保存累计上电时间的变量清零，作为本次累计上电时间的初值，然后调用上电时间存储模块，将该值写入该Flash扇区首地址；
[0018]步骤B；若首地址数据不为0xffff，则依次读取该Flash扇区后续地址的数据，同时定义两个变量，一个保存上一地址的数据，一个保存当前地址数据，若当前地址读取的数据为0xffff，则将上一地址的数据记为上次上电存储的累计上电时间，然后调用一次上电时间存储模块，将该值写入Flash扇区首地址。
[0019]其中，所述上电时间存储模块实现流程如下：
[0020]首先判断是否为本次上电后第一次写入，若是，则擦除固定的Flash扇区，然后将上电读取模块读取的上次存储的累计上电时间写入该Flash扇区首地址，并将上电时间写入计数值置一；若不是本次上电后第一次写入，则直接将累计上电时间写入该Flash扇区，写入地址依次累加。
[0021](三)有益效果
[0022]与现有技术相比较，本专利技术通过基于片上有限固定区域上电循环读写、工作过程周期写入的算法，解决了常规存储方法会打断程序正常工作流程，破坏程序实时性的问题，使得产品累计上电工作时间的单次计算误差降到了毫秒级，且实现了实时可靠存储，同时还可以节省资源。
附图说明
[0023]图1是本专利技术所述记录方法与常规的记录方法区别示意图。
[0024]图2是本专利技术上电时刻读取判断后擦除再写入执行流程图。
[0025]图3是本专利技术的工作过程中周期性写入执行流程图。
[0026]图4是本专利技术上电时间读取模块流程图。
[0027]图5是本专利技术上电时间存储模块流程图。
具体实施方式
[0028]为使本专利技术的目的、内容和优点更加清楚，下面结合附图和实施例，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细描述。
[0029]为了解决上述技术问题，同时节省存储空间资源，本专利技术提供了一种在上电时刻对片上有限固定空间进行读取、判断、擦除、再写入，并在工作过程周期性实时写入累计上电时间的方法；
[0030]所述方法在上电时刻读取判断后擦除再写入过程中，每次擦除的为固定的存储空间，对其进行循环利用，避免了存储空间的浪费，节省了存储空间资源和成本。在工作过程周期性写入操作中，因为不对存储空间进行擦除操作，只进行写入操作，而写入一个数据的时间不到1ms，所以软件工作过程中周期性写入不仅不会打断正常的工作流程，还可以使上电时间记录精度可以达到毫秒级。
[0031]本专利技术所述记录方法与常规记录方法之间区别的示意图见图1。
[0032]所述方法包括步骤如下：
[0033]步骤一：上电初始化完成后，读取分配的固定存储空间的数据，通过读取的首地址的数据判断该存储空间是否被写入过数据，若未被写入数据，则该产品首次上电，否则不是首次上电；
[0034]步骤二：如果产品首次上电，则将累计上电时间初值设置为0，如果不是首次上电，则一直读取该存储空间的数据，直到读到的未被写入数据的地址，则该地址的上一个地址中所保存的数据即为上次记录的累计上电时间，将该累计上电时间作为本次上电的初值。
[0035]步骤三：本次上电时间写入次数清零，然后擦除分配的固定存储空间，写入累计上电时间初值到存储空间首地址；
[0036]步骤四：在定时器单元中，在上一次记录的累计上电时时间基础上，每隔一个周期累加1，并写入存储空间，每写入一次，过程对应的地址累加。
[0037]其中，所述步骤四中，所述周期根据时间记录的精度进行设置。
[0038]其中，所述步骤一、步骤二、步骤三在上电初始化完成后执行一次。
[0039]其中，所述步骤四在定时器单元中周期执行。
[0040]其中，所述方法基于上电时间读取模块和上电时间存储模块来实施，所述上电时间读取模块是在产品上电初始化完成后调用一次，上电时间存储模块是在定时器单元进行周期性调用。
[0041]其中，所述上电时间存储模块是在定时器单元以1s为周期进行周期性调用。
[0042]其中，所述上电时间读取模块实现流程：
[0043]步骤A：首先读取固定的F本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种片上有限固定空间记录累计上电时间的实现方法，其特征在于，所述方法包括步骤如下：步骤一：上电初始化完成后，读取分配的固定存储空间的数据，通过读取的首地址的数据判断该存储空间是否被写入过数据，若未被写入数据，则该产品首次上电，否则不是首次上电；步骤二：如果产品首次上电，则将累计上电时间初值设置为0，如果不是首次上电，则一直读取该存储空间的数据，直到读到的未被写入数据的地址，则该地址的上一个地址中所保存的数据即为上次记录的累计上电时间，将该累计上电时间作为本次上电的初值；步骤三：本次上电时间写入次数清零，然后擦除分配的固定存储空间，写入累计上电时间初值到存储空间首地址；步骤四：在定时器单元中，在上一次记录的累计上电时时间基础上，每隔一个周期累加1，并写入存储空间，每写入一次，过程对应的地址累加。2.如权利要求1所述的片上有限固定空间记录累计上电时间的实现方法，其特征在于，所述步骤四中，所述周期根据时间记录的精度进行设置。3.如权利要求1所述的片上有限固定空间记录累计上电时间的实现方法，其特征在于，所述步骤一、步骤二、步骤三在上电初始化完成后执行一次。4.如权利要求1所述的片上有限固定空间记录累计上电时间的实现方法，其特征在于，所述步骤四在定时器单元中周期执行。5.如权利要求1所述的片上有限固定空间记录累计上电时间的实现方法，其特征在于，所述方法基于上电时间读取模块和上电时间存储模块来实施，所述上电时间读取模块是在产品上电初始化完成后调用一次，上电时间存储模块是在定时器单元进行周期性调用。6.如权利要求5所述的片上有限固定空间记录累计上电时间的实现方法，其特征在于，所述上电时间存储模块是在定时器单元以1s为周期进行周期性调用。7.如权利要求5所述的片上有限固定空间记录累计上电时间的实现方法，其特征在于，所述上电时间读取模块实现流程：步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：张茹，杨鹏翔，谭鹏立，梅春波，朱启举，李小博，丁建伟，徐一艳，肖迅，刘晓，李政茂，赵志远，
申请(专利权)人：西安现代控制技术研究所，
类型：发明
国别省市：